zināšanas

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers […]

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

Amorfs silīcija karbīds (a-SiC) var lepoties ar iespaidīgām mehāniskām un izturības īpašībām, kas varētu radīt revolūciju dažādās rūpniecības nozarēs. Tā robežstiprība pārspēj tādus labi zināmus materiālus kā kevlārs, padarot to piemērotu tādiem lietojumiem kā mikroshēmu sensori un modernas saules baterijas. a-SiC izceļas starp konkurentiem, pateicoties tā izcilajai stiepes izturībai un daudzpusībai, jo to var izgatavot

8. aprīlī uzņēmums Coherent no Saksonburgas, Pensilvānijas štatā, paziņoja, ka Japānas automobiļu piegādātāji DENSO un Mitsubishi Electric ir ieguldījuši $1 miljardu ASV dolāru tā silīcija karbīda biznesā, iegūstot 12,5% nekontrolējošo daļu jaunizveidotajā meitasuzņēmumā, kas darbosies Coherent jauno uzņēmumu un platjoslas elektronikas tehnoloģiju nodaļas izpildvaras viceprezidenta Sohaila Hana vadībā.

Silīcija karbīds (SiC) ir apbrīnojams materiāls ar ievērojamu izturību un elastību. Šīs īpašības padara SiC par nepārspējamu materiālu, kas spēj izturēt augstas temperatūras, skarbas ķīmiskās vielas un koroziju. Izvēloties silīcija karbīda cauruli savam projektam, ir jāņem vērā vairāki elementi, piemēram, temperatūra, spiediens, korozijas apdraudēta vide un izmērs/forma.

Silīcija karbīda barošanas ierīcēm ir būtiska nozīme elektrisko transportlīdzekļu energoefektivitātes uzlabošanā, pateicoties to izcilajām materiālu īpašībām. Silīcija karbīds tīrā veidā darbojas kā izolators, tomēr, ja tas tiek papildināts ar piemaisījumiem (dopantiem), tas var kļūt par elektronisku pusvadītāju. Šim nolūkam var izmantot slāpekļa vai fosfora piedevas, lai iegūtu n-tipa piedevas.

Silīcija karbīda (SiC) keramikas izstrādājumi ir labi pazīstami ar savu izturību pret koroziju, nodilumu un augstām temperatūrām - šīs īpašības padara tos arī par ilgstoši ugunsizturīgiem materiāliem degļu sprauslām, strūklu un liesmu caurulēm. SiC ir ideāls materiāls, kas saglabā savu izturību pat 1600 grādu temperatūrā, vienlaikus piedāvājot augstu siltumvadītspēju, zemu termisko vadītspēju un zemu siltuma līmeni.

United Silicon Carbide Inc. ir pusvadītāju ražotājs. Uzņēmums ražo silīcija karbīda (SiC) jaudas pusvadītājus, piemēram, FET, JFET un Šotkija diodes, klientiem, kas atrodas Ņūdžersijā. United Silicon Carbide apkalpo arī klientus visā pasaulē, veicot darbības visā pasaulē. Silīcija karbīda tirgus izaugsmi, visticamāk, veicinās augošais pieprasījums pēc augstas veiktspējas jaudas elektriskajām ierīcēm.

Silīcija karbīda diodes ir kļuvušas aizvien populārākas dažādos shēmu projektos, jo to veiktspējas līmenis ir augstāks un izmērs mazāks nekā silīcija ierīcēm. WeEn SiC Schottky Barrier diodes ir pieejamas dažādās iepakojumos, sākot no svina un skrūvju tipa līdz SMD ierīcēm, un tām tiek veiktas plašas izturības pārbaudes, lai nodrošinātu, ka tās ir izturīgas.

Karstās virsmas aizdedzinātājs (HSI) kalpo kā efektīvs gāzes krāšņu aizdedzes sveču aizstājējs, ļaujot zemsprieguma elektrībai izplūst caur to un uzsildīt to. Kad HSI ir uzkarsēts līdz darba temperatūrai, tas rada iztaisnotu līdzstrāvas signālu, lai pārliecinātos, ka ir liesma, un uzturētu galveno gāzes vārsta atvērtu pozīciju.