Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

Аморфный карбид кремния (a-SiC) привлек к себе огромное внимание благодаря своим переменным оптическим и электронным свойствам. Поскольку он отличается жесткостью, низкими показателями теплового расширения и прозрачностью в видимом свете, он является привлекательным материалом для зеркал телескопов. Материаловедение переживает революцию с появлением этого нового материала - a-SiC. Его свойства сочетают в себе прочность и

4H-SiC - это все более популярный политип карбида кремния. Благодаря широкой полосе пропускания и отличным тепловым, электрическим и механическим свойствам он является идеальным материалом для силовой электроники. Мы исследовали упругую деформацию и растрескивание монокристаллического образца столба 4H-SiC с ориентацией [0001], выполнив четырехкратную деформацию сжатия с нагрузкой и разгрузкой.

Вискеры карбида кремния, монокристаллические частицы микронного размера с выдающимися физическими и химическими свойствами, вызывают большой интерес исследователей благодаря широкому применению во многих областях, включая высокотемпературные конструкционные материалы и инструментальную керамику. Муллитовая керамика - это высокохимически стабильный огнеупорный материал с превосходными механическими и физическими свойствами, такими как высокая твердость и температурная ползучесть.

Технология инверторов на основе карбида кремния - это захватывающее достижение в области силовых полупроводников. Она обладает рядом преимуществ по сравнению с традиционными кремниевыми устройствами, включая снижение потерь мощности до десяти раз и улучшенные тепловые характеристики. Компания McLaren Applied использует высоковольтный полупроводниковый полевой транзистор CoolSiC на основе оксида металла (MOSFET), разработанный специально для работы с высоковольтными 800-вольтовыми системами, используемыми в электрических сетях.

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in

Silicon Carbide (SiC) can withstand the high voltage demands of electric vehicle power systems. Wolfspeed offers isolation solutions designed specifically to support SiC designs for traction control inverters. Silicon Carbide Market Growth Automotive industry growth is driving market growth of silicon carbide while its high temperature resistance drive the demand from the refractory sector. Automotive

Silicon carbide is an incredible material with exceptional hardness and durability that revolutionizes any crafting toolkit. Craftsmen can utilize it to shape, smooth and level surfaces with precision and ease – elevating their finishing process and providing craftspeople with access to precision finishing capabilities. No matter the material being sanded – delicate veneers or dense

Silicon carbide is used in electronic devices that amplify, switch or convert signals within an electrical circuit. Due to its lower voltage resistance and temperature capabilities, these devices are able to operate at higher frequencies with less power losses. SiC is produced through an electric furnace using the Acheson process and by heating silica sand

Silicon Carbide MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) are essential elements in power electronic applications, offering wide bandgap, high breakdown voltage and current density characteristics. These power supplies are particularly suited for hard-switching topologies like LLC and ZVS, providing higher system efficiency with smaller components for more compact designs at reduced system costs and an energy efficient