Silicon carbide semiconductors boast wider bandgaps that enable electrical energy transfer more efficiently than their silicon counterparts, making them suitable for applications like power electronics for electric vehicles and space exploration instruments. This makes silicon carbide particularly suited for use on rovers and probes. Coherent is establishing a new subsidiary to supply 150 mm and […]

Карбид кремния - инновационный материал, способный произвести революцию в промышленных процессах. Это революционное вещество хорошо противостоит экстремальным температурам, абразивным средам и коррозии, обеспечивая при этом исключительную прочность и долговечность. Трубки из карбида кремния по твердости уступают только алмазу и могут переносить химические вещества без разрушения - две особенности, которые делают их идеальными

Карбид кремния совершает революцию в силовой электронике. Он постепенно вытесняет традиционные кремниевые транзисторы, предлагая при этом значительный прирост производительности. Из-за физических и электронных свойств материала инженеры могут столкнуться с нежеланием внедрять эту технологию. К сожалению, ошибочные представления могут удержать их от полного принятия этой технологии. Карбид кремния встречается в природе в виде драгоценных камней муассанита и синтетически

Твердые и жесткие свойства поверхности карбида кремния делают его отличным материалом для зеркал астрономических телескопов, а также ключевой частью силовой электроники в наземных электромобилях и космических зондах. Хан отмечает, что DENSO и Mitsubishi Electric - две ведущие системные компании, активно закупающие SiC-чипы как на уровне подложек, так и эпиваферов. Что

Карбид кремния - один из самых твердых материалов, используемых для изготовления абразивных инструментов. Он способен выдерживать экстремальные температуры и давление, не повреждаясь и не снижая своих характеристик. Эти диски идеально подходят для шлифовки и полировки твердых поверхностей из натурального камня, обеспечивая быстрое удаление материала и одновременно создавая гладкую поверхность. Доступны в

Карбид кремния (SiC) - это неорганический полупроводниковый материал с чрезвычайно широкой полосой пропускания, который может попеременно выступать в роли то проводника, то изолятора, что делает его полезным в силовой электронике благодаря его более высокой электропроводности по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками. EAG Laboratories обладает обширным опытом в проведении объемных и пространственно разрешенных аналитических методов на SiC

Карбид кремния (SiC) стал одним из важнейших технологических материалов. Его используют для производства абразивных материалов, технической керамики и огнеупоров, а также для изготовления полупроводников. Получаемый путем нагревания кварцевого песка, смешанного с углеродом в виде нефтяного кокса, при высоких температурах в огромных открытых печах "Ачесон", SiC затем производится как в зеленых, так и в

Карбид кремния - это абразивный материал, который обычно используется в шлифовальных кругах, шлифовальных лентах и абразивных материалах. Являясь неорганическим химическим соединением, он конкурирует по твердости с алмазом и карбидом бора. Черный карбид кремния (карборунд) - один из наиболее часто используемых абразивных материалов, отличающийся твердыми и угловатыми зернами, которые обеспечивают эффективную обработку

Карбид кремния (SiC) обладает необычной кристаллической структурой. Он содержит четыре атома Si и четыре атома C в упорядоченном координационном тетраэдрическом расположении со слоями, сложенными в политипы, образующие первичный координационный тетраэдр. С электрической точки зрения карбид кремния способен выдерживать напряжение в пять-десять раз выше, чем кремний. Это делает его отличным материалом для изготовления силовых

Технологические достижения случаются с полупроводниковыми компаниями раз в поколение, и те, кто их принимает, получают огромные прибыли. Компания Cree, ныне Wolfspeed, извлекает выгоду из тенденции перехода на силовые устройства из карбида кремния. Инновации в разработке и производстве устройств позволяют им выпускать более компактные чипы с одинаковой мощностью на каждой пластине - таким образом, расширяя