Карбид кремния совершает революцию в силовой электронике
SiC обладает широкой полосой пропускания, что позволяет энергосистемам работать при более высоких температурах, напряжениях и частотах без дополнительных затрат на комплектующие, что приводит к снижению общей стоимости и созданию более эффективных и компактных устройств. До 1929 года, когда был разработан карбид бора, карбид кремния был самым прочным из известных синтетических материалов с твердостью по шкале Мооса 9, [...].
Карбид кремния совершает революцию в силовой электронике Читать дальше »