Ім'я автора:admin88

Silicon carbide is one of the hardest known substances, used as a synthetic abrasive and found naturally as moissanite in meteorites; it can also be mined. SiC’s wide bandgap properties allow it to minimize switching losses while supporting higher frequencies, making it ideal for use in high voltage power semiconductor devices like inverters in electric […]

Текстура руків'я може відігравати вирішальну роль у комфорті користування зброєю. Існує безліч варіантів, які можуть покращити цей аспект володіння зброєю - від стрічки на руків'ї, кігтеподібних накладок або накладок на руків'я, які можуть покращити цей аспект. Цей комплект забезпечує покращені характеристики зчеплення з рамкою пістолета. Наноситься високоефективна епоксидна смола, потім порошок карбіду кремнію вашого

Карбід кремнію (SiC) має виняткові властивості, які роблять його дуже затребуваним у багатьох сферах застосування - від силової електроніки в електромобілях до напівпровідникової електроніки загалом. Широкозонні напівпровідникові властивості SiC забезпечують менший опір при високих температурах, що дозволяє створювати менші та швидші системи перетворення енергії з більшою енергоефективністю. SiC зустрічається в природі в мізерних кількостях у таких матеріалах

Цей шліфувальний брусок Dremel із карбіду кремнію чудово обробляє багато поверхонь і особливо корисний під час травлення скла. Як і його аналог з оксиду алюмінію, він має міцніші абразивні елементи, які добре справляються з твердими матеріалами, як-от скло. Крім того, що він добре обробляє такі матеріали, як камінь, кераміка, порцеляна та кольорові метали, він оснащений

Карбід кремнію (SiC) - це надзвичайно тверда кристалічна сполука кремнію та вуглецю, яку отримують синтетичним шляхом, відома як карборунд. Твердість за шкалою Мооса (9 одиниць) робить його схожим на алмаз, і його можна використовувати як абразивний матеріал, а також у вогнетривких виробах, таких як футеровка печей. Кремній - ще один матеріал з великим потенціалом для

Карбід кремнію - надзвичайно корисний матеріал, який застосовується в багатьох галузях промисловості. Хоча в природі він зустрічається у вигляді мінеральних родовищ муассаніту, більшість карбіду кремнію (КК) сьогодні виробляється синтетичним шляхом. Завдяки високій пробивній напрузі та низькому опору ввімкнення кремнієві пластини є чудовими компонентами для напівпровідникових пристроїв. Крім того, їх корозійна стійкість гарантує, що вони можуть витримувати високі температури

Silicon carbide is a compound often utilized in power electronics devices. It possesses various attributes that can improve performance over silicon-based devices, including increased blocking voltage capacities and reduced specific on-resistance. Littelfuse’s research on these attributes has resulted in new technology designed to increase efficiency within AGPU-based systems. Littelfuse has successfully conducted extensive trials using

Silicon carbide balls are designed to withstand harsh environments and can be found in numerous applications ranging from bearings and energy systems, to precision semiconductor manufacturing. Carborundum occurs naturally as the mineral moissanite, but has been mass produced since 1893 for use as an abrasive material and raw material in steelmaking. Hardness Silicon carbide (SiC)

Silicon Carbide (SiC) has rapidly emerged as an ideal material for monolithically integrated photonics applications, due to its combination of high refractive index, wide bandgap, low thermal expansion coefficient, and excellent rigidity properties. SiC is also an excellent material choice for making mirrors in astronomical telescopes. Ellipsometric results illustrate that transmittance and refractive index of

Silicon carbide is an advanced semiconductor material capable of conducting electricity at high temperatures while remaining resistant to oxidation and handling high voltages, making it the perfect material choice for applications such as car brakes and clutches as well as bulletproof vests. Dopants such as aluminum, boron and gallium can help control the electrical conductivity