знания

Карбид кремния (SiC) стал одним из важнейших технологических материалов. Он используется в производстве абразивов, технической керамики и огнеупоров, а также в полупроводниковой промышленности. SiC получают путем нагрева кварцевого песка, смешанного с углеродом в виде нефтяного кокса, при высоких температурах в огромных открытых печах типа “Ачесон”; затем SiC производится как в «зелёном» […]

Карбид кремния - это абразивный материал, который обычно используется в шлифовальных кругах, шлифовальных лентах и абразивных материалах. Являясь неорганическим химическим соединением, он конкурирует по твердости с алмазом и карбидом бора. Черный карбид кремния (карборунд) - один из наиболее часто используемых абразивных материалов, отличающийся твердыми и угловатыми зернами, которые обеспечивают эффективную обработку

Карбид кремния (SiC) обладает необычной кристаллической структурой. Он содержит четыре атома Si и четыре атома C в упорядоченном координационном тетраэдрическом расположении со слоями, сложенными в политипы, образующие первичный координационный тетраэдр. С электрической точки зрения карбид кремния способен выдерживать напряжение в пять-десять раз выше, чем кремний. Это делает его отличным материалом для изготовления силовых

Технологические достижения случаются с полупроводниковыми компаниями раз в поколение, и те, кто их принимает, получают огромные прибыли. Компания Cree, ныне Wolfspeed, извлекает выгоду из тенденции перехода на силовые устройства из карбида кремния. Инновации в разработке и производстве устройств позволяют им выпускать более компактные чипы с одинаковой мощностью на каждой пластине - таким образом, расширяя

Окамото и др. измерили проводимость карбида кремния при различных температурах и обнаружили, что небольшое количество добавки Si не увеличивает проводимость на два-три порядка, но превышение концентрации 5 моль% приводит к росту проводимости на три порядка. Карбид кремния - полупроводниковый материал, способный

Аморфный карбид кремния (a-SiC) привлек к себе огромное внимание благодаря своим переменным оптическим и электронным свойствам. Поскольку он отличается жесткостью, низкими показателями теплового расширения и прозрачностью в видимом свете, он является привлекательным материалом для зеркал телескопов. Материаловедение переживает революцию с появлением этого нового материала - a-SiC. Его свойства сочетают в себе прочность и

4H-SiC - это все более популярный политип карбида кремния. Благодаря широкой полосе пропускания и отличным тепловым, электрическим и механическим свойствам он является идеальным материалом для силовой электроники. Мы исследовали упругую деформацию и растрескивание монокристаллического образца столба 4H-SiC с ориентацией [0001], выполнив четырехкратную деформацию сжатия с нагрузкой и разгрузкой.

Вискеры карбида кремния, монокристаллические частицы микронного размера с выдающимися физическими и химическими свойствами, вызывают большой интерес исследователей благодаря широкому применению во многих областях, включая высокотемпературные конструкционные материалы и инструментальную керамику. Муллитовая керамика - это высокохимически стабильный огнеупорный материал с превосходными механическими и физическими свойствами, такими как высокая твердость и температурная ползучесть.

Технология инверторов на основе карбида кремния - это захватывающее достижение в области силовых полупроводников. Она обладает рядом преимуществ по сравнению с традиционными кремниевыми устройствами, включая снижение потерь мощности до десяти раз и улучшенные тепловые характеристики. Компания McLaren Applied использует высоковольтный полупроводниковый полевой транзистор CoolSiC на основе оксида металла (MOSFET), разработанный специально для работы с высоковольтными 800-вольтовыми системами, используемыми в электрических сетях.

Карбид кремния, более известный под названием карборунд, представляет собой чрезвычайно твёрдое синтетическое кристаллическое соединение, состоящее из кремния и углерода, которое отличается высокой теплопроводностью, низким коэффициентом расширения, устойчивостью к химическим реакциям и полупроводниковыми свойствами. Моиссанит, его природный аналог, встречается в виде минерала, но его запасы весьма ограничены в