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Technology advances are once-in-a-generation events for semiconductor businesses, and those that accept them stand to reap enormous profits. Cree, now Wolfspeed, stands to benefit from the trend towards silicon carbide power devices. Their innovations in device design and production allow them to manufacture smaller chips with equal power ratings on each wafer – thus expanding […]

Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of

O carbeto de silício amorfo (a-SiC) ganhou imensa atenção devido às suas propriedades ópticas e eletrônicas variáveis. Como apresenta rigidez, baixas taxas de expansão térmica e transparência à luz visível, é um material atraente para espelhos de telescópio. A ciência dos materiais está passando por uma revolução com a introdução desse novo material: o a-SiC. Com propriedades que combinam resistência com

O 4H-SiC é um politeto de carbeto de silício cada vez mais popular. Devido ao seu amplo intervalo de banda e excelentes propriedades térmicas, elétricas e mecânicas, ele é um material ideal para aplicações em eletrônica de potência. Investigamos a deformação elástica e o comportamento de rachaduras de um espécime de pilar de cristal único de 4H-SiC com orientação [0001], realizando quatro vezes a tensão de compressão de carga e descarga

Os whiskers de carbeto de silício, partículas monocristalinas de tamanho mícron com propriedades físicas e químicas excepcionais, despertaram grande interesse de pesquisa devido às suas amplas aplicações em muitos campos, incluindo materiais estruturais de alta temperatura e cerâmicas para ferramentas. A cerâmica mulita é um material refratário altamente estável quimicamente, com propriedades mecânicas e físicas superiores, como alta dureza e fluência à temperatura

A tecnologia de inversor de carbeto de silício é um avanço empolgante em semicondutores de energia. Ela apresenta várias vantagens em relação aos dispositivos de silício convencionais, incluindo perdas de energia menores, até dez vezes menores, e melhor desempenho térmico. A McLaren Applied está empregando um transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET) CoolSiC de alta tensão, projetado especificamente para lidar com sistemas de alta tensão de 800 volts encontrados em sistemas elétricos.

O carbeto de silício, mais comumente chamado de carborundum, é um composto cristalino sintético extremamente duro feito de silício e carbono, caracterizado por alta condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão, resistência a reações químicas e capacidade semicondutora. A moissanita, sua contraparte natural, ocorre como um mineral, mas só pode ser encontrada em quantidades muito limitadas em

O carbeto de silício (SiC) pode suportar as demandas de alta tensão dos sistemas de energia de veículos elétricos. A Wolfspeed oferece soluções de isolamento projetadas especificamente para suportar projetos de SiC para inversores de controle de tração. Crescimento do mercado de carbeto de silício O crescimento do setor automotivo está impulsionando o crescimento do mercado de carbeto de silício, enquanto sua resistência a altas temperaturas impulsiona a demanda do setor de refratários. Automotivo

O carbeto de silício é um material incrível com dureza e durabilidade excepcionais que revoluciona qualquer kit de ferramentas de artesanato. Os artesãos podem utilizá-lo para modelar, alisar e nivelar superfícies com precisão e facilidade, elevando o processo de acabamento e proporcionando aos artesãos acesso a recursos de acabamento de precisão. Não importa o material que esteja sendo lixado - folheados delicados ou

O carbeto de silício é usado em dispositivos eletrônicos que amplificam, alternam ou convertem sinais dentro de um circuito elétrico. Devido à sua menor resistência à tensão e às capacidades de temperatura, esses dispositivos são capazes de operar em frequências mais altas com menos perdas de energia. O SiC é produzido em um forno elétrico usando o processo Acheson e aquecendo areia de sílica