Plo\u0161\u010de iz silicijevega karbida se uporabljajo kot podlage v napravah mo\u010dnostne elektronike, kot so diode in MOSFET-i, saj zagotavljajo izjemno trdoto, stabilnost pri vro\u010dini in napetosti ter nereaktivnost glede oksidacijske odpornosti. Na voljo v velikostih s premerom 100 mm in 150 mm.<\/p>\n
Te podlage zagotavljajo tudi za\u0161\u010dito pred toplotnimi \u0161oki zaradi nenadnih temperaturnih sprememb, zaradi nizkega koeficienta toplotnega raztezanja pa so primerne za majhne naprave in namestitev ve\u010d tranzistorjev na en \u010dip.<\/p>\n
Silicijev karbid je izjemno pro\u017een polprevodni\u0161ki material, ki je kot nala\u0161\u010d za uporabo v vseh vrstah mo\u010dnostne elektronike. Zaradi \u0161iroke pasovne vrzeli in visokega prebojnega elektri\u010dnega polja silicijev karbid ob pravilni uporabi omogo\u010da znatno pove\u010danje u\u010dinkovitosti.<\/p>\n
Plo\u0161\u010de iz silicijevega karbida (SiC) so bistvene komponente za u\u010dinkovite naprave mo\u010dnostne elektronike, saj zagotavljajo neprimerljivo vzdr\u017eljivost pri visokih temperaturah in v ekstremnih okoljskih pogojih. Njihova odli\u010dna toplotna prevodnost omogo\u010da tudi odvajanje toplote med delovanjem, zaradi \u010desar je SiC odli\u010den kandidat za zahtevne energetske aplikacije.<\/p>\n
Podlage iz silicijevega karbida imajo \u0161tevilne prednosti pred pogosteje uporabljenimi materiali, kot sta silicij in safir, vklju\u010dno s svojo trdoto. Poleg tega ti nereaktivni substrati pri visoki temperaturi ne reagirajo s kislinami, alkalijami ali staljenimi solmi ter imajo nizke stopnje toplotnega raztezanja in odpornost na toplotne udarce, kar prispeva k njihovi \u017eilavosti.<\/p>\n
Kakovost rezin SiC lahko merimo z dejavniki, kot so kristalna usmerjenost, hrapavost povr\u0161ine, gostota napak in velikost rezin. Natan\u010dno ocenjevanje teh elementov z uporabo naprednih metod karakterizacije, kot sta rentgenska topografija in fotoluminiscen\u010dno kartiranje, proizvajalcem omogo\u010da spremljanje u\u010dinkovitosti ob izpolnjevanju industrijskih standardov.<\/p>\n
Polprevodniki s \u0161irokim razponom so bistvenega pomena za napajanje prihodnjih generacij visoko zmogljivih elektronskih naprav. Zaradi svojih izjemnih lastnosti - vklju\u010dno s \u0161irokimi energijskimi vrzelmi, visokimi prebojnimi elektri\u010dnimi polji in izjemnimi toplotnimi prevodnostmi - so odli\u010dna izbira za mo\u010dnostno elektroniko in radiofrekven\u010dne (RF) aplikacije.<\/p>\n
Pasovna vrzel je energijska pregrada, ki lo\u010duje valen\u010dni in prevodni pas, in ozna\u010duje, ali lahko material oja\u010da ali preklaplja elektronske signale in elektri\u010dno energijo.<\/p>\n
Silicijev karbid je najpogosteje uporabljen polprevodni\u0161ki material s \u0161irokim razponom. Veliko se uporablja v radiofrekven\u010dnih aplikacijah in hitrih tranzistorjih, ki delujejo pri vi\u0161jih napetostih in temperaturah, ter v sistemih za pretvorbo energije, ki so sestavni del obnovljivih virov energije in omre\u017enih infrastrukturnih sistemov.<\/p>\n
\u0160iroka pasovna vrzel SiC tem polprevodnikom omogo\u010da delovanje pri vi\u0161jih napetostih z manj\u0161imi izgubami, kar pomeni, da se pri pove\u010danju hitrosti prenosa in pove\u010danju frekvence komunikacijskih sistemov izgublja manj energije. Zato je SiC ena najbolj obetavnih tehnologij za prihodnjo elektroniko, energetsko u\u010dinkovitost in trajnost.<\/p>\n
Silicijev karbid se pogosto uporablja za izdelavo elektronskih naprav za razli\u010dne namene. Ta material se pona\u0161a z visoko prevodnostjo in odpornostjo na toplotne udarce, zaradi \u010desar je \u0161e posebej primeren za naprave, ki delujejo pri visokih temperaturah ali napetostih.<\/p>\n
Zaradi trajnosti in kemi\u010dne inertnosti je material idealen. Ne reagira s kislinami ali bazami in prenese temperature do 2700 stopinj Celzija, ne da bi se stalil. Poleg tega je zaradi svoje energijske pasovne vrzeli odporen na elektromagnetne motnje in sevanje.<\/p>\n
Plo\u0161\u010de iz silicijevega karbida (SiC) so bistveni elementi naprednih elektronskih naprav. Izdelani so iz monokristalnih ingotov iz visoko \u010distega safirja, germanija ali silicija, ki se nato z natan\u010dnimi \u017eagami razre\u017eejo v rezine za izdelavo - rezine 4H-SiC in 6H-SiC so \u0161e posebej priljubljene zaradi ve\u010dje gibljivosti elektronov in \u0161ir\u0161e pasovne vrzeli - in se uporabljajo v optiki kratkih valovnih dol\u017ein, polprevodnikih za visoke temperature in mo\u010dnostni elektroniki.<\/p>\n
Plo\u0161\u010de iz silicijevega karbida (SiC) so osnova najsodobnej\u0161e polprevodni\u0161ke tehnologije in so bistvenega pomena za obnovljive vire energije, elektri\u010dna vozila in letalske ter vesoljske aplikacije. \u017dal je proizvodnja rezin SiC intenziven in zapleten proces.<\/p>\n
Silicijev karbid se od silicija razlikuje po \u0161ir\u0161i pasovni vrzeli, kar pomeni, da elektroni te\u017eje prehajajo iz valen\u010dnega v prevodni pas in obratno. Ta razlika omogo\u010da, da podlage iz silicijevega karbida prenesejo ve\u010dja elektri\u010dna polja.<\/p>\n
Silicijevi karbidni rezanci imajo nizko odpornost proti ON in so dovolj trdi, da prenesejo tudi najte\u017eja okolja, zato so idealni za visokotemperaturne aplikacije, kot so pretvorniki za elektri\u010dna vozila in industrijska oprema.<\/p>\n
Proizvajalci, ki za proizvodnjo rezin SiC uporabljajo polirno ka\u0161o na kemi\u010dni osnovi in polstene ali s poliuretanom impregnirane polirne blazinice, uporabljajo kemi\u010dne polirne ka\u0161e s polirnimi blazinicami, impregniranimi s poliuretanom, za odstranjevanje po\u0161kodb oksidne plasti na povr\u0161inah substratov in nato po poliranju nanesejo poliuretansko ali silicijevo nitridno za\u0161\u010dito, da dobijo gladko povr\u0161ino substrata in ga za\u0161\u010ditijo pred nadaljnjimi po\u0161kodbami med postopki obdelave. S serijskimi orodji za posamezne rezine lahko izdelajo do deset 150-milimetrskih rezin, vendar omejitve proizvodnih zmogljivosti omejujejo proizvodne zmogljivosti na trgu.<\/p>\n
Plo\u0161\u010de iz silicijevega karbida (SiC) so bistvene za razvoj \u0161tevilnih tehnologij, na katere se danes zana\u0161amo, od energetske elektronike do omre\u017eij 5G. SiC bo spremenil razli\u010dne polprevodni\u0161ke aplikacije.<\/p>\n
SiC je sestavljeni polprevodnik, sestavljen iz atomov silicija in ogljika, ki so povezani v inovativno kristalno strukturo, imenovano tetraedri\u010dna konfiguracija vezi, zaradi \u010desar ima razli\u010dne edinstvene fizikalne lastnosti. Prvi\u010d je bil komercialno proizveden leta 1893 kot industrijski abraziv, od takrat pa se je njegova uporaba raz\u0161irila na \u0161tevilne polprevodni\u0161ke aplikacije, vklju\u010dno s Schottkyjevimi diodami (tako Schottkyjeve diode s prehodno pregrado kot tudi Schottkyjeve diode s prehodno pregrado), stikali in polprevodni\u0161kimi tranzistorji s kovinskimi oksidi.<\/p>\n
V nasprotju s tradicionalnimi silicijevimi plo\u0161\u010dicami je silicijev karbid izjemno odporen proti oksidaciji in kemi\u010dni inertnosti ter ima mo\u010dno mehansko trdnost - je edini polprevodni\u0161ki material, ki lahko prenese vesoljske razmere, kot so ekstremne temperature in stopnje sevanja.<\/p>\n
Vzpostavitev visokokakovostne plo\u0161\u010dice SiC se za\u010dne z ustvarjanjem gladke povr\u0161ine z nizko hrapavostjo. Kemi\u010dno-mehansko poliranje (CMP), zadnji korak v proizvodnji rezin, slu\u017ei za pripravo substrata za epitaksijsko rast, pri \u010demer se oblika rezin \u010dim manj spremeni.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide wafers are used as substrates in power electronic devices such as diodes and MOSFETs, offering superior hardness, stability under heat and voltage and non-reactivity with respect to oxidation resistance. Available in 100mm and 150mm diameter sizes. These substrates also provide protection from thermal shock caused by sudden changes in temperature, with their low […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[64],"tags":[],"class_list":["post-333","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/333","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=333"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/333\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":334,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/333\/revisions\/334"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=333"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=333"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=333"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}