Tieto

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers […]

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

Amorphous silicon carbide (a-SiC) boasts impressive mechanical and strength properties that could revolutionize various industries. Its yield strength surpasses that of well-known materials like Kevlar, making it suitable for applications including microchip sensors and advanced solar cells. a-SiC stands out from its competition due to its superior tensile strength and versatility, being capable of fabrication

Coherent of Saxonburg, PA announced on April 8 that Japanese auto suppliers DENSO and Mitsubishi Electric have invested $1 billion into its silicon carbide business, holding a 12.5% non-controlling stake in a newly established subsidiary that will operate the business under Sohail Khan, Executive VP of New Ventures and Wide Bandgap Electronics Technology at Coherent.

Silicon carbide (SiC) is an amazing material with remarkable strength and resilience. Able to endure high temperatures, harsh chemicals and corrosion resistance – these characteristics make SiC an unparalleled material. When selecting a silicon carbide tube for your project, several elements need to be taken into account such as temperature, pressure, corrosion-prone environment and size/shape.

Piikarbidin teholaitteet ovat olennainen osa sähköajoneuvojen energiatehokkuuden parantamista niiden erinomaisten materiaaliominaisuuksien ansiosta. Puhtaassa muodossaan piikarbidi käyttäytyy eristeenä, mutta kun siihen lisätään epäpuhtauksia (dopantteja), se voi muuttua elektroniseksi puolijohteeksi. Tässä käytössä käytettäviä seostusaineita ovat esimerkiksi typpi tai fosfori n-tyypin dopingia varten.

Piikarbidikeraamiset (SiC) tuotteet ovat tunnettuja korroosion- ja kulutuskestävyydestään sekä korkeiden lämpötilojen kestävyydestään, minkä vuoksi ne ovat myös pitkäaikaisia tulenkestäviä materiaaleja polttimien suuttimissa, suihku- ja liekkiputkissa. SiC on ihanteellinen materiaali, joka säilyttää lujuutensa jopa 1600 celsiusasteen lämpötiloissa ja tarjoaa samalla korkean lämmönjohtavuuden, alhaisen lämpö

United Silicon Carbide Inc, on puolijohteiden valmistaja. Yhtiö valmistaa piikarbidista (SiC) valmistettuja tehopuolijohteita, kuten FET:iä, JFET:iä ja Schottky-diodeja, New Jerseyssä sijaitseville asiakkaille. United Silicon Carbide palvelee asiakkaita myös maailmanlaajuisesti maailmanlaajuisen toimintansa kautta. Piikarbidimarkkinoiden kasvua edistää todennäköisesti suorituskykyisten tehoelektroniikkalaitteiden kasvava kysyntä.

Piikarbididiodit ovat tulleet yhä suositummiksi erilaisissa piirisuunnitelmissa, koska niiden suorituskyky on suurempi ja muotokertoimeltaan pienempiä kuin piilaitteiden. WeEnin SiC-schottky-sulkukennodiodeja on saatavana erilaisissa pakkauksissa, jotka vaihtelevat lyijy- ja pulttikiinnitteisistä tyypeistä pinta-asennettaviin SMD-laitteisiin, ja niille tehdään kattavat kestävyystestit, joilla varmistetaan, että

Kuumailmapinnan sytytin (HSI) korvaa tehokkaasti kaasu-uunin sytytystulpan, koska se antaa pienjännitesähkön kulkea sen läpi ja lämmittää sitä. Kun sytytin on lämmennyt käyttölämpötilaansa, se tuottaa tasasuuntautuneen tasasähkösignaalin, jolla varmistetaan liekin olemassaolo ja pidetään kaasuventtiilin pääasento auki.