Карбід кремнію здійснив революцію в силовій електроніці
SiC має широку заборонену зону, що дозволяє енергетичним системам працювати при вищих температурах, напругах і частотах без додаткових витрат на комплектуючі, що призводить до загального зниження витрат та створення більш ефективних і компактних пристроїв. До 1929 року, коли було розроблено карбід бору, карбід кремнію був найміцнішим із відомих синтетичних матеріалів із твердістю за шкалою Мооса 9, […]
Карбід кремнію здійснив революцію в силовій електроніці Читати далі "