This Dremel silicon carbide grinding stone works great on many surfaces and is especially helpful when etching glass. As its aluminum oxide counterpart, it offers tougher bits that work well on harder materials like glass. In addition to working well on such items as stone, ceramics, porcelain and nonferrous metals it comes equipped with a […]

Silicon Carbide (SiC) is an extremely hard and synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon, popularly referred to as carborundum. Mohs hardness rating of 9 makes it similar to diamond and it can be used as an abrasive and in refractory products such as furnace linings. Silicon is another material with great potential for

Silicon carbide is an extremely useful material with applications in numerous industries. While naturally found as moissanite mineral deposits, most Silicon Carbide (SC) production nowadays takes place synthetically. With its high breakage voltage and low turn-on resistance, silicon wafers make excellent components for semiconductor devices. Furthermore, their corrosion resistance ensures it can withstand high temperatures

Silicon carbide is a compound often utilized in power electronics devices. It possesses various attributes that can improve performance over silicon-based devices, including increased blocking voltage capacities and reduced specific on-resistance. Littelfuse’s research on these attributes has resulted in new technology designed to increase efficiency within AGPU-based systems. Littelfuse has successfully conducted extensive trials using

Silicon carbide balls are designed to withstand harsh environments and can be found in numerous applications ranging from bearings and energy systems, to precision semiconductor manufacturing. Carborundum occurs naturally as the mineral moissanite, but has been mass produced since 1893 for use as an abrasive material and raw material in steelmaking. Hardness Silicon carbide (SiC)

Silisyum Karbür (SiC), yüksek kırılma indisi, geniş bant aralığı, düşük termal genleşme katsayısı ve mükemmel sertlik özelliklerinin kombinasyonu nedeniyle monolitik olarak entegre edilmiş fotonik uygulamalar için ideal bir malzeme olarak hızla ortaya çıkmıştır. SiC ayrıca astronomik teleskoplarda ayna yapmak için mükemmel bir malzeme seçimidir. Elipsometrik sonuçlar, SiC'nin geçirgenlik ve kırılma indisinin

Silisyum karbür, yüksek sıcaklıklarda elektriği iletebilen, oksidasyona karşı dirençli ve yüksek gerilimlerle çalışabilen gelişmiş bir yarı iletken malzemedir; bu da onu araba frenleri ve debriyajlar ile kurşun geçirmez yelekler gibi uygulamalar için mükemmel bir malzeme seçimi haline getirmektedir. Alüminyum, bor ve galyum gibi katkı maddeleri elektrik iletkenliğini kontrol etmeye yardımcı olabilir

Silisyum karbür, metaller ve yalıtkanlar arasında özelliklere sahip yarı iletken bir malzemedir. İkincisi, sıcaklık ve kristal yapısında bulunan safsızlıklar gibi faktörlere bağlıdır; ilkinde olduğu gibi, elektriksel özellikler de bu değişkenlere bağlıdır. Edward Goodrich Acheson SiC'yi ilk olarak 1891'de elektrik kullanarak yapay elmas üretmeye çalışırken yaratmıştır.

Silisyum Karbür (SiC), mukavemeti ve ısı direnci ile bilinen dayanıklı bir oksit olmayan seramiktir. Minimum genleşme ile yüksek termal dayanıklılık gerektiren uygulamalarda bulunabilir. SiC'nin termal iletkenliği belirli bir noktaya kadar sıcaklıkla birlikte artar; ancak safsızlıklar veya yapısal kusurlar nedeniyle zamanla kademeli olarak azalır - bu fenomen

Silisyum karbür teknolojisi, güç elektroniği üreticileri arasında muazzam bir büyüme göstermiştir. Bu eğilim büyük ölçüde elektrikli araçlara ve ilgili şarj altyapılarına yönelik artan talebe bağlanabilir. SiC, inanılmaz sertlik, mukavemet ve korozyon direnci özellikleri nedeniyle çeşitli uygulamalar için mükemmel bir malzemedir. Yüksek Sıcaklık Silisyum karbürü artan bir ilgi görmüştür