BİLGİ

Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green […]

Silisyum karbür, genellikle taşlama taşlarında, zımpara bantlarında ve püskürtme ortamlarında bulunan bir aşındırıcı malzemedir. İnorganik bir kimyasal bileşik olarak sertlik açısından elmas ve bor karbür ile rekabet eder. Siyah silisyum karbür (Carborundum) en yaygın kullanılan aşındırıcılardan biridir ve sert ve köşeli taneciklere sahiptir.

Silisyum karbür (SiC) alışılmadık bir kristal yapıya sahiptir. Birincil koordinasyon tetrahedronunu oluşturan çoklu tipler halinde istiflenmiş katmanlarla düzenli bir koordinasyon tetrahedral düzenlemesinde dört Si ve dört C atomu içerir. Elektriksel olarak silisyum karbür, silisyumdan beş-on kat daha yüksek gerilimlere dayanma kabiliyetine sahiptir. Bu, onu güç için mükemmel bir malzeme seçimi yapar

Teknoloji alanındaki gelişmeler yarı iletken şirketleri için nesilde bir kez gerçekleşen olaylardır ve bu gelişmeleri kabul edenler muazzam kârlar elde etme şansına sahiptir. Cree, şimdi Wolfspeed, silisyum karbür güç cihazlarına yönelik eğilimden faydalanmaya devam ediyor. Cihaz tasarımı ve üretimindeki yenilikleri, her bir yonga plakasında eşit güç değerlerine sahip daha küçük yongalar üretmelerine olanak tanıyor - böylece

Okamoto ve arkadaşları çeşitli sıcaklıklarda silisyum karbürün iletkenliğini ölçmüş ve küçük miktarlardaki Si katkısının iletkenliği iki ila üç büyüklük mertebesinde artırmadığını, ancak 5 mol%'yi aşmanın iletkenlik seviyelerinin üç büyüklük mertebesine kadar yükselmesine neden olduğunu bulmuştur. Silisyum karbür yarı iletken bir malzemedir ve

Amorf silisyum karbür (a-SiC), değişken optik ve elektronik özellikleri nedeniyle büyük ilgi görmüştür. Sertlik, düşük termal genleşme oranları ve görünür ışık şeffaflığı özellikleriyle teleskop aynaları için cazip bir malzemedir. Malzeme bilimi, bu yeni malzeme olan a-SiC'in piyasaya sürülmesiyle bir devrim yaşıyor. Dayanıklılık ile mukavemeti birleştiren özellikleri ile

4H-SiC, giderek daha popüler hale gelen bir silisyum karbür poli tipidir. Geniş bant aralığı ve mükemmel termal, elektriksel ve mekanik özellikleri nedeniyle güç elektroniği uygulamaları için ideal bir malzemedir. Bu çalışmada, [0001] yönelimli tek kristal 4H-SiC sütun numunesinin elastik deformasyon ve çatlama davranışını, dört kez yükleme-boşaltma sıkıştırma gerinimi gerçekleştirerek araştırdık.

Olağanüstü fiziksel ve kimyasal özelliklere sahip tek kristalli mikron boyutlu parçacıklar olan silisyum karbür bıyıklar, yüksek sıcaklıkta yapısal malzemeler ve alet seramikleri dahil olmak üzere birçok alanda geniş kapsamlı uygulamaları nedeniyle önemli bir araştırma ilgisi toplamıştır. Mullit seramik, yüksek sertlik ve sıcaklıkta sünme gibi üstün mekanik ve fiziksel özelliklere sahip, kimyasal olarak oldukça kararlı bir refrakter malzemedir.

Silicon carbide inverter technology is an exciting power semiconductor advancement. It boasts several advantages over conventional silicon devices, including lower power losses up to ten times less and improved thermal performance. McLaren Applied is employing a high-voltage CoolSiC metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), designed specifically to handle high voltage 800-volt systems found in electric

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in