Autoriaus vardas ir pavardė: admin88

This Dremel silicon carbide grinding stone works great on many surfaces and is especially helpful when etching glass. As its aluminum oxide counterpart, it offers tougher bits that work well on harder materials like glass. In addition to working well on such items as stone, ceramics, porcelain and nonferrous metals it comes equipped with a […]

Silicio karbidas (SiC) - tai itin kietas ir sintetiniu būdu pagamintas kristalinis silicio ir anglies junginys, populiariai vadinamas karborundu. Pagal Moso skalę kietumas yra 9 balai, todėl jis panašus į deimantą ir gali būti naudojamas kaip abrazyvas bei ugniai atspariuose gaminiuose, pavyzdžiui, krosnių išklotinėse. Silicis yra dar viena medžiaga, turinti didelį potencialą

Silicio karbidas yra labai naudinga medžiaga, naudojama daugelyje pramonės šakų. Nors natūraliai randama moisanito mineralų telkiniuose, didžioji dalis silicio karbido (SC) gamybos šiuo metu vyksta sintetiniu būdu. Silicio plokštelės, pasižyminčios didele lūžio įtampa ir maža įjungimo varža, yra puikūs puslaidininkinių prietaisų komponentai. Be to, jų atsparumas korozijai užtikrina, kad jie gali atlaikyti aukštą temperatūrą.

Silicio karbidas yra junginys, dažnai naudojamas galios elektronikos prietaisuose. Jis pasižymi įvairiomis savybėmis, kurios gali pagerinti našumą, palyginti su silicio pagrindu pagamintais prietaisais, įskaitant didesnę blokavimo įtampą ir mažesnę savitąją įjungimo varžą. "Littelfuse" šių savybių tyrimai leido sukurti naują technologiją, skirtą AGPU pagrindu veikiančių sistemų efektyvumui didinti. Bendrovė "Littelfuse" sėkmingai atliko išsamius bandymus, naudodama

Silicio karbido rutuliukai sukurti taip, kad būtų atsparūs atšiaurioms aplinkos sąlygoms, ir gali būti naudojami įvairiose srityse, pradedant guoliais ir energetikos sistemomis, baigiant tiksliąja puslaidininkių gamyba. Karborundas natūraliai randamas kaip mineralas moisanitas, tačiau nuo 1893 m. masiškai gaminamas kaip abrazyvinė medžiaga ir žaliava plieno gamyboje. Kietumas Silicio karbidas (SiC)

Silicio karbidas (SiC) dėl didelio lūžio rodiklio, plataus juostinio tarpo, mažo šiluminio plėtimosi koeficiento ir puikių standumo savybių greitai tapo idealia medžiaga monolitiškai integruotiems fotonikos įrenginiams. SiC taip pat yra puiki medžiaga astronominių teleskopų veidrodžiams gaminti. Elipsometriniai rezultatai rodo, kad pralaidumas ir lūžio rodiklis

Silicio karbidas yra pažangi puslaidininkinė medžiaga, galinti laidžiai praleisti elektrą aukštoje temperatūroje, išlikti atspari oksidacijai ir išlaikyti aukštą įtampą, todėl ji puikiai tinka tokioms medžiagoms kaip automobilių stabdžiai ir sankabos bei neperšaunamos liemenės. Dopantai, tokie kaip aliuminis, boras ir galis, gali padėti kontroliuoti elektrinį laidumą.

Silicio karbidas yra puslaidininkinė medžiaga, kurios savybės yra tarpinės tarp metalų ir izoliatorių. Pastarųjų savybės priklauso nuo tokių veiksnių kaip temperatūra ir kristalinėje struktūroje esančios priemaišos, o pirmųjų elektrinės savybės taip pat priklauso nuo šių kintamųjų. Edwardas Goodrichas Achesonas pirmą kartą sukūrė SiC 1891 m., bandydamas pagaminti dirbtinius deimantus, naudodamas elektrinį

Silicon Carbide (SiC) is a durable non-oxide ceramic known for its strength and heat resistance. It can be found in applications that demand high thermal endurance with minimal expansion. SiC’s thermal conductivity rises with temperature up to a certain point; however, due to impurities or structural defects it gradually decreases over time – this phenomenon

Silicio karbido technologija sulaukė didžiulio galios elektronikos gamintojų augimo. Šią tendenciją iš esmės galima paaiškinti didėjančia elektromobilių ir su jais susijusios įkrovimo infrastruktūros paklausa. Dėl neįtikėtino kietumo, stiprumo ir atsparumo korozijai SiC yra puiki medžiaga, kurią galima naudoti įvairiose srityse. Aukštos temperatūros silicio karbidas sulaukė vis daugiau dėmesio