vedomosti

Silicon carbide is a non-oxide ceramic material widely employed for thermal and mechanical applications. These include use in abrasives for its hardness, in refractories and ceramics for their heat-resistance, wear resistant components in pumps and rocket engines and even as wear-resistant parts in pumps and rocket engines. High-performance brake discs for performance cars also contain […]

Karbid kremíka je jedným z najľahších a najtvrdších keramických materiálov, ktorý ľahko odoláva korózii, oderu a opotrebovaniu trením. Okrem toho je vďaka svojim polovodivým vlastnostiam vhodný na vysokonapäťové aplikácie, ako je výkonová elektronika v elektrických vozidlách. Vodivosť SiC možno zvýšiť dopovaním dusíkom alebo fosforom pre polovodiče typu n a hliníkom, bórom alebo

Karbid kremíka je tvrdá a kovalentne viazaná zlúčenina kremíka a uhlíka, ktorá sa často vyrába buď vo forme prášku, alebo pevnej hmoty pre aplikácie vyžadujúce vysokú odolnosť, ako sú brzdy automobilov, spojky a keramické dosky používané v nepriestrelných vestách. Molárna hmotnosť sa vypočítava na základe jej vzorca a prvkov periodickej tabuľky prvkov, aby predstavovala jej relatívnu

Karbid kremíka je mimoriadne húževnatý a odolný neoxidový keramický materiál s mnohými žiaducimi vlastnosťami. Odoláva extrémnemu mechanickému namáhaniu a tlaku bez toho, aby pod tlakom praskal; okrem toho jeho vynikajúce ochranné schopnosti proti korózii chránia komponenty pred agresívnymi kyselinami alebo zásaditými chemikáliami, ktoré by mohli spôsobiť koróziu komponentov. Vďaka polovodičovým vlastnostiam zafíru sú jeho elektronické aplikácie neoceniteľné: jeho

Pri výbere komponentov tyče je dôležité vybrať vysoko kvalitné možnosti. Zvážte vedenie s keramickými krúžkami CRB Elite, Fuji alconite alebo American Tackle Nanolite, pretože tieto prémiové vložky ponúkajú tvrdosť, hladkosť a nižšiu hmotnosť ako možnosti z nehrdzavejúcej ocele. Tieto pokročilé materiály krúžkov znižujú trenie, teplo a poškodenie vlasca, čo vedie k dlhšej vzdialenosti pri nahadzovaní

Schottkyho diódy z karbidu kremíka (SCSD) sú polovodičové zariadenia so širokou pásmovou medzerou, ktoré sa široko využívajú vo výkonovej elektronike. V porovnaní s konvenčnými kremíkovými zariadeniami ponúkajú SCSD vyšší výkon a vyššiu energetickú účinnosť a poskytujú lepšiu celkovú účinnosť premeny energie ako ich kremíkové náprotivky. 650V a 1200V SiC Schottkyho diódy od spoločnosti Galaxy Microelectronics sú ideálne pre aplikácie s tvrdým spínaním, ktoré ponúkajú nižšie priame

Karbid kremíka (SiC) je tvrdý, elektricky vodivý materiál. Vďaka tejto vlastnosti je SiC ideálny na použitie v polovodičových zariadeniach s priamymi aj spätnými prúdmi s vysokou priepustnosťou. S využitím metodológie povrchu odozvy bol vytvorený analytický model, ktorý koreluje rezné sily a drsnosť povrchu pri čelnom frézovaní kompozitov s kovovou matricou z častíc karbidu kremíka pri

Karbidkremíkové mosfety (MOSFET) sú čoraz rozšírenejším komponentom v konštrukciách výkonovej elektroniky. Tieto výkonové polovodiče so širokou pásmovou medzerou majú v porovnaní s kremíkovými zariadeniami mnoho výhod vrátane znížených spínacích strát a zníženého odvodu tepla. Vďaka týmto výnimočným vlastnostiam sú tieto meniče ideálne pre vysokoteplotné aplikácie, ako sú nabíjacie stanice elektrických vozidiel, systémy obnoviteľných zdrojov energie, jednotky UPS a

Spoločnosť Wolfspeed buduje najväčšiu továreň na karbid kremíka na svete na výrobu vysokokvalitných SiC výkonových spínacích a RF polovodičových zariadení. Konštruktéri môžu využiť SiC MOSFETy na zníženie veľkosti systému, nákladov a hustoty výkonu pri súčasnom zvýšení účinnosti a spoľahlivosti. Široká škála produktov Wolfspeed s holou matricou umožňuje návrhy na úrovni systému pre aplikácie vyžadujúce najvyššiu hustotu výkonu. EV

Karbid kremíka (SiC) je inovatívna neoxidová keramika s pozoruhodnými chemickými a fyzikálnymi vlastnosťami. Pri rôznych teplotách vykazuje vlastnosti podobné kovom aj izolantom - táto vlastnosť dáva SiC jeho charakteristickú flexibilitu. Oxid hlinitý môže byť dopovaný buď n-typom dusíkom a fosforom, alebo p-typom hliníkom, bórom a gáliom na ďalšiu modifikáciu