Okamoto et al. mediram a condutividade do carbeto de silício em várias temperaturas e descobriram que pequenas quantidades de aditivo de Si não aumentavam a condutividade em duas a três ordens de grandeza, mas exceder 5 mol% fazia com que os níveis de condutividade aumentassem em até três ordens de grandeza. O carbeto de silício é um material semicondutor, capaz de [...]

O carbeto de silício amorfo (a-SiC) ganhou imensa atenção devido às suas propriedades ópticas e eletrônicas variáveis. Como apresenta rigidez, baixas taxas de expansão térmica e transparência à luz visível, é um material atraente para espelhos de telescópio. A ciência dos materiais está passando por uma revolução com a introdução desse novo material: o a-SiC. Com propriedades que combinam resistência com

O 4H-SiC é um politeto de carbeto de silício cada vez mais popular. Devido ao seu amplo intervalo de banda e excelentes propriedades térmicas, elétricas e mecânicas, ele é um material ideal para aplicações em eletrônica de potência. Investigamos a deformação elástica e o comportamento de rachaduras de um espécime de pilar de cristal único de 4H-SiC com orientação [0001], realizando quatro vezes a tensão de compressão de carga e descarga

Os whiskers de carbeto de silício, partículas monocristalinas de tamanho mícron com propriedades físicas e químicas excepcionais, despertaram grande interesse de pesquisa devido às suas amplas aplicações em muitos campos, incluindo materiais estruturais de alta temperatura e cerâmicas para ferramentas. A cerâmica mulita é um material refratário altamente estável quimicamente, com propriedades mecânicas e físicas superiores, como alta dureza e fluência à temperatura

A tecnologia de inversor de carbeto de silício é um avanço empolgante em semicondutores de energia. Ela apresenta várias vantagens em relação aos dispositivos de silício convencionais, incluindo perdas de energia menores, até dez vezes menores, e melhor desempenho térmico. A McLaren Applied está empregando um transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET) CoolSiC de alta tensão, projetado especificamente para lidar com sistemas de alta tensão de 800 volts encontrados em sistemas elétricos.

O carbeto de silício, mais comumente chamado de carborundum, é um composto cristalino sintético extremamente duro feito de silício e carbono, caracterizado por alta condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão, resistência a reações químicas e capacidade semicondutora. A moissanita, sua contraparte natural, ocorre como um mineral, mas só pode ser encontrada em quantidades muito limitadas em

O carbeto de silício (SiC) pode suportar as demandas de alta tensão dos sistemas de energia de veículos elétricos. A Wolfspeed oferece soluções de isolamento projetadas especificamente para suportar projetos de SiC para inversores de controle de tração. Crescimento do mercado de carbeto de silício O crescimento do setor automotivo está impulsionando o crescimento do mercado de carbeto de silício, enquanto sua resistência a altas temperaturas impulsiona a demanda do setor de refratários. Automotivo

O carbeto de silício é um material incrível com dureza e durabilidade excepcionais que revoluciona qualquer kit de ferramentas de artesanato. Os artesãos podem utilizá-lo para modelar, alisar e nivelar superfícies com precisão e facilidade, elevando o processo de acabamento e proporcionando aos artesãos acesso a recursos de acabamento de precisão. Não importa o material que esteja sendo lixado - folheados delicados ou

O carbeto de silício é usado em dispositivos eletrônicos que amplificam, alternam ou convertem sinais dentro de um circuito elétrico. Devido à sua menor resistência à tensão e às capacidades de temperatura, esses dispositivos são capazes de operar em frequências mais altas com menos perdas de energia. O SiC é produzido em um forno elétrico usando o processo Acheson e aquecendo areia de sílica

Os MOSFETs (transistores de efeito de campo semicondutores de óxido de silício) de carboneto de silício são elementos essenciais em aplicações eletrônicas de potência, oferecendo características de ampla faixa, alta tensão de ruptura e densidade de corrente. Essas fontes de alimentação são particularmente adequadas para topologias de comutação rígida, como LLC e ZVS, proporcionando maior eficiência do sistema com componentes menores para projetos mais compactos com custos de sistema reduzidos e eficiência energética.