Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures […]

Пластини карбіду кремнію використовуються як підкладки в силових електронних пристроях, таких як діоди і MOSFET, пропонуючи чудову твердість, стабільність при нагріванні і напрузі, а також нереактивність щодо стійкості до окислення. Доступні в розмірах 100 мм і 150 мм в діаметрі. Ці підкладки також забезпечують захист від теплового шоку, спричиненого різкими змінами температури, завдяки низькому

Реакційно зв'язаний карбід кремнію - це надміцний керамічний матеріал, який забезпечує виняткову міцність проти ударів і зносу, стійкість до термічних ударів і хімічних впливів. Композиції з пористого карбіду кремнію та вуглецевих частинок, просочені рідким або газоподібним кремнієм, стають самозв'язуючими завдяки хімічній реакції між кремнієм і вуглецем. Кремній реагує з вуглецем, утворюючи додатковий карбід кремнію

Карбід кремнію - один з найтвердіших і найміцніших сучасних керамічних матеріалів. Він може зберігати свою міцність при високих температурах, пропонуючи стійкість до кислот, лугів і розплавлених солей. CVD SiC, отриманий методом хімічного осадження з газової фази, є надзвичайно чистою формою з вищою теплопровідністю, ніж спечений або реакційно зв'язаний SiC. Він являє собою

Карбід кремнію - це високоефективна кераміка з винятковою твердістю, зносостійкістю та теплопровідністю. Однак його складна геометрія робить точну механічну обробку надзвичайно складною; для досягнення максимальної точності при роботі з ним необхідно використовувати алмазні інструменти. Для виготовлення високоякісних спечених виробів із карбіду кремнію компанія "Сен-Гобен" використовує різні способи виробництва. Ми використовуємо реакційне спікання та спікання без тиску

Тиглі з карбіду кремнію призначені для плавлення кольорових металів, таких як мідь, срібло, золото і свинцево-цинкові сплави, в наземних або електричних печах. Вони мають високу стійкість до окислення, менше забруднення та відмінну теплопровідність. Тиглі часто зазнають пошкоджень через перегрів; поздовжні тріщини, що простягаються від нижнього краю до верху, можуть призвести до цього сценарію, але

Карбід кремнію (SiC) - надзвичайно тверда кристалічна сполука кремнію і вуглецю, що зустрічається в природі у вигляді муассаніту і має напівпровідникові властивості. Промисловий порошок може використовуватися в абразивному шліфуванні та різанні. Едвард Ачесон вперше синтезував синтетичний муассаніт штучно в 1891 році, використовуючи електричне тепло від електростанції для з'єднання кремнезему з вуглецем, отримавши

До пічних меблів відносяться полиці, на яких розміщується керамічний посуд під час його випалу в печі. Полиці з карбіду кремнію, зв'язаного азотом, є відмінним вибором завдяки своїй стійкості до стирання і фізичній міцності, що забезпечує оптимальні умови для їх розміщення в печі. Полиці LO-MASS в 19 разів міцніші і на 50% легші, ніж звичайні полиці з кордієриту, але при цьому підтримують

Шліфувальні круги з карбіду кремнію широко використовуються для шліфування та різання металу, доступні з різною зернистістю для різних застосувань і різної твердості металу. Для більш твердих і крихких матеріалів потрібна дрібна зернистість, а для матеріалів з низькою міцністю на розрив - грубіша. Висока твердість Абразивні матеріали з карбіду кремнію значно твердіші за абразивні матеріали з оксиду алюмінію. Крім того,

Напівпровідниковий карбід кремнію має низку переваг, які роблять його привабливою альтернативою пристроям на основі кремнію, зокрема здатність витримувати високу напругу, підвищувати теплову ефективність і зменшувати розмір/вагу силових електронних пристроїв в електромобілях. SiC зустрічається в природі в камінцях муассаніту та родовищах кімберліту, але більша частина його виробляється синтетично для використання в електронних компонентах,