Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures […]

Silicon carbide wafers are used as substrates in power electronic devices such as diodes and MOSFETs, offering superior hardness, stability under heat and voltage and non-reactivity with respect to oxidation resistance. Available in 100mm and 150mm diameter sizes. These substrates also provide protection from thermal shock caused by sudden changes in temperature, with their low

Reaction-bonded silicon carbide is an ultra-resilient ceramic material that offers exceptional strength against impact and wear, thermal shock resistance, and chemical attack. Formulations of porous SiC and carbon particles, when infiltrated with liquid or gaseous silicon, become self-bonding due to chemical reaction between silicon and carbon. Silicon reacts with carbon to form additional silicon carbide

Silicon Carbide is one of the hardest and most durable advanced ceramic materials. It can maintain its strength at high temperatures while offering resistance against acids, alkalis and molten salts. CVD SiC, produced through chemical vapor deposition, is an extremely pure form with superior thermal conductivity than sintered or reaction bonded SiC. It is a

Silicon carbide is a high-performance ceramic with exceptional hardness, wear resistance and thermal conductivity properties. However, its complex geometry makes precise machining extremely challenging; diamond tools must be employed for maximum accuracy when working with it. Saint-Gobain utilizes multiple manufacturing avenues to craft the highest-grade sintered silicon carbide products. We employ reaction sintering and pressureless

Тигелите от силициев карбид са предназначени за топене на цветни метали като мед, сребро, злато и олово-цинк в наземни или електрически пещи. Техните характеристики включват висока устойчивост на окисляване, по-малко замърсяване и отлична топлопроводимост. Тигелите често претърпяват повреди поради прегряване; при този сценарий могат да се получат надлъжни пукнатини, простиращи се от долния край до върха, но

Силициевият карбид (SiC) е изключително твърдо кристално съединение на силиций и въглерод, което се среща в природата като моисанит и има полупроводникови свойства. Произвежданият в промишлеността прах може да се използва при абразивни операции за шлифоване и рязане. Едуард Ачесън за първи път синтезира изкуствено синтетичен моисанит през 1891 г., като използва електрическа топлина от електроцентрала за комбиниране на силициев диоксид с въглерод, получавайки

Мебелите за пещи включват рафтовете, на които се поставят керамичните изделия по време на процеса на изпичане в пещта. Рафтовете от силициев карбид, свързани с азот, са отличен избор поради тяхната износоустойчивост и физическа здравина, които осигуряват оптимални условия за поставянето им в пещта. Рафтовете LO-MASS са 19 пъти по-здрави и 50% по-леки от конвенционалните кордиеритови рафтове, като същевременно поддържат

Абразивните дискове от силициев карбид се използват широко за шлайфане и рязане на метал, като се предлагат с различни размери на зърната, за да отговарят на различни приложения и твърдости на метала. По-твърдите и по-крехки материали изискват по-фина зърнистост, докато тези с по-ниска якост на опън се нуждаят от по-груба. Абразиви с висока твърдост Абразивите от силициев карбид са значително по-твърди от тези от алуминиев оксид. Освен това,

Полупроводникът от силициев карбид има няколко предимства, които го правят привлекателна алтернатива на устройствата на силициева основа, включително способността му да работи с високи напрежения, да повишава топлинната ефективност и да намалява размера/теглото на силовите електронни устройства в електрическите превозни средства. SiC се среща в естествен вид в скъпоценните камъни моисанит и в находищата на кимберлит, но по-голямата част от него се произвежда синтетично за използване в електронни компоненти,