炭化ケイ素の導電性
岡本らは、さまざまな温度で炭化ケイ素の導電率を測定し、少量のSi添加では導電率が2~3桁上昇しないが、5mol%を超えると導電率が最大3桁上昇することを発見した。炭化ケイ素は半導体材料であり、アルミニウム、ホウ素、ガリウム、リンまたは窒素イオンのドーピングによって、n型またはp型のいずれかの状態に変化させることができる。電気伝導性 炭化ケイ素は半導体材料であり、金属(電気を通す)と絶縁体(電流に抵抗する)の中間に位置する。低温では、炭化ケイ素は電気抵抗によって絶縁体のように振る舞います。