знання

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers […]

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

Аморфний карбід кремнію (a-SiC) має вражаючі механічні та міцнісні властивості, які можуть зробити революцію в різних галузях промисловості. Його межа текучості перевершує межу плинності таких відомих матеріалів, як кевлар, що робить його придатним для застосування в мікрочіпових датчиках і сучасних сонячних батареях. a-SiC виділяється серед конкурентів завдяки своїй чудовій міцності на розрив і універсальності, будучи здатним виготовлятися

Компанія Coherent з Саксонбурга, штат Пенсильванія, оголосила 8 квітня, що японські постачальники автомобілів DENSO і Mitsubishi Electric інвестували $1 мільярд доларів у бізнес з виробництва карбіду кремнію, отримавши 12,5% неконтрольованої частки у новоствореній дочірній компанії, яка буде керувати бізнесом під керівництвом Сохаїла Хана, виконавчого віце-президента з нових підприємств і технологій широкосмугової електроніки в компанії Coherent.

Карбід кремнію (SiC) - це дивовижний матеріал з надзвичайною міцністю та стійкістю. Здатність витримувати високі температури, вплив агресивних хімічних речовин і стійкість до корозії - ці характеристики роблять SiC неперевершеним матеріалом. Вибираючи трубу з карбіду кремнію для вашого проекту, необхідно враховувати кілька факторів, таких як температура, тиск, корозійно-небезпечне середовище і розмір/форма.

Силові пристрої з карбіду кремнію відіграють невід'ємну роль у підвищенні енергоефективності електромобілів завдяки своїм чудовим властивостям матеріалу. У чистому вигляді карбід кремнію поводиться як ізолятор, але при додаванні домішок (допантів) він може перетворюватися на електронний напівпровідник. Допанти для такого використання включають легування азотом або фосфором для n-типу

Керамічні вироби з карбіду кремнію (SiC) добре відомі своєю стійкістю до корозії, стирання і високих температур - якості, які також роблять їх довготривалими вогнетривкими матеріалами для сопел пальників, реактивних і жарових труб. SiC - ідеальний матеріал, що зберігає свою міцність навіть при температурах до 1600 градусів за Цельсієм, маючи при цьому високу теплопровідність, низький коефіцієнт теплового

United Silicon Carbide Inc - виробник напівпровідників. Компанія виробляє силові напівпровідники з карбіду кремнію (SiC), такі як FET, JFET і діоди Шотткі для клієнтів, розташованих по всьому Нью-Джерсі. United Silicon Carbide також обслуговує клієнтів по всьому світу через свої глобальні операції. Зростання ринку карбіду кремнію, ймовірно, буде стимулюватися зростаючим попитом на високопродуктивні джерела живлення

Діоди з карбіду кремнію стають все більш популярними в різних схемотехнічних рішеннях завдяки вищим рівням продуктивності та меншому форм-фактору, ніж кремнієві прилади. Бар'єрні діоди Шотткі SiC від WeEn поставляються в різних корпусах - від свинцевих і болтових до SMD-пристроїв для поверхневого монтажу - і проходять ретельні випробування на витривалість, щоб гарантувати

Запальник з гарячою поверхнею (HSI) слугує ефективною заміною свічок запалювання газової печі, пропускаючи через себе низьковольтну електрику і нагріваючи її. Після нагрівання до робочої температури ГЗП виробляє випрямлений сигнал постійного струму для перевірки наявності полум'я і підтримки основного відкритого положення газового клапана.