Silicon carbide semiconductors boast wider bandgaps that enable electrical energy transfer more efficiently than their silicon counterparts, making them suitable for applications like power electronics for electric vehicles and space exploration instruments. This makes silicon carbide particularly suited for use on rovers and probes. Coherent is establishing a new subsidiary to supply 150 mm and […]

Карбід кремнію - це інноваційний матеріал, здатний революціонізувати промислові процеси. Ця революційна речовина добре протистоїть екстремальним температурам, абразивним середовищам і корозії, пропонуючи при цьому виняткову міцність і довговічність. Труби з карбіду кремнію поступаються лише алмазу за твердістю і можуть транспортувати хімічні речовини без руйнування - дві характеристики, які роблять їх ідеальними

Карбід кремнію робить революцію в силовій електроніці. Він поступово витісняє традиційні кремнієві транзистори, пропонуючи значне підвищення продуктивності. Через фізичні та електронні властивості матеріалу інженери можуть неохоче застосовувати цю технологію. На жаль, хибні уявлення можуть стримувати їх від її повного впровадження. Карбід кремнію зустрічається в природі у вигляді дорогоцінних каменів муассанітів та синтетично

Тверді та жорсткі поверхневі властивості карбіду кремнію роблять його чудовим дзеркальним матеріалом для астрономічних телескопів, а також є ключовою частиною силової електроніки в наземних електромобілях та космічних зондах. Хан зазначає, що DENSO та Mitsubishi Electric є двома провідними системними компаніями, які активно закуповують чіпи SiC як на рівні підкладки, так і на рівні епітаксійних пластин. Що

Карбід кремнію - один із найтвердіших матеріалів для виготовлення абразивних інструментів. Він витримує екстремальні температури та тиск, не пошкоджуючись і не втрачаючи продуктивності. Ці круги ідеально підходять для шліфування й полірування твердих поверхонь із природного каменю, забезпечуючи швидке зняття матеріалу й водночас створюючи гладеньку поверхню. Доступні в таких розмірах

Карбід кремнію (SiC) - це неорганічний напівпровідниковий матеріал з надзвичайно широкою забороненою зоною, який може поперемінно діяти як електропровідник або ізолятор, що робить його корисним в силовій електроніці завдяки його вищій електропровідності порівняно з традиційними кремнієвими напівпровідниками. EAG Laboratories має великий досвід у виконанні об'ємних і просторових методів аналізу SiC

Карбід кремнію (SiC) став важливим технологічним матеріалом. Його використовують для виготовлення абразивів, технічної кераміки та вогнетривів, а також у виробництві напівпровідників. SiC виробляється шляхом нагрівання кварцового піску, змішаного з вуглецем у вигляді нафтового коксу, при високих температурах у величезних відкритих печах "Ачесон", а потім виробляється як у "зеленому", так і в "чорному" способах.

Карбід кремнію - це абразивний матеріал, який зазвичай використовується в шліфувальних кругах, шліфувальних стрічках і абразивних матеріалах. Як неорганічна хімічна сполука він конкурує за твердістю з алмазом і карбідом бору. Чорний карбід кремнію (карборунд) - один із найпоширеніших абразивних матеріалів, що вирізняється твердими та кутастими зернами, які забезпечують ефективну обробку таких матеріалів

Карбід кремнію (SiC) має незвичайну кристалічну структуру. Він містить чотири атоми Si і чотири атоми C в упорядкованому координаційному тетраедричному розташуванні з шарами, складеними в політипи, що утворюють його первинний координаційний тетраедр. З електричної точки зору карбід кремнію здатен витримувати напругу в п'ять-десять разів вищу, ніж кремній. Це робить його чудовим матеріалом для силових

Technology advances are once-in-a-generation events for semiconductor businesses, and those that accept them stand to reap enormous profits. Cree, now Wolfspeed, stands to benefit from the trend towards silicon carbide power devices. Their innovations in device design and production allow them to manufacture smaller chips with equal power ratings on each wafer – thus expanding