znanje

Silicon carbide is a non-oxide ceramic material widely employed for thermal and mechanical applications. These include use in abrasives for its hardness, in refractories and ceramics for their heat-resistance, wear resistant components in pumps and rocket engines and even as wear-resistant parts in pumps and rocket engines. High-performance brake discs for performance cars also contain […]

Silicijev karbid je eden najlažjih in najtrših keramičnih materialov, ki zlahka kljubuje koroziji, abraziji in obrabi zaradi trenja. Poleg tega je zaradi svojih polprevodniških lastnosti primeren za visokonapetostne aplikacije, kot je močnostna elektronika v električnih vozilih. Prevodnost SiC je mogoče povečati z dopiranjem z dušikom ali fosforjem za polprevodnike tipa n ter aluminijem, borom ali

Silicijev karbid je trda in kovalentno vezana spojina silicija in ogljika, ki se pogosto proizvaja v obliki prahu ali trdne mase za aplikacije, ki zahtevajo visoko vzdržljivost, kot so avtomobilske zavore, sklopke in keramične plošče, ki se uporabljajo v neprebojnih jopičih. Molska masa se izračuna na podlagi njegove formule in elementov periodnega sistema, da se predstavi njegova relativna

Silicijev karbid je izjemno trpežen in vzdržljiv neoksidni keramični material s številnimi zaželenimi lastnostmi. Odporen je na izjemne mehanske obremenitve in pritiske, ne da bi pod pritiskom razpokal; poleg tega njegove odlične protikorozijske lastnosti ščitijo komponente pred agresivnimi kislinami ali alkalijami, ki bi lahko razjedle komponente. Zaradi polprevodniških lastnosti safirja je neprecenljiv za uporabo v elektroniki: njegove

Pri izbiri sestavnih delov palic je treba izbrati visokokakovostne možnosti. Razmislite o vodilih s keramičnimi obročki CRB Elite, Fuji alconite ali American Tackle Nanolite, saj ti vrhunski vložki zagotavljajo trpežnost, gladkost in manjšo težo kot možnosti iz nerjavečega jekla. Ti napredni materiali obročkov zmanjšujejo trenje, toploto in poškodbe ribiške vrvice, kar vodi do daljše razdalje metanja

Silicijevo-karbidne Schottkyjeve diode (SCSD) so polprevodniške naprave s široko pasovno vrzeljo, ki se pogosto uporabljajo v močnostni elektroniki. V primerjavi s konvencionalnimi silicijevimi napravami so SCSD bolj zmogljive in energetsko učinkovite ter zagotavljajo boljši splošni izkoristek pretvorbe energije kot njihovi silicijevi kolegi. 650- in 1200-voltne Schottkyjeve diode SiC podjetja Galaxy Microelectronics so idealne za aplikacije s trdim preklopom, saj ponujajo nižje napetosti naprej

Silicijev karbid (SiC) je trd, električno prevoden material. Zaradi te lastnosti je SiC idealen za uporabo v polprevodniških napravah z velikimi pretoki v smeri naprej in nazaj. Z uporabo metodologije odzivne površine je bil izdelan analitični model, ki povezuje rezalne sile in hrapavost površine pri čelnem rezkanju kompozitov iz kovinske matrice z delci aluminijastega silicijevega karbida pri

MOSFET-i iz silicijevega karbida so vse bolj razširjena komponenta v zasnovah močnostne elektronike. Ti močnostni polprevodniki s široko pasovno vrzeljo imajo v primerjavi s silicijevimi napravami številne prednosti, vključno z manjšimi izgubami pri preklapljanju in manjšim odvajanjem toplote. Zaradi teh izjemnih lastnosti so ti pogoni idealni za visokotemperaturne aplikacije, kot so polnilne postaje za električna vozila, sistemi za obnovljive vire energije, enote UPS in

Wolfspeed gradi največjo tovarno materialov iz silicijevega karbida na svetu za proizvodnjo visokokakovostnih polprevodniških naprav SiC za močnostno preklapljanje in radijske frekvence. Oblikovalci lahko uporabijo MOSFET-e SiC za zmanjšanje velikosti, stroškov in gostote moči sistema ter hkrati izboljšajo učinkovitost in zanesljivost. Široka paleta Wolfspeedovih izdelkov brez ohišja omogoča zasnove na ravni sistema za aplikacije, ki zahtevajo najvišjo gostoto moči. EV

Silicijev karbid (SiC) je inovativna neoksidna keramika z izjemnimi kemičnimi in fizikalnimi lastnostmi. Pri različnih temperaturah ima podobne lastnosti kot kovine in izolatorji - zaradi te lastnosti je SiC značilno prilagodljiv. Aluminijev oksid se lahko dopira z dušikom in fosforjem tipa n ali z aluminijem, borom in galijem tipa p za nadaljnjo modifikacijo.