Carbura de siliciu, denumit\u0103 \u00een mod obi\u0219nuit carborundum \/karb@rndu\/, este un compus cristalin sintetic extrem de dur de siliciu \u0219i carbon, care a fost utilizat de mult timp ca material abraziv \u0219i rezistent la uzur\u0103 \u00een diverse domenii, cum ar fi refractarele \u0219i ceramica, produc\u021bia de piese rezistente la uzur\u0103, produc\u021bia de substraturi pentru diode emi\u021b\u0103toare de lumin\u0103 \u0219i substraturi de semiconductori pentru diode emi\u021b\u0103toare de lumin\u0103 (LED). De la sf\u00e2r\u0219itul secolului al XIX-lea a servit, de asemenea, ca substrat semiconductor \u00een diode emi\u021b\u0103toare de lumin\u0103 (LED).<\/p>\n
Electronica de putere care func\u021bioneaz\u0103 la temperaturi \u0219i tensiuni ridicate se bazeaz\u0103, de asemenea, pe acest material pentru o func\u021bionare fiabil\u0103.<\/p>\n
Carbura de siliciu (SiC), denumit\u0103 \u00een mod obi\u0219nuit carborundum din 1891, a devenit un produs de larg\u0103 r\u0103sp\u00e2ndire de c\u00e2nd a fost descoperit\u0103 \u0219i produs\u0103 \u00een mas\u0103. Folosit \u00een principal \u00een aplica\u021bii care necesit\u0103 o durabilitate extrem\u0103, cum ar fi fr\u00e2nele \u0219i ambreiajele automobilelor, precum \u0219i pl\u0103cile de veste antiglon\u021b care con\u021bin pl\u0103ci ceramice realizate din acest compus, ocup\u0103 locul 9 pe scara Mohs de duritate - al doilea dup\u0103 diamant \u00een r\u00e2ndul substan\u021belor naturale.<\/p>\n
SiC este relativ u\u0219or de prelucrat \u0219i de fabricat, ceea ce \u00eel face o alegere popular\u0103 pentru componentele care vor intra \u00een contact cu temperaturi ridicate, cum ar fi discurile de fr\u00e2n\u0103. Deoarece suprafe\u021bele lor de frecare pot atinge temperaturi care ar putea topi o\u021belul sau ar deteriora alte materiale, multe sisteme de fr\u00e2nare folosesc discuri ventilate cu mai multe g\u0103uri sau fante concepute pentru a elibera gazele generate atunci c\u00e2nd suprafa\u021ba lor de frecare se \u00eenc\u0103lze\u0219te.<\/p>\n
SiC este produs de diver\u0219i produc\u0103tori pentru a fi utilizat \u00een industria abraziv\u0103, metalurgic\u0103 \u0219i refractar\u0103. Edward Acheson a fost pionierul unei metode eficiente de creare a acestui material \u00eenc\u0103 din 1891 - plasarea nisipului de siliciu pur cu carbon de cocs m\u0103cinat \u00eentr-un cuptor \u00eenc\u0103lzit electric \u0219i apoi trecerea unui curent electric prin el provoac\u0103 reac\u021bii chimice care produc mici cristale de SiC care sunt m\u0103cinate sub form\u0103 de pulbere pentru utilizare comercial\u0103.<\/p>\n
Carbura de siliciu (SiC) este un compus cristalin ultradur produs pe cale sintetic\u0103, compus din siliciu \u0219i carbon, a c\u0103rui duritate este dep\u0103\u0219it\u0103 doar de carbura de bor \u0219i de diamant pe scara Mohs. \u00cenc\u0103 de la sf\u00e2r\u0219itul secolului al XIX-lea, a fost utilizat \u00een componente rezistente la uzur\u0103, cum ar fi discurile de rectificat, sculele de t\u0103iere \u0219i h\u00e2rtia abraziv\u0103, datorit\u0103 durit\u0103\u021bii sale \u0219i altor propriet\u0103\u021bi dezirabile. \u00cen plus, poate fi g\u0103sit ca parte a materialelor refractare, a ceramicii sau chiar a substraturilor semiconductoare pentru diode emi\u021b\u0103toare de lumin\u0103 (LED).<\/p>\n
Edward Acheson a produs pentru prima dat\u0103 moissanit \u00een mod artificial \u00een jurul anului 1891, c\u00e2nd a f\u0103cut o descoperire nea\u0219teptat\u0103 a unor mici cristale negre \u00een timpul unui proces de \u00eenc\u0103lzire a unor amestecuri de carbon \u0219i alumin\u0103, ceea ce l-a determinat s\u0103 creeze procesul Acheson \u0219i produc\u021bia comercial\u0103. Omologul s\u0103u natural poate fi g\u0103sit doar \u00een meteori\u021bi sau \u00een anumite materiale refractare.<\/p>\n
SiC este compus din straturi apropiate, unite \u00eentre ele prin leg\u0103turi covalente. Fiecare dintre aceste straturi con\u021bine dou\u0103 tetraedre de coordonare primare, formate din patru atomi de siliciu \u0219i patru atomi de carbon, dispuse \u00een diverse aranjamente pentru a forma diferite polipotipuri de SiC; aceste structuri ofer\u0103 o duritate extrem\u0103 cu propriet\u0103\u021bi fizice individuale care variaz\u0103 considerabil.<\/p>\n
SiC este un material ideal pentru componentele supuse la sarcini extreme \u0219i temperaturi extreme, inclusiv rulmen\u021bi de pompe, supape, injectoare de sablare, aplica\u021bii de etan\u0219are a arborelui la viteze mari, precum \u0219i oglinzi \u00een telescoapele astronomice mari, datorit\u0103 combina\u021biei sale de rezisten\u021b\u0103, rigiditate, conductivitate termic\u0103 \u0219i propriet\u0103\u021bi de dilatare termic\u0103 redus\u0103. Ca urmare a acestor caracteristici, este adesea utilizat \u00een aplica\u021bii inginere\u0219ti care necesit\u0103 componente cu aceste caracteristici, cum ar fi rulmen\u021bi de pompe. supape injectoare de sablare, precum \u0219i etan\u0219area arborilor la viteze mari...<\/p>\n
Carbura de siliciu a cunoscut o cre\u0219tere extraordinar\u0103 a popularit\u0103\u021bii datorit\u0103 cererii crescute de electronice de putere. Combina\u021bia propriet\u0103\u021bilor sale fizice \u0219i electronice \u00eel face ideal pentru a produce c\u00e2mpuri electrice de rupere mai mari, pierderi de comutare mai mici \u0219i o eficien\u021b\u0103 energetic\u0103 mai mare.<\/p>\n
Carbura de siliciu, de\u0219i \u00een mod normal este un izolator, poate fi transformat\u0103 \u00eentr-un semiconductor prin dopaj cu anumite impurit\u0103\u021bi. Atunci c\u00e2nd este dopat\u0103 cu dopan\u021bi de aluminiu, bor, galiu sau azot (semiconductor de tip P), carbura de siliciu se comport\u0103 ca un semiconductor de tip N; atunci c\u00e2nd este dopat\u0103 cu dopan\u021bi de fosfor se comport\u0103 ca un semiconductor de tip N. Agen\u021bii dopan\u021bi afecteaz\u0103 mobilitatea electronilor \u00een ceea ce prive\u0219te structura benzilor - electronii se deplaseaz\u0103 de-a lungul benzilor de conduc\u021bie, \u00een timp ce g\u0103urile parcurg benzile de valen\u021b\u0103.<\/p>\n
SiC este cunoscut pentru c\u0103 are o band\u0103 interzis\u0103 extrem de larg\u0103, ceea ce \u00eei permite s\u0103 ob\u021bin\u0103 c\u00e2mpuri electrice de rupere mult mai mari dec\u00e2t siliciul conven\u021bional. Acest lucru duce la pierderi de comutare reduse \u0219i la o utilizare mai mic\u0103 a componentelor, ceea ce duce la o eficien\u021b\u0103 energetic\u0103 mai mare; un lucru deosebit de valoros \u00een sistemele de conversie a energiei pentru vehicule electrice, care trebuie s\u0103 reziste la tensiuni \u0219i temperaturi mai ridicate.<\/p>\n
Carbura de siliciu poate fi, de asemenea, utilizat\u0103 \u00een materiale compozite, cum ar fi carbura de siliciu armat\u0103 cu fibre de carbon (CFRC), pentru a produce structuri puternice, dar u\u0219oare, care rezist\u0103 la temperaturi \u0219i tensiuni extreme, cum ar fi cele experimentate \u00een timpul fr\u00e2n\u0103rii. \u00cen plus, carbura de siliciu serve\u0219te ca o component\u0103 \u00een armurile antiglon\u021b, cum ar fi armura Chobham, deoarece poate rezista la impacturi de mare vitez\u0103.<\/p>\n
Carbura de siliciu (SiC), denumit\u0103 \u00een mod obi\u0219nuit carborundum, este un material extrem de puternic \u0219i ascu\u021bit, cu cea mai mare rezisten\u021b\u0103 la trac\u021biune dintre toate materialele naturale. Cristalizat \u00een leg\u0103turi covalente str\u00e2ns str\u00e2nse de 4 atomi de siliciu \u0219i 4 atomi de carbon, SiC este foarte rezistent la acizi anorganici, s\u0103ruri \u0219i baze, de\u021bin\u00e2nd \u00een acela\u0219i timp una dintre cele mai mari rezisten\u021be la trac\u021biune disponibile \u00een prezent.<\/p>\n
Moissanitul, care exist\u0103 \u00een mod natural sub form\u0103 de moissanit mineral rar, a fost produs \u00een mas\u0103 sub form\u0103 de pulbere \u00eencep\u00e2nd cu anul 1907 pentru a servi la diverse utiliz\u0103ri, cum ar fi abrazivele pentru ro\u021bi de \u0219lefuit \u0219i aplica\u021bii ceramice dure, cum ar fi fr\u00e2nele \u0219i ambreiajele auto, precum \u0219i pl\u0103ci ceramice pentru veste antiglon\u021b. De asemenea, din 1907, a fost utilizat \u00een aplica\u021bii electronice, cum ar fi diodele emi\u021b\u0103toare de lumin\u0103 (LED) \u0219i detectoarele.<\/p>\n
SiC pur este un izolator electric. Cu toate acestea, prin ad\u0103ugarea de dopan\u021bi, cum ar fi azotul \u0219i fosforul, ca dopan\u021bi (dopan\u021bii sunt utiliza\u021bi pentru a modifica propriet\u0103\u021bile materialelor), dopan\u021bii permit SiC s\u0103 ac\u021bioneze ca un semiconductor \u0219i ajut\u0103 dispozitivele electronice de putere s\u0103 comute eficient \u00eentre st\u0103rile conductoare \u0219i neconductoare pentru a genera sau consuma energie \u00een mod eficient.<\/p>\n
Semiconductorii SiC ofer\u0103 \u00eembun\u0103t\u0103\u021biri semnificative fa\u021b\u0103 de semiconductorii tradi\u021bionali din siliciu \u00een ceea ce prive\u0219te pierderile de tensiune \u0219i de curent, eficien\u021ba termic\u0103 \u0219i reducerea dimensiunii\/ponderalit\u0103\u021bii \u00een compara\u021bie cu omologii lor din siliciu. Ca atare, SiC este ideal pentru utilizarea \u00een invertoarele \u0219i convertoarele DC\/DC care se g\u0103sesc \u00een vehiculele electrice pentru a facilita \u00eenc\u0103rcarea rapid\u0103 \u00een curent continuu, reduc\u00e2nd \u00een acela\u0219i timp dimensiunea\/greutatea prin reducerea dimensiunilor\/greutate a componentelor electronice de putere esen\u021biale. Poate func\u021biona chiar \u0219i la temperaturi\/frecven\u021be mai mari dec\u00e2t semiconductorii obi\u0219nui\u021bi!<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide, commonly referred to as carborundum \/karb@rndu\/, is an extremely hard synthetic crystalline compound of silicon and carbon that has long been utilized for use as an abrasive and wear-resistant material in various fields such as refractories and ceramics, wear resistant parts production, light emitting diode substrate production and semiconductor substrate substrate for light […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[64],"tags":[],"class_list":["post-260","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/260","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=260"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/260\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":261,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/260\/revisions\/261"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=260"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=260"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=260"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}