Forfatternavn:admin88

Silicon carbide is one of the hardest known substances, used as a synthetic abrasive and found naturally as moissanite in meteorites; it can also be mined. SiC’s wide bandgap properties allow it to minimize switching losses while supporting higher frequencies, making it ideal for use in high voltage power semiconductor devices like inverters in electric […]

Grebets tekstur kan spille en afgørende rolle for våbenkomforten. Der er masser af valgmuligheder, der kan forbedre dette aspekt af våbenejerskabet, lige fra grebstape, talongreb eller stiplede greb. Dette sæt giver forbedrede grebsegenskaber på en pistolramme. Der påføres en højtydende epoxy, og derefter anvendes siliciumkarbidpulver efter eget valg.

Siliciumcarbid (SiC) har enestående egenskaber, der gør det meget eftertragtet i mange anvendelser, fra effektelektronik i elektriske køretøjer til halvlederelektronik generelt. SiC's halvlederegenskaber med bredt båndgab giver lavere modstand ved højere temperaturer og dermed mindre og hurtigere effektkonverteringssystemer med større energieffektivitet. SiC findes naturligt i små mængder i

Denne Dremel-slibesten i siliciumkarbid fungerer godt på mange overflader og er især nyttig ved ætsning af glas. Ligesom dens modstykke af aluminiumoxid har den hårdere skær, der fungerer godt på hårdere materialer som glas. Ud over at fungere godt på emner som sten, keramik, porcelæn og ikke-jernholdige metaller er den udstyret med en

Siliciumcarbid (SiC) er en ekstremt hård og syntetisk fremstillet krystallinsk forbindelse af silicium og kulstof, populært kaldet carborundum. Med en Mohs-hårdhedsgrad på 9 svarer det til diamant, og det kan bruges som slibemiddel og i ildfaste produkter som f.eks. ovnforinger. Silicium er et andet materiale med stort potentiale for

Siliciumcarbid er et ekstremt nyttigt materiale med anvendelser i mange industrier. Selvom det findes naturligt som moissanit-mineralaflejringer, foregår det meste af produktionen af siliciumcarbid (SC) i dag syntetisk. Med sin høje brudspænding og lave tændingsmodstand er siliciumskiver fremragende komponenter til halvlederenheder. Desuden sikrer deres korrosionsbestandighed, at de kan modstå høje temperaturer.

Siliciumcarbid er en forbindelse, der ofte bruges i effektelektroniske enheder. Det har forskellige egenskaber, der kan forbedre ydeevnen i forhold til siliciumbaserede enheder, herunder øget blokeringsspændingskapacitet og reduceret specifik on-modstand. Littelfuses forskning i disse egenskaber har resulteret i ny teknologi, der er designet til at øge effektiviteten i AGPU-baserede systemer. Littelfuse har med succes gennemført omfattende forsøg med

Siliciumcarbidkugler er designet til at modstå barske miljøer og findes i mange applikationer lige fra lejer og energisystemer til præcisionsfremstilling af halvledere. Carborundum forekommer naturligt som mineralet moissanit, men er blevet masseproduceret siden 1893 til brug som slibemateriale og råmateriale i stålfremstilling. Hårdhed Siliciumcarbid (SiC)

Siliciumcarbid (SiC) har hurtigt vist sig at være et ideelt materiale til monolitisk integrerede fotonikapplikationer på grund af dets kombination af højt brydningsindeks, bredt båndgab, lav termisk udvidelseskoefficient og fremragende stivhedsegenskaber. SiC er også et fremragende materialevalg til fremstilling af spejle i astronomiske teleskoper. Ellipsometriske resultater illustrerer, at transmittans og brydningsindeks for

Siliciumcarbid er et avanceret halvledermateriale, der er i stand til at lede elektricitet ved høje temperaturer, samtidig med at det er modstandsdygtigt over for oxidation og kan håndtere høje spændinger, hvilket gør det til det perfekte materialevalg til applikationer som bilbremser og koblinger samt skudsikre veste. Dopingsubstanser som aluminium, bor og gallium kan hjælpe med at kontrollere den elektriske ledningsevne.