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Silicon carbide is a non-oxide ceramic material widely employed for thermal and mechanical applications. These include use in abrasives for its hardness, in refractories and ceramics for their heat-resistance, wear resistant components in pumps and rocket engines and even as wear-resistant parts in pumps and rocket engines. High-performance brake discs for performance cars also contain […]

Il carburo di silicio è uno dei materiali ceramici più leggeri e duri, che resiste facilmente alla corrosione, all'abrasione e all'usura da attrito. Inoltre, le sue proprietà semiconduttive lo rendono adatto ad applicazioni ad alta tensione, come l'elettronica di potenza dei veicoli elettrici. La conducibilità del SiC può essere aumentata mediante drogaggio con azoto o fosforo per i semiconduttori di tipo n e alluminio, boro o

Il carburo di silicio è un composto duro e legato covalentemente di silicio e carbonio che viene spesso prodotto in polvere o in masse solide per applicazioni che richiedono un'elevata resistenza, come i freni delle automobili, le frizioni e le piastre in ceramica utilizzate nei giubbotti antiproiettile. La massa molare è calcolata in base alla sua formula e agli elementi della tavola periodica per rappresentare la sua massa relativa.

Il carburo di silicio è un materiale ceramico non ossidato estremamente resistente e durevole, con molte caratteristiche desiderabili. Può sopportare sollecitazioni meccaniche e pressioni estreme senza incrinarsi sotto pressione; inoltre, le sue eccellenti capacità di protezione dalla corrosione proteggono i componenti dagli acidi aggressivi o dagli alcali chimici che potrebbero corrodere i componenti. Le proprietà semiconduttrici dello zaffiro nelle applicazioni elettroniche lo rendono prezioso: le sue proprietà di

Quando si scelgono i componenti delle canne, è essenziale scegliere opzioni di alta qualità. Prendete in considerazione le guide con anelli in ceramica CRB Elite, Fuji alconite o American Tackle Nanolite, in quanto questi inserti di qualità superiore offrono durezza, scorrevolezza e un peso inferiore rispetto alle opzioni in acciaio inox. Questi materiali avanzati per gli anelli riducono l'attrito, il calore e il danneggiamento della lenza, consentendo una maggiore distanza di lancio.

I diodi Schottky al carburo di silicio (SCSD) sono dispositivi semiconduttori ad ampio intervallo di banda ampiamente utilizzati nell'elettronica di potenza. Offrendo prestazioni più elevate e una maggiore efficienza energetica rispetto ai dispositivi convenzionali al silicio, gli SCSD garantiscono una migliore efficienza complessiva di conversione dell'energia rispetto alle loro controparti al silicio. I diodi Schottky SiC da 650 V e 1200 V di Galaxy Microelectronics sono perfetti per le applicazioni hard-switching, in quanto offrono una minore tensione in avanti.

Il carburo di silicio (SiC) è un materiale duro ed elettricamente conduttivo. Questa proprietà rende il SiC ideale per l'uso in dispositivi semiconduttori con correnti sia in avanti che inverse ad alta produttività. Utilizzando la metodologia della superficie di risposta, è stato costruito un modello analitico che mette in relazione le forze di taglio e la rugosità superficiale per la fresatura di compositi a matrice metallica di particelle di carburo di silicio e alluminio a

I mosfet al carburo di silicio (MOSFET) sono un componente sempre più diffuso nei progetti di elettronica di potenza. Questi semiconduttori di potenza ad ampio band gap vantano numerosi vantaggi rispetto ai dispositivi al silicio, tra cui la riduzione delle perdite di commutazione e la diminuzione della dissipazione di calore. Queste caratteristiche eccezionali rendono questi convertitori ideali per le applicazioni ad alta temperatura, come le stazioni di ricarica dei veicoli elettrici, i sistemi di energia rinnovabile, le unità UPS e i sistemi di controllo della temperatura.

Wolfspeed sta costruendo la più grande fabbrica di materiali in carburo di silicio del mondo per produrre dispositivi semiconduttori SiC di alta qualità per commutazione di potenza e RF. I progettisti possono sfruttare i MOSFET SiC per ridurre le dimensioni, i costi e la densità di potenza dei sistemi, migliorando al contempo l'efficienza e l'affidabilità. L'ampia gamma di prodotti bare die di Wolfspeed consente di realizzare progetti a livello di sistema per applicazioni che richiedono la massima densità di potenza. EV

Il carburo di silicio (SiC) è una ceramica innovativa non ossidata con notevoli proprietà chimiche e fisiche. A temperature diverse mostra proprietà simili sia ai metalli che agli isolanti: questa caratteristica conferisce al SiC la sua flessibilità. L'ossido di alluminio può essere drogato di tipo n con azoto e fosforo o di tipo p con alluminio, boro e gallio per ulteriori modifiche.