Silicon carbide (SiC), is an innovative new material for power applications that promises to increase system efficiency while decreasing system size, weight and form factor. Three times more thermally conductive than silicon and with lower switching losses it enables higher operating temperatures and greater voltages. SiC modules come in 2-in-1 forms that make configuring half-bridge […]

Карбід кремнію (SiC) - надзвичайно твердий матеріал, що має твердість 9 одиниць за шкалою Мооса, що можна порівняти з алмазом. Має низький коефіцієнт теплового розширення та видатні властивості хімічної та термостійкості, а також чудову міцність і стійкість до високих температур. SiC також демонструє виняткову стійкість до стирання. Завдяки своїй кристалічній структурі графен утворює поліморфи з такими властивостями

Карбід кремнію (SiC) - це надзвичайно твердий синтетичний матеріал, що має безліч промислових застосувань. Як неоксидна кераміка, SiC має унікальні властивості, включаючи високу температуру плавлення, теплопровідність і корозійну стійкість - три властивості, необхідні для промислових процесів. Чорний діоксид кремнію використовується в абразивних матеріалах і як муассаніт - привабливий синтетичний коштовний камінь. Зелений діоксид кремнію, на

Абразивні матеріали з карбіду кремнію є одними з найтвердіших у звичайному використанні, мають відмінну хімічну і теплову провідність та низький коефіцієнт розширення. Крім того, карбід кремнію має високу термостійкість і зносостійкість. Його отримують шляхом плавлення кварцового піску, нафтового коксу, тирси та технічної солі в електричних печах опору при високих температурах,

Карбід кремнію має багато застосувань у потужній електроніці та квантових технологіях. Він відомий не лише своїми чудовими електричними властивостями, але й високою теплопровідністю та хімічною стабільністю. Кристалічна структура вюрциту має нерегулярну гексагональну щільно упаковану структуру, що складається з подвійних шарів Si C, які розташовані в послідовності ABCB. Широкозонний кремній

Глоки вже давно критикують за відсутність текстури на поверхні рукоятки. Хоча багато власників зброї намагалися збільшити поверхню руків'я, додаючи накладки з кігтями або нанесенням рифлення, ці методи дають лише напівпостійні рішення, які з часом зношуються. Постійний і простий спосіб збільшити тертя - нанесення карбіду кремнію на рукоятку

Карбід кремнію забезпечує стабільні та надійні результати під час чорнового зняття матеріалу або остаточного полірування в деревообробці завдяки стабільним абразивним властивостям, які зводять до мінімуму погіршення якості зерна для стабільно точних результатів. Круги з карбіду кремнію - це економічні та універсальні абразивні інструменти, які допоможуть у виконанні різноманітних завдань - від дерево- та металообробки до ремонту автомобілів.

Пісок з карбіду кремнію спростовує будь-які уявлення про його обмежене застосування, забезпечуючи точність у роботі з різними матеріалами. Від видалення грубих матеріалів до вирівнювання поверхні - карбідкремнієвий пісок підвищує рівень майстерності та призводить до виняткових результатів. Водостійкий шліфувальний папір Mercer 9" x 11" містить високоякісні зерна карбіду кремнію, закріплені смолою на міцному папері з латексною основою для вологого або сухого шліфування

Карбід кремнію (SiC) - це кристалічна сполука кремнію і вуглецю, що використовується з 19-го століття в таких різноманітних сферах, як наждачний папір, шліфувальні круги, ріжучі інструменти і навіть футерування промислових печей. Крім того, кремнезем може слугувати зносостійкими деталями в насосах і ракетних двигунах. SiC може діяти як ізолятор і як напівпровідник залежно від

Карбід кремнію (SiC) - це тверда хімічна сполука, що складається з кремнію і вуглецю, зустрічається в природі у вигляді дорогоцінного каменю муассаніту і масово виробляється для використання в абразивах, металургії та вогнетривах. SiC ідеально підходить для вогнетривкої цегли та інших вогнетривких виробів завдяки своїй стійкості до високих температур і термічних ударів, напівпровідниковій природі та атомній структурі.