Författarnamn: admin88

Silicon carbide (SiC) is an amazing material with remarkable strength and resilience. Able to endure high temperatures, harsh chemicals and corrosion resistance – these characteristics make SiC an unparalleled material. When selecting a silicon carbide tube for your project, several elements need to be taken into account such as temperature, pressure, corrosion-prone environment and size/shape. […]

Strömförsörjningsenheter av kiselkarbid spelar en viktig roll när det gäller att förbättra energieffektiviteten i elfordon tack vare sina utmärkta materialegenskaper. Kiselkarbid i sin rena form fungerar som en isolator, men när den dopas med föroreningar (dopämnen) kan den omvandlas till en elektronisk halvledare. Dopningsmedel för denna användning inkluderar kväve- eller fosfordopning för n-typ

Keramiska produkter av kiselkarbid (SiC) är välkända för sin motståndskraft mot korrosion, nötning och höga temperaturer - egenskaper som också gör dem till långvariga eldfasta material för brännarmunstycken, jet- och flamrör. SiC är ett idealiskt material som behåller sin styrka även vid temperaturer upp till 1600 grader Celsius samtidigt som det har hög värmeledningsförmåga, låg termisk

United Silicon Carbide Inc är en tillverkare av halvledare. Bolaget tillverkar krafthalvledare av kiselkarbid (SiC), såsom FET:ar, JFET:ar och Schottky-dioder, för kunder i hela New Jersey. United Silicon Carbide betjänar också kunder över hela världen genom sin globala verksamhet. Tillväxten på marknaden för kiselkarbid kommer sannolikt att drivas av en ökande efterfrågan på högpresterande krafthalvledare

Kiselkarbiddioder har blivit alltmer populära i en rad olika kretsdesigner på grund av deras högre prestandanivåer och mindre formfaktor än kiselenheter. WeEn's SiC Schottky Barrier Diodes finns i olika paket som sträcker sig från blyade och bultade stilar till ytmonterade SMD-enheter och är föremål för omfattande uthållighetstest för att säkerställa

Hot surface igniter (HSI) är en effektiv ersättning för gasolugnens tändstift genom att låta lågspänningselektricitet passera genom den och värma upp den. När den har värmts upp till driftstemperatur producerar HSI en likriktad likströmssignal för att verifiera att det finns en flamma och bibehålla gasventilens huvudöppningsposition.

Deglar av kiselkarbid är idealiska för smältning och gjutning av metaller, t.ex. smältning av guld, silver och platina. Deras hållbarhet motstår höga temperaturer vilket gör dem lämpliga för guldsmältning. De är lämpliga för medelstarkt kolstål, sällsynta metallegeringar och andra icke-järnmetaller, och är dessutom motståndskraftiga mot slitage, korrosion och värme.

Kiselkarbid är ett av de hårdaste kända ämnena och används som syntetiskt slipmedel och finns naturligt som moissanit i meteoriter; det kan också utvinnas. SiC:s breda bandgap gör det möjligt att minimera kopplingsförluster samtidigt som det stöder högre frekvenser, vilket gör det idealiskt för användning i halvledarenheter för högspänningseffekt, t.ex. växelriktare i elektriska

Greppets struktur kan spela en avgörande roll för vapenkomforten. Från grepptejp, talongrepp eller greppstippling finns det gott om alternativ som kan förbättra denna aspekt av skjutvapenägande. Detta kit ger förbättrade greppegenskaper på en pistolram. En högpresterande epoxi appliceras, sedan kiselkarbidpulver av din

Kiselkarbid (SiC) har exceptionella egenskaper som gör det mycket eftertraktat i många applikationer, från kraftelektronik i elfordon till halvledarelektronik i allmänhet. SiC:s halvledaregenskaper med brett bandgap ger lägre motstånd vid högre temperaturer för mindre och snabbare kraftomvandlingssystem med högre energieffektivitet. SiC finns naturligt i mycket små mängder i