Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

Amorfni silicijev karbid (a-SiC) je zaradi svojih spremenljivih optičnih in elektronskih lastnosti deležen velike pozornosti. Ker ga odlikujejo togost, nizke stopnje toplotnega raztezanja in preglednost v vidni svetlobi, je privlačen material za zrcala teleskopov. Znanost o materialih doživlja revolucijo z uvedbo tega novega materiala: a-SiC. Z lastnostmi, ki združujejo trdnost z

4H-SiC je vse bolj priljubljen politip silicijevega karbida. Zaradi svoje široke pasovne vrzeli ter odličnih toplotnih, električnih in mehanskih lastnosti je idealen material za aplikacije v močnostni elektroniki. Preučevali smo elastično deformacijo in razpokanost monokristalnega vzorca 4H-SiC z usmerjenostjo [0001] s štirikratnim obremenjevanjem in razbremenjevanjem s kompresijsko deformacijo.

Silicijevi karbidni whiskerji, mikronski delci v velikosti enega kristala z izjemnimi fizikalnimi in kemijskimi lastnostmi, so zaradi svoje široke uporabe na številnih področjih, vključno z visokotemperaturnimi strukturnimi materiali in orodno keramiko, vzbudili veliko raziskovalnega zanimanja. Mullitna keramika je zelo kemično stabilen ognjevzdržen material z odličnimi mehanskimi in fizikalnimi lastnostmi, kot sta visoka trdota in temperaturno lezenje.

Tehnologija inverterjev iz silicijevega karbida je zanimiv napredek na področju energetskih polprevodnikov. V primerjavi z običajnimi silicijevimi napravami se ponaša z več prednostmi, med drugim z do desetkrat manjšimi izgubami energije in izboljšanimi toplotnimi lastnostmi. Podjetje McLaren Applied uporablja visokonapetostni polprevodniški polprevodniški tranzistor CoolSiC (MOSFET), ki je zasnovan posebej za visokonapetostne 800-voltne sisteme, ki jih najdemo v električnih

Silicijev karbid, pogosteje imenovan karborundum, je izjemno trda sintetična kristalinična spojina, sestavljena iz silicija in ogljika, za katero so značilni visoka toplotna prevodnost, nizek koeficient raztezanja, odpornost proti kemičnim reakcijam in polprevodniške lastnosti. Moissanit, njegov naravni ekvivalent, se pojavlja kot mineral, vendar ga je mogoče najti le v zelo omejenih količinah v

Silicijev karbid (SiC) lahko prenese visoke napetosti, ki jih zahtevajo napajalni sistemi električnih vozil. Wolfspeed ponuja izolacijske rešitve, ki so posebej zasnovane za podporo SiC-ovim zasnovam za pretvornike za nadzor vleke. Rast trga silicijevega karbida Rast avtomobilske industrije spodbuja rast trga silicijevega karbida, medtem ko njegova odpornost na visoke temperature spodbuja povpraševanje v sektorju ognjevzdržnih materialov. Avtomobilska industrija

Silicijev karbid je neverjeten material z izjemno trdoto in trpežnostjo, ki revolucionarno spremeni vsako orodje za izdelavo. Obrtniki ga lahko uporabijo za natančno in enostavno oblikovanje, glajenje in izravnavanje površin, kar izboljša postopek dodelave in obrtnikom omogoči dostop do natančnih možnosti dodelave. Ne glede na material, ki ga brusite - občutljiv furnir ali gosto

Silicijev karbid se uporablja v elektronskih napravah, ki ojačujejo, preklapljajo ali pretvarjajo signale v električnem vezju. Zaradi manjše napetostne upornosti in temperaturnih sposobnosti lahko te naprave delujejo pri višjih frekvencah z manjšimi izgubami energije. SiC se proizvaja v električni peči po Achesonovem postopku in s segrevanjem kremenčevega peska

MOSFET-i iz silicijevega karbida (kovinsko-oksidno-polprevodniški tranzistorji) so bistveni elementi v aplikacijah močnostne elektronike, saj ponujajo široko pasovno širino, visoko prebojno napetost in tokovno gostoto. Ti napajalniki so še posebej primerni za topologije s trdim preklopom, kot sta LLC in ZVS, in zagotavljajo večjo učinkovitost sistema z manjšimi komponentami za kompaktnejše zasnove ob nižjih sistemskih stroških in energetsko učinkovito