Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures […]

Wafle z węglika krzemu są stosowane jako podłoża w urządzeniach energoelektronicznych, takich jak diody i tranzystory MOSFET, oferując doskonałą twardość, stabilność pod wpływem ciepła i napięcia oraz brak reaktywności w odniesieniu do odporności na utlenianie. Dostępne są w średnicach 100 mm i 150 mm. Podłoża te zapewniają również ochronę przed szokiem termicznym spowodowanym nagłymi zmianami temperatury, dzięki niskiemu poziomowi twardości.

Wiązany reakcyjnie węglik krzemu jest niezwykle odpornym materiałem ceramicznym, który oferuje wyjątkową wytrzymałość na uderzenia i zużycie, odporność na szok termiczny i atak chemiczny. Formuły porowatego SiC i cząstek węgla, po infiltracji ciekłym lub gazowym krzemem, stają się samowiążące w wyniku reakcji chemicznej między krzemem i węglem. Krzem reaguje z węglem, tworząc dodatkowy węglik krzemu

Węglik krzemu jest jednym z najtwardszych i najtrwalszych zaawansowanych materiałów ceramicznych. Może utrzymać swoją wytrzymałość w wysokich temperaturach, oferując jednocześnie odporność na kwasy, zasady i stopione sole. SiC CVD, wytwarzany poprzez chemiczne osadzanie z fazy gazowej, jest niezwykle czystą formą o lepszej przewodności cieplnej niż spiekany lub wiązany reakcyjnie SiC. Jest to

Węglik krzemu to wysokowydajny materiał ceramiczny o wyjątkowej twardości, odporności na zużycie i przewodności cieplnej. Jednak jego złożona geometria sprawia, że precyzyjna obróbka jest niezwykle trudna; w celu uzyskania maksymalnej dokładności podczas pracy z nim należy stosować narzędzia diamentowe. Saint-Gobain wykorzystuje wiele metod produkcji, aby wytwarzać najwyższej jakości produkty ze spiekanego węglika krzemu. Stosujemy spiekanie reakcyjne i bezciśnieniowe

Tygle z węglika krzemu są przeznaczone do topienia metali nieżelaznych, takich jak miedź, srebro, złoto i cynk ołowiowy w piecach ziemnych lub elektrycznych. Charakteryzują się one wysoką odpornością na utlenianie, mniejszą ilością zanieczyszczeń i doskonałą przewodnością cieplną. Tygle często ulegają uszkodzeniom w wyniku przegrzania; w takim scenariuszu mogą wystąpić podłużne pęknięcia rozciągające się od dolnej krawędzi do góry, ale

Węglik krzemu (SiC) jest wyjątkowo twardym krystalicznym związkiem krzemu i węgla występującym naturalnie jako moissanit i ma właściwości półprzewodnikowe. Produkowany przemysłowo proszek może być stosowany w operacjach szlifowania i cięcia ściernego. Edward Acheson po raz pierwszy zsyntetyzował syntetyczny moissanit sztucznie w 1891 roku, wykorzystując ciepło elektryczne z elektrowni do połączenia krzemionki z węglem, uzyskując

Meble do pieców obejmują półki, na których umieszcza się wyroby ceramiczne podczas procesu wypalania w piecu. Półki z węglika krzemu wiązanego azotem są doskonałym wyborem ze względu na ich odporność na ścieranie i wytrzymałość fizyczną, zapewniając optymalne warunki do ich umieszczenia w piecu. Półki LO-MASS są 19-krotnie mocniejsze i 50% lżejsze niż konwencjonalne półki kordierytowe, a jednocześnie zapewniają

Ściernice z węglika krzemu są szeroko stosowane do szlifowania i cięcia metalu, dostępne w różnych rozmiarach ziarna, aby sprostać różnym zastosowaniom metalowym i twardości. Twardsze, bardziej kruche materiały wymagają drobniejszego ziarna, podczas gdy te, które wykazują niższą wytrzymałość na rozciąganie, wymagają grubszego ziarna. Materiały ścierne z węglika krzemu o wysokiej twardości są znacznie twardsze niż materiały ścierne z tlenku glinu. Ponadto,

Półprzewodnik z węglika krzemu oferuje kilka zalet, które czynią go atrakcyjną alternatywą dla urządzeń opartych na krzemie, w tym jego zdolność do obsługi wysokich napięć, zwiększenia wydajności cieplnej i zmniejszenia rozmiaru / masy urządzeń energoelektronicznych w pojazdach elektrycznych. SiC występuje naturalnie w klejnotach moissanitowych i złożach kimberlitu, ale większość jest produkowana syntetycznie do użytku w komponentach elektronicznych,