Forfatternavn:admin88

Halvledere av silisiumkarbid har bredere båndgap, noe som gjør at de kan overføre elektrisk energi mer effektivt enn tilsvarende silisiumbaserte halvledere. Dette gjør dem egnet for anvendelser som kraftelektronikk i elektriske kjøretøy og instrumenter for romforskning. Dermed er silisiumkarbid spesielt godt egnet for bruk i rovere og sonder. Coherent etablerer et nytt datterselskap for å levere 150 mm og […]

Silisiumkarbid er et innovativt materiale som kan revolusjonere industrielle prosesser. Dette banebrytende materialet tåler ekstreme temperaturer, slitasje og korrosjon, samtidig som det har eksepsjonell styrke og lang levetid. Rør av silisiumkarbid kan skryte av å være det nest hardeste materialet etter diamant, og de kan transportere kjemikalier uten å brytes ned - to egenskaper som gjør dem perfekte

Silisiumkarbid er i ferd med å revolusjonere kraftelektronikken. Det er i ferd med å erstatte tradisjonelle silisiumtransistorer, samtidig som det gir betydelige ytelsesforbedringer. På grunn av materialets fysiske og elektroniske egenskaper kan ingeniører være tilbakeholdne med å ta i bruk denne teknologien. Dessverre kan misoppfatninger hindre dem i å ta den i bruk fullt ut. Silisiumkarbid forekommer naturlig som moissanitt-stein og syntetisk

Silisiumkarbidets harde og stive overflateegenskaper gjør det til et utmerket speilmateriale for astronomiske teleskoper, og det utgjør også en viktig del av kraftelektronikken i elektriske kjøretøy og romsonder. Khan påpeker at DENSO og Mitsubishi Electric er to ledende systemselskaper som aktivt anskaffer SiC-brikker på både substrat- og epiwafernivå. Hva

Silisiumkarbid er et av de hardeste materialene som brukes til å lage slipeverktøy. Det tåler ekstreme temperaturer og trykk uten å bli skadet eller få redusert ytelse. Disse rondellene er ideelle for sliping og polering av harde natursteinsoverflater, og gir rask materialfjerning samtidig som de skaper en elegant overflatefinish. Tilgjengelig i

Silisiumkarbid (SiC) er et uorganisk halvledermateriale med et ekstremt bredt båndgap som vekselvis kan fungere som enten elektrisk leder eller isolator, noe som gjør det nyttig i kraftelektronikk på grunn av den overlegne elektriske ledningsevnen i forhold til tradisjonelle silisiumhalvledere. EAG Laboratories har omfattende ekspertise i å utføre bulk- og romlig oppløste analyseteknikker på SiC

Silisiumkarbid (SiC) har utviklet seg til å bli et viktig teknologisk materiale. Det brukes i slipemidler, teknisk keramikk og ildfaste materialer - samt i halvlederproduksjon. SiC produseres ved å varme opp silikasand blandet med karbon i form av petroleumskoks ved høye temperaturer i store, åpne "Acheson"-ovner, og SiC produseres deretter i både Green

Silisiumkarbid er et slipende materiale som ofte brukes i slipeskiver, slipebånd og blåsemidler. Det er en uorganisk kjemisk forbindelse som konkurrerer med diamant og borkarbid når det gjelder hardhet. Svart silisiumkarbid (karborundum) er et av de mest brukte slipemidlene, med harde og kantete korn som gir effektiv bearbeiding av

Silisiumkarbid (SiC) har en uvanlig krystallstruktur. Det inneholder fire Si- og fire C-atomer i et ordnet koordinasjonstetraederarrangement med lag som er stablet i polytyper som danner det primære koordinasjonstetraederet. Elektrisk sett tåler silisiumkarbid fem-ti ganger høyere spenninger enn silisium. Dette gjør det til et utmerket materialvalg for kraft

Teknologiske fremskritt skjer bare én gang i en generasjon for halvlederbedrifter, og de som tar dem til seg, kan høste enorme fortjenester. Cree, nå Wolfspeed, kan dra nytte av trenden mot kraftkomponenter av silisiumkarbid. Deres innovasjoner innen enhetsdesign og -produksjon gjør at de kan produsere mindre brikker med samme effekt på hver wafer - og dermed utvide