Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of being altered into either an n-type or p-type state by doping with aluminium, boron, gallium, phosphorus or nitrogen ions. Electrical Conductivity Silicon carbide is a semiconductor material, meaning that it lies somewhere between metals (which conduct electricity) and insulators (which resist current). At lower temperatures, silicon carbide behaves more like an insulator by resisting electrical […]

Amorphous silicon carbide (a-SiC) has gained immense attention due to its variable optical and electronic properties. As it features rigidity, low thermal expansion rates, and visible light transparency it makes an attractive material for telescope mirrors. Material science is experiencing a revolution with the introduction of this novel material: a-SiC. With properties combining strength with randomness and precision, its impact may revolutionize microchip technology. Strength Crystalline silicon carbide (c-SiC) is typically much stronger than its amorphous counterpart; however, a new discovery in an amorphous Si-C thin film opens the door for high performance mechanical and optical devices. With an ultimate tensile strength of 10GPa for wafer-scale thin film production amorphous

4H-SiC is an increasingly popular polytype of silicon carbide. Due to its wide bandgap and excellent thermal, electrical, and mechanical properties, it makes an ideal material for power electronics applications. We investigated the elastic deformation and cracking behavior of a single crystal 4H-SiC pillar specimen with [0001] orientation by performing four times loading-unloading compression strain tests with four loading/unloading cycles for compression strain testing. Hardness Silicon carbide (commonly referred to as “carborundum” or the “crown jewel”) is the hardest naturally occurring material on Earth. Comprised of silicon and carbon elements, silicon carbide naturally occurs as moissanite gems in nature; mass production began in 1893 for use as an abrasive and

炭化ケイ素ウィスカーは、卓越した物理的・化学的特性を持つミクロンサイズの単結晶粒子であり、高温構造材料や工具用セラミックスなど、さまざまな分野で幅広く応用されているため、大きな研究関心を集めている。ムライトセラミックは化学的に安定な耐火物であり、高硬度や耐温度クリープ性などの優れた機械的・物理的特性を有していますが、破壊靭性は比較的低いままです。SiC ウィスカーはこの特性を大幅に向上させます。物理的特性 炭化ケイ素ウィスカーは、その構造がダイヤモンドに似ているミクロンサイズの単結晶繊維であり、高強度、高剛性、耐薬品性、温度安定性というユニークな特性を持っているため、セラミック、金属、ポリマーの優れた補強材料となっています。

シリコン・カーバイド・インバータ技術は、パワー半導体の進歩として注目されている。従来のシリコン・デバイスに比べ、電力損失が最大10分の1に低減され、熱性能も改善されるなど、いくつかの利点があります。マクラーレン・アプライド社は、電気自動車のトラクション・インバータに見られる800ボルトの高電圧システムに対応するために特別に設計された高電圧CoolSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を採用しています。電力密度 電力密度とは、インバータが単位体積当たりに発電できる電力量のことで、エネルギー効率を最大化するために高電圧・高周波数で動作する必要がある電気自動車アプリケーションでは重要な考慮事項です。この目的を達成するために、メーカーは出力電力を増加させながら全体のサイズを縮小しなければならない。

炭化ケイ素（一般にカーボランダムと呼ばれる）は、ケイ素と炭素からなる非常に硬い合成結晶性化合物で、高い熱伝導率、低い膨張係数、化学反応への耐性、半導体機能を特徴としている。天然のモアッサナイトは鉱物として存在するが、隕石やキンバーライト鉱床からごく限られた量しか発見できないため、ほとんど合成でしか製造されていない。硬度 炭化ケイ素（SiC）はケイ素と炭素の硬い化合物で、アリゾナ州のキャニオン・ディアブロ隕石クレーターでモアッサナイトという鉱物として自然に産出する。エドワード・アチソンは1893年、工業用研磨剤としてSiCの量産を開始したが、それ以来、SiCの硬度を高めるために、炭化ケイ素の用途は広がっている。

炭化ケイ素(SiC)は電気自動車パワーシステムの高電圧要求に耐えることができます。ウォルフスピードはトラクションコントロールインバータ用SiC設計をサポートするために特別に設計された絶縁ソリューションを提供しています。炭化ケイ素の市場成長 自動車産業の成長が炭化ケイ素の市場成長を牽引する一方、その高温耐性が耐火物セクターの需要を牽引している。自動車分野での炭化ケイ素市場の成長は、電気自動車やハイブリッド車（EV/HYV）に使用されるパワーエレクトロニクスが牽引している。省エネ製品に対する需要や、再生可能エネルギーの導入を奨励する政府の優遇措置が、この市場の成長を後押ししている。炭化ケイ素は、腐食や酸化に対して強い耐性を持つ非常に耐久性のある材料である。

炭化ケイ素は、卓越した硬度と耐久性を持つ驚異的な素材であり、あらゆる工作ツールキットに革命をもたらします。職人はこの研磨材を利用して、表面を正確かつ簡単に整形、平滑化、水平化することができます。繊細な単板や緻密な広葉樹など、サンディングする素材に関係なく、この防水研磨材は常に安定した結果を提供するため、金属加工業界のプロに愛用されています：汎用性 炭化ケイ素サンドペーパーは、その硬度、耐熱性、切削力により、驚異的な能力を持つ多面的なサンドペーパーです。炭化ケイ素の硬度、耐熱性、切削力は、以下のような卓越した職人技を可能にします。

炭化ケイ素は、電気回路内の信号を増幅、スイッチング、変換する電子機器に使用される。耐電圧と温度特性が低いため、これらのデバイスは電力損失が少なく、より高い周波数で動作することができる。SiCは、アチソン・プロセスと呼ばれる電気炉で、珪砂に石油コークスから作られる炭素を混ぜて加熱することで製造される。その結果、純度に応じて緑色または黒色の小さな結晶粒が得られます。特徴 炭化ケイ素は共有結合した薄い灰色の固体物質で、融点が極めて高く、耐食性に優れ、優れた熱伝導性を持つ。

炭化ケイ素MOSFET（金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ）は、ワイドバンドギャップ、高耐圧、高電流密度特性を提供するパワーエレクトロニクス・アプリケーションに不可欠な素子です。これらの電源は、LLCやZVSのようなハード・スイッチング・トポロジーに特に適しており、システム・コストを削減し、よりコンパクトな設計と、より低いミラー容量でエネルギー効率の高い電源を実現するために、より小さな部品でより高いシステム効率を提供します。高電圧ブレークダウン シリコンよりも高いブレークダウン電界を持つ炭化ケイ素は、高周波でスイッチングするインバーター、モーター・ドライブ、太陽光発電インバーターなどの高電圧デバイスに使用できるため、熱暴走故障の原因となる過熱を避けることができます。このため、炭化ケイ素は理想的な材料となっている。