Ime avtorja: admin88

Polprevodniki iz silicijevega karbida se ponašajo s širšimi energijskimi vrzeli, ki omogočajo učinkovitejši prenos električne energije v primerjavi s silicijevimi polprevodniki, zaradi česar so primerni za uporabo v močnostni elektroniki za električna vozila ter v instrumentih za raziskovanje vesolja. Zaradi tega je silicijev karbid še posebej primeren za uporabo na roverjih in sondah. Podjetje Coherent ustanavlja novo hčerinsko družbo za dobavo 150 mm in […]

Silicijev karbid je inovativen material, ki lahko revolucionarno spremeni industrijske procese. Ta revolucionarna snov je odporna na ekstremne temperature, abrazivna okolja in korozijo, hkrati pa zagotavlja izjemno trdnost in dolgo življenjsko dobo. Cevi iz silicijevega karbida so po trdoti na drugem mestu za diamantom in lahko prenašajo kemikalije brez razgradnje - dve lastnosti, zaradi katerih so popolne

Silicijev karbid revolucionarno spreminja močnostno elektroniko. Počasi nadomešča tradicionalne silicijeve tranzistorje, hkrati pa ponuja znatne izboljšave zmogljivosti. Zaradi fizikalnih in elektronskih lastnosti materiala se lahko zgodi, da inženirji neradi sprejmejo to tehnologijo. Žal jih lahko napačna prepričanja ovirajo pri njeni popolni uvedbi. Silicijev karbid se pojavlja v naravi kot moissanitni dragulji in sintetično

Zaradi trdnosti in togosti površine je silicijev karbid odličen material za izdelavo zrcal v astronomskih teleskopih, poleg tega pa predstavlja ključni del močnostne elektronike v zemeljskih električnih vozilih in vesoljskih sondah. Khan opozarja, da sta DENSO in Mitsubishi Electric dve vodilni sistemski podjetji, ki aktivno nabavljata SiC-čipe tako na ravni substratov kot na ravni epitaxialnih rezin. Kaj

Silicijev karbid je eden najtrših materialov, ki se uporabljajo za izdelavo brusilnih orodij. Odporen je na ekstremne temperature in pritiske, ne da bi se pri tem poškodoval ali da bi se zmanjšala njegova učinkovitost. Ti diski so idealni za brušenje in poliranje trdih površin iz naravnega kamna, saj omogočajo hitro odstranjevanje materiala in hkrati ustvarjajo gladko končno površino. Na voljo v

Silicijev karbid (SiC) je anorganski polprevodniški material z izjemno široko energijsko vrzeljo, ki lahko deluje bodisi kot električni prevodnik bodisi kot izolator, zaradi česar je uporaben v močnostni elektroniki zaradi svoje vrhunske električne prevodnosti v primerjavi s tradicionalnimi silicijevimi polprevodniki. Podjetje EAG Laboratories ima obsežno strokovno znanje na področju izvajanja analitičnih tehnik za celotno maso in prostorsko ločene analize na SiC.

Silicijev karbid (SiC) se je uveljavil kot ključni tehnološki material. Uporablja se v brusilih, tehnični keramiki in ognjevzdržnih materialih ter pri proizvodnji polprevodnikov. SiC se pridobiva z ogrevanjem kremenčevega peska, pomešanega z ogljikom v obliki naftnega koksa, pri visokih temperaturah v ogromnih odprtih pečeh tipa “Acheson”, nato pa se proizvaja v obeh oblikah: Green

Silicijev karbid je brusilni material, ki se pogosto uporablja v brusnih ploščah, brusnih trakovih in peskovalnih sredstvih. Kot anorganska kemična spojina se po trdoti lahko primerja z diamantom in borovim karbidom. Črni silicijev karbid (karborund) je eden najpogosteje uporabljanih brusilnih materialov, ki se odlikuje po trdih in oglatih zrnih, ki omogočajo učinkovito obdelavo

Silicijev karbid (SiC) ima nenavadno kristalno strukturo. Vsebuje štiri atome Si in štiri atome C v urejeni koordinacijski tetraedrični razporeditvi s plastmi, ki so zložene v poltipe in tvorijo primarni koordinacijski tetraeder. Električno je silicijev karbid sposoben prenesti pet- do desetkrat večje napetosti kot silicij. Zaradi tega je odličen material za proizvodnjo električne energije.

Tehnološki napredek je za polprevodniška podjetja dogodek, ki se zgodi enkrat na generacijo, in tisti, ki ga sprejmejo, lahko ustvarijo velikanske dobičke. Podjetje Cree, zdaj Wolfspeed, ima koristi od težnje po silicijevem karbidu za napajalne naprave. Njihove inovacije na področju zasnove in proizvodnje naprav jim omogočajo proizvodnjo manjših čipov z enako močjo na vsaki ploščici - s tem se širijo