Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

Amorphous silicon carbide (a-SiC) has gained immense attention due to its variable optical and electronic properties. As it features rigidity, low thermal expansion rates, and visible light transparency it makes an attractive material for telescope mirrors. Material science is experiencing a revolution with the introduction of this novel material: a-SiC. With properties combining strength with

4H-SiC is an increasingly popular polytype of silicon carbide. Due to its wide bandgap and excellent thermal, electrical, and mechanical properties, it makes an ideal material for power electronics applications. We investigated the elastic deformation and cracking behavior of a single crystal 4H-SiC pillar specimen with [0001] orientation by performing four times loading-unloading compression strain

Silicon carbide whiskers, single-crystal micron-sized particles with outstanding physical and chemical properties, have garnered significant research interest due to their wide-ranging applications across many fields including high temperature structural materials and tool ceramics. Mullite ceramic is a highly chemically stable refractory material with superior mechanical and physical properties such as high hardness and temperature creep

Technologia inwerterów z węglika krzemu jest ekscytującym osiągnięciem w dziedzinie półprzewodników mocy. Ma ona kilka zalet w porównaniu z konwencjonalnymi urządzeniami krzemowymi, w tym nawet dziesięciokrotnie niższe straty mocy i lepszą wydajność termiczną. McLaren Applied wykorzystuje wysokonapięciowy tranzystor polowy CoolSiC (MOSFET), zaprojektowany specjalnie do obsługi systemów wysokiego napięcia 800 V, występujących w systemach elektrycznych.

Węglik krzemu, częściej określany jako karborund, to niezwykle twardy syntetyczny związek krystaliczny składający się z krzemu i węgla, charakteryzujący się wysoką przewodnością cieplną, niskim współczynnikiem rozszerzalności, odpornością na reakcje chemiczne i zdolnościami półprzewodnikowymi. Moissanit, jego naturalny odpowiednik, występuje jako minerał, ale można go znaleźć tylko w bardzo ograniczonych ilościach w

Węglik krzemu (SiC) może wytrzymać wysokie wymagania napięciowe systemów zasilania pojazdów elektrycznych. Wolfspeed oferuje rozwiązania izolacyjne zaprojektowane specjalnie do wspierania projektów SiC dla falowników kontroli trakcji. Wzrost rynku węglika krzemu Rozwój przemysłu motoryzacyjnego napędza wzrost rynku węglika krzemu, podczas gdy jego odporność na wysokie temperatury napędza popyt w sektorze materiałów ogniotrwałych. Motoryzacja

Węglik krzemu to niesamowity materiał o wyjątkowej twardości i trwałości, który rewolucjonizuje każdy zestaw narzędzi rzemieślniczych. Rzemieślnicy mogą wykorzystać go do kształtowania, wygładzania i wyrównywania powierzchni z precyzją i łatwością - podnosząc poziom procesu wykańczania i zapewniając rzemieślnikom dostęp do możliwości precyzyjnego wykańczania. Niezależnie od szlifowanego materiału - delikatnych fornirów lub gęstych

Węglik krzemu jest stosowany w urządzeniach elektronicznych, które wzmacniają, przełączają lub konwertują sygnały w obwodzie elektrycznym. Ze względu na niższą rezystancję napięciową i temperaturową, urządzenia te mogą pracować przy wyższych częstotliwościach z mniejszymi stratami mocy. SiC jest wytwarzany w piecu elektrycznym przy użyciu procesu Achesona i przez ogrzewanie piasku krzemionkowego

Tranzystory MOSFET z węglika krzemu (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) są niezbędnymi elementami w zastosowaniach energoelektronicznych, oferując szerokie pasmo przenoszenia, wysokie napięcie przebicia i charakterystykę gęstości prądu. Zasilacze te są szczególnie odpowiednie dla topologii z twardym przełączaniem, takich jak LLC i ZVS, zapewniając wyższą wydajność systemu przy mniejszych komponentach, co zapewnia bardziej kompaktowe konstrukcje przy niższych kosztach systemu i energooszczędności.