Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

Amorphous silicon carbide (a-SiC) has gained immense attention due to its variable optical and electronic properties. As it features rigidity, low thermal expansion rates, and visible light transparency it makes an attractive material for telescope mirrors. Material science is experiencing a revolution with the introduction of this novel material: a-SiC. With properties combining strength with

4H-SiC is an increasingly popular polytype of silicon carbide. Due to its wide bandgap and excellent thermal, electrical, and mechanical properties, it makes an ideal material for power electronics applications. We investigated the elastic deformation and cracking behavior of a single crystal 4H-SiC pillar specimen with [0001] orientation by performing four times loading-unloading compression strain

Silicon carbide whiskers, single-crystal micron-sized particles with outstanding physical and chemical properties, have garnered significant research interest due to their wide-ranging applications across many fields including high temperature structural materials and tool ceramics. Mullite ceramic is a highly chemically stable refractory material with superior mechanical and physical properties such as high hardness and temperature creep

Silicon carbide inverter technology is an exciting power semiconductor advancement. It boasts several advantages over conventional silicon devices, including lower power losses up to ten times less and improved thermal performance. McLaren Applied is employing a high-voltage CoolSiC metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), designed specifically to handle high voltage 800-volt systems found in electric

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in

Kiselkarbid (SiC) tål de höga spänningskraven i kraftsystem för elfordon. Wolfspeed erbjuder isoleringslösningar som är speciellt utformade för att stödja SiC-design för traktionskontrollomvandlare. Marknadstillväxt för kiselkarbid Tillväxten inom fordonsindustrin driver marknadstillväxten för kiselkarbid medan dess motståndskraft mot höga temperaturer driver efterfrågan från den eldfasta sektorn. Fordonsindustrin

Kiselkarbid är ett otroligt material med exceptionell hårdhet och hållbarhet som revolutionerar alla hantverksverktyg. Hantverkare kan använda det för att forma, släta ut och jämna till ytor med precision och lätthet - vilket förhöjer deras efterbehandlingsprocess och ger hantverkare tillgång till precisionsfinish. Oavsett vilket material som ska slipas - känsliga faner eller täta

Kiselkarbid används i elektroniska enheter som förstärker, växlar eller omvandlar signaler inom en elektrisk krets. På grund av dess lägre spänningsresistans och temperaturkapacitet kan dessa enheter arbeta vid högre frekvenser med mindre effektförluster. SiC produceras i en elektrisk ugn med hjälp av Acheson-processen och genom att värma kiselsand

MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) av kiselkarbid är viktiga komponenter i kraftelektroniska applikationer med brett bandgap, hög genombrottsspänning och hög strömtäthet. Dessa nätaggregat är särskilt lämpade för hårdswitchande topologier som LLC och ZVS, vilket ger högre systemeffektivitet med mindre komponenter för mer kompakta konstruktioner med lägre systemkostnader och en energieffektiv