This Dremel silicon carbide grinding stone works great on many surfaces and is especially helpful when etching glass. As its aluminum oxide counterpart, it offers tougher bits that work well on harder materials like glass. In addition to working well on such items as stone, ceramics, porcelain and nonferrous metals it comes equipped with a […]

Карбід кремнію (SiC) - це надзвичайно тверда кристалічна сполука кремнію та вуглецю, яку отримують синтетичним шляхом, відома як карборунд. Твердість за шкалою Мооса (9 одиниць) робить його схожим на алмаз, і його можна використовувати як абразивний матеріал, а також у вогнетривких виробах, таких як футеровка печей. Кремній - ще один матеріал з великим потенціалом для

Карбід кремнію - надзвичайно корисний матеріал, який застосовується в багатьох галузях промисловості. Хоча в природі він зустрічається у вигляді мінеральних родовищ муассаніту, більшість карбіду кремнію (КК) сьогодні виробляється синтетичним шляхом. Завдяки високій пробивній напрузі та низькому опору ввімкнення кремнієві пластини є чудовими компонентами для напівпровідникових пристроїв. Крім того, їх корозійна стійкість гарантує, що вони можуть витримувати високі температури

Silicon carbide is a compound often utilized in power electronics devices. It possesses various attributes that can improve performance over silicon-based devices, including increased blocking voltage capacities and reduced specific on-resistance. Littelfuse’s research on these attributes has resulted in new technology designed to increase efficiency within AGPU-based systems. Littelfuse has successfully conducted extensive trials using

Silicon carbide balls are designed to withstand harsh environments and can be found in numerous applications ranging from bearings and energy systems, to precision semiconductor manufacturing. Carborundum occurs naturally as the mineral moissanite, but has been mass produced since 1893 for use as an abrasive material and raw material in steelmaking. Hardness Silicon carbide (SiC)

Silicon Carbide (SiC) has rapidly emerged as an ideal material for monolithically integrated photonics applications, due to its combination of high refractive index, wide bandgap, low thermal expansion coefficient, and excellent rigidity properties. SiC is also an excellent material choice for making mirrors in astronomical telescopes. Ellipsometric results illustrate that transmittance and refractive index of

Silicon carbide is an advanced semiconductor material capable of conducting electricity at high temperatures while remaining resistant to oxidation and handling high voltages, making it the perfect material choice for applications such as car brakes and clutches as well as bulletproof vests. Dopants such as aluminum, boron and gallium can help control the electrical conductivity

Карбід кремнію - це напівпровідниковий матеріал з властивостями між металами та ізоляторами. Останнє залежить від таких факторів, як температура та домішки, присутні в його кристалічній структурі; що стосується першого, то електричні властивості також залежать від цих змінних. Едвард Гудріч Ачесон вперше створив SiC у 1891 році, намагаючись створити штучні алмази за допомогою електричної

Карбід кремнію (SiC) - це міцна неоксидна кераміка, відома своєю міцністю та термостійкістю. Його можна знайти в застосунках, які вимагають високої термічної витривалості з мінімальним розширенням. Теплопровідність SiC зростає з температурою до певного моменту, але через домішки або структурні дефекти з часом поступово зменшується - це явище

Технологія карбіду кремнію зазнала величезного зростання серед виробників силової електроніки. Цю тенденцію значною мірою можна пояснити зростаючим попитом на електромобілі та пов'язану з ними зарядну інфраструктуру. Завдяки своїй неймовірній твердості, міцності та корозійній стійкості SiC є чудовим матеріалом для різних застосувань. Високотемпературний карбід кремнію привертає все більшу увагу