Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures […]

Silicon carbide wafers are used as substrates in power electronic devices such as diodes and MOSFETs, offering superior hardness, stability under heat and voltage and non-reactivity with respect to oxidation resistance. Available in 100mm and 150mm diameter sizes. These substrates also provide protection from thermal shock caused by sudden changes in temperature, with their low

Reaction-bonded silicon carbide is an ultra-resilient ceramic material that offers exceptional strength against impact and wear, thermal shock resistance, and chemical attack. Formulations of porous SiC and carbon particles, when infiltrated with liquid or gaseous silicon, become self-bonding due to chemical reaction between silicon and carbon. Silicon reacts with carbon to form additional silicon carbide

Silicon Carbide is one of the hardest and most durable advanced ceramic materials. It can maintain its strength at high temperatures while offering resistance against acids, alkalis and molten salts. CVD SiC, produced through chemical vapor deposition, is an extremely pure form with superior thermal conductivity than sintered or reaction bonded SiC. It is a

Silisyum karbür olağanüstü sertlik, aşınma direnci ve termal iletkenlik özelliklerine sahip yüksek performanslı bir seramiktir. Bununla birlikte, karmaşık geometrisi hassas işlemeyi son derece zorlaştırır; onunla çalışırken maksimum doğruluk için elmas takımlar kullanılmalıdır. Saint-Gobain, en yüksek kalitede sinterlenmiş silisyum karbür ürünleri üretmek için birden fazla üretim yolu kullanmaktadır. Reaksiyon sinterleme ve basınçsız sinterleme kullanıyoruz.

Silisyum karbür potalar, bakır, gümüş, altın ve kurşun-çinko gibi demir dışı metallerin öğütülmüş fırınlarda veya elektrikli fırınlarda eritilmesi için tasarlanmıştır. Özellikleri arasında yüksek oksidasyon direnci, daha az kirlilik ve mükemmel termal iletkenlik bulunmaktadır. Potalar genellikle aşırı ısınma nedeniyle hasar görür; alt kenardan yukarıya doğru uzanan uzunlamasına çatlaklar bu senaryoda ortaya çıkabilir, ancak

Silisyum karbür (SiC), doğal olarak mozanit olarak bulunan ve yarı iletken özelliklere sahip, son derece sert kristalli bir silikon ve karbon bileşiğidir. Endüstriyel olarak üretilen toz, aşındırıcı taşlama ve kesme işlemlerinde kullanılabilir. Edward Acheson ilk olarak 1891 yılında sentetik mozaniti yapay olarak sentezlemiş ve silika ile karbonu birleştirmek için bir enerji santralinden elektrik ısısı kullanarak

Fırın Mobilyaları, seramik eşyaların fırında pişirilmesi sırasında oturduğu rafları içerir. Azot bağlı silisyum karbür raflar, aşınmaya karşı dirençleri ve fiziksel güçleri nedeniyle mükemmel bir seçimdir ve fırın içine yerleştirilmeleri için en uygun koşulları sağlar. LO-MASS raflar, geleneksel kordiyerit raflardan 19 kat daha güçlü ve 50% daha hafiftir ve buna rağmen

Silisyum karbür aşındırıcı taşlar, metallerin taşlanması ve kesilmesi için yaygın olarak kullanılır ve farklı metal uygulamalarını ve sertliklerini karşılamak için çeşitli kum boyutlarında mevcuttur. Daha sert, daha kırılgan malzemeler daha ince kum boyutları gerektirirken, daha düşük gerilme mukavemeti sergileyenler daha kaba olanlara ihtiyaç duyar. Yüksek sertlikteki Silisyum karbür aşındırıcılar alüminyum oksit aşındırıcılardan çok daha serttir. Ayrıca,

Silisyum karbür yarı iletken, yüksek gerilimleri idare etme, termal verimliliği artırma ve elektrikli araçlardaki güç elektroniği cihazlarının boyutunu/ağırlığını azaltma kabiliyeti de dahil olmak üzere, onu silikon bazlı cihazlara cazip bir alternatif haline getiren çeşitli avantajlar sunar. SiC doğal olarak mozanit taşlarında ve kimberlit yataklarında bulunur, ancak çoğu elektronik bileşenlerde kullanılmak üzere sentetik olarak üretilir,