Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

Amorphous silicon carbide (a-SiC) has gained immense attention due to its variable optical and electronic properties. As it features rigidity, low thermal expansion rates, and visible light transparency it makes an attractive material for telescope mirrors. Material science is experiencing a revolution with the introduction of this novel material: a-SiC. With properties combining strength with

4H-SiC is an increasingly popular polytype of silicon carbide. Due to its wide bandgap and excellent thermal, electrical, and mechanical properties, it makes an ideal material for power electronics applications. We investigated the elastic deformation and cracking behavior of a single crystal 4H-SiC pillar specimen with [0001] orientation by performing four times loading-unloading compression strain

Silicon carbide whiskers, single-crystal micron-sized particles with outstanding physical and chemical properties, have garnered significant research interest due to their wide-ranging applications across many fields including high temperature structural materials and tool ceramics. Mullite ceramic is a highly chemically stable refractory material with superior mechanical and physical properties such as high hardness and temperature creep

Silicon carbide inverter technology is an exciting power semiconductor advancement. It boasts several advantages over conventional silicon devices, including lower power losses up to ten times less and improved thermal performance. McLaren Applied is employing a high-voltage CoolSiC metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), designed specifically to handle high voltage 800-volt systems found in electric

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in

Carbura de siliciu (SiC) poate rezista la cerințele de înaltă tensiune ale sistemelor de alimentare a vehiculelor electrice. Wolfspeed oferă soluții de izolare concepute special pentru a susține proiectele SiC pentru invertoarele de control al tracțiunii. Creșterea pieței de carbură de siliciu Creșterea industriei auto stimulează creșterea pieței de carbură de siliciu, în timp ce rezistența sa la temperaturi ridicate determină cererea din partea sectorului refractar. Industria auto

Carbura de siliciu este un material incredibil, cu o duritate și o durabilitate excepționale, care revoluționează orice trusă de scule de artizanat. Artizanii îl pot utiliza pentru a modela, netezi și nivela suprafețele cu precizie și ușurință - ridicând procesul de finisare și oferind artizanilor acces la capacități de finisare de precizie. Indiferent de materialul care este șlefuit - furniruri delicate sau furniruri dense

Carbura de siliciu este utilizată în dispozitivele electronice care amplifică, comută sau convertesc semnale în cadrul unui circuit electric. Datorită rezistenței sale la tensiune mai mici și a capacităților sale de temperatură, aceste dispozitive sunt capabile să funcționeze la frecvențe mai mari cu pierderi de putere mai mici. SiC este produs printr-un cuptor electric folosind procesul Acheson și prin încălzirea nisipului de siliciu

MOSFET-urile din carbură de siliciu (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sunt elemente esențiale în aplicațiile electronice de putere, oferind o bandă interzisă largă, tensiune de rupere ridicată și caracteristici de densitate de curent. Aceste surse de alimentare sunt deosebit de potrivite pentru topologiile de comutare dură, cum ar fi LLC și ZVS, oferind o eficiență mai mare a sistemului cu componente mai mici pentru proiecte mai compacte la costuri de sistem reduse și o eficiență energetică eficientă.