viden

Silicon carbide is an advanced semiconductor material capable of conducting electricity at high temperatures while remaining resistant to oxidation and handling high voltages, making it the perfect material choice for applications such as car brakes and clutches as well as bulletproof vests. Dopants such as aluminum, boron and gallium can help control the electrical conductivity […]

Siliciumcarbid er et halvledermateriale med egenskaber, der ligger mellem metaller og isolatorer. Sidstnævnte afhænger af faktorer som temperatur og urenheder i krystalstrukturen; hvad angår førstnævnte, afhænger de elektriske egenskaber også af disse variabler. Edward Goodrich Acheson skabte først SiC i 1891, da han forsøgte at producere kunstige diamanter ved hjælp af en elektrisk

Siliciumcarbid (SiC) er en holdbar ikke-oxidkeramik, der er kendt for sin styrke og varmebestandighed. Det kan findes i applikationer, der kræver høj termisk udholdenhed med minimal udvidelse. SiC's varmeledningsevne stiger med temperaturen op til et vist punkt; men på grund af urenheder eller strukturelle defekter falder den gradvist over tid - dette fænomen

Siliciumcarbid-teknologi har oplevet en enorm vækst blandt producenter af effektelektronik. Denne tendens kan i høj grad tilskrives en stigende efterspørgsel efter elektriske køretøjer og tilhørende opladningsinfrastrukturer. SiC er et fremragende materiale til forskellige anvendelser på grund af dets utrolige hårdhed, styrke og korrosionsbestandighed. Højtemperatur-siliciumcarbid har fået øget opmærksomhed

Siliciumcarbid (SiC) er et innovativt nyt materiale til strømforsyninger, som lover at øge systemeffektiviteten og samtidig reducere systemets størrelse, vægt og formfaktor. Det er tre gange mere varmeledende end silicium og har lavere koblingstab, hvilket muliggør højere driftstemperaturer og større spændinger. SiC-moduler kommer i 2-i-1-former, der gør det nemt at konfigurere halvbroer.

Siliciumcarbid (SiC) er et ekstremt hårdt materiale, der er klassificeret som 9 på Mohs' skala - sammenlignelig med diamant. Med lav varmeudvidelseskoefficient og fremragende kemiske og varmebestandige egenskaber samt overlegen styrke og styrkeegenskaber ved høje temperaturer. SiC udviser også enestående slidstyrke. På grund af sin krystallinske struktur producerer grafen polymorfer med

Siliciumcarbid (SiC) er et ekstremt hårdt syntetisk materiale med mange industrielle anvendelsesmuligheder. Som ikke-oxidkeramik har SiC unikke egenskaber, herunder højt smeltepunkt, varmeledningsevne og korrosionsbestandighed - tre egenskaber, der er afgørende for industrielle processer. Sort SiC bruges i slibemidler og som moissanit; en attraktiv syntetisk ædelsten. Grønt SiC, på den anden side

Slibemidler af siliciumcarbid er blandt de hårdeste i konventionel brug og har fremragende kemiske og termiske ledningsevner og lave udvidelseskoefficienter. Desuden er siliciumcarbid både varmebestandigt og slidstærkt. Produktionen involverer højtemperatursmeltning af kvartssand, petroleumskoks, savsmuld og industrisalt i elektriske modstandsovne ved høje temperaturer,

Siliciumcarbid har mange anvendelsesmuligheder inden for højeffektelektronik og kvanteteknologi. Det er ikke kun kendt for sine fremragende elektriske egenskaber, men også for sin høje varmeledningsevne og kemiske stabilitet. Wurtzite-krystalstrukturen har et uregelmæssigt hexagonalt tætpakket arrangement bestående af Si C-dobbeltlag, der stables i en ABCB-sekvens. Silicium med bredt båndgab

Glocks har længe været kritiseret for deres manglende tekstur i grebets overflade. Mange våbenejere har forsøgt at øge gribefladen ved at tilføje talongreb eller stippling, men disse metoder giver kun semi-permanente løsninger, som med tiden vil blive slidt væk. En permanent og ligetil måde at øge friktionen på er ved at behandle grebet med siliciumcarbid.