When selecting rod components, it’s essential to select high quality options. Consider guides with CRB Elite, Fuji alconite or American Tackle Nanolite ceramic rings as these premium inserts offer hardiness, smoothness and lighter weight than stainless steel options. These advanced ring materials reduce friction, heat and damage to fishing line, leading to longer casting distance […]

Diody Schottky'ego z węglika krzemu (SCSD) to szerokopasmowe urządzenia półprzewodnikowe szeroko stosowane w energoelektronice. Oferując wyższą wydajność i większą efektywność energetyczną w porównaniu do konwencjonalnych urządzeń krzemowych, diody SCSD zapewniają lepszą ogólną wydajność konwersji mocy niż ich krzemowe odpowiedniki. Diody SiC Schottky'ego 650 V i 1200 V firmy Galaxy Microelectronics są idealne do zastosowań z twardym przełączaniem, oferując niższe napięcie przewodzenia.

Węglik krzemu (SiC) jest twardym materiałem przewodzącym prąd elektryczny. Właściwość ta sprawia, że SiC jest idealny do stosowania w urządzeniach półprzewodnikowych z prądami przewodzenia i wstecznymi o wysokiej przepustowości. Wykorzystując metodologię powierzchni odpowiedzi, skonstruowano model analityczny, który koreluje siły skrawania i chropowatość powierzchni podczas frezowania końcowego kompozytów o osnowie metalicznej z cząstkami węglika krzemu w aluminium przy

Mosfety z węglika krzemu (MOSFET) są coraz bardziej rozpowszechnionym komponentem w projektach energoelektronicznych. Te półprzewodniki mocy o szerokim paśmie przenoszenia mają wiele zalet w porównaniu z urządzeniami krzemowymi, w tym mniejsze straty przełączania i mniejsze rozpraszanie ciepła. Te wyjątkowe cechy sprawiają, że napędy te są idealne do zastosowań wysokotemperaturowych, takich jak stacje ładowania pojazdów elektrycznych, systemy energii odnawialnej, zasilacze UPS i inne.

Wolfspeed buduje największą na świecie fabrykę materiałów z węglika krzemu do produkcji wysokiej jakości półprzewodników SiC do przełączania mocy i RF. Projektanci mogą wykorzystać tranzystory SiC MOSFET do zmniejszenia rozmiaru systemu, kosztów i gęstości mocy przy jednoczesnej poprawie wydajności i niezawodności. Szeroka gama produktów Wolfspeed typu bare die umożliwia projektowanie na poziomie systemu dla aplikacji wymagających najwyższej gęstości mocy. EV

Silicon carbide (SiC) is an innovative non-oxide ceramic with remarkable chemical and physical properties. At different temperatures it displays properties similar to both metals and insulators – this feature gives SiC its characteristic flexibility. Aluminium oxide can be doped either n-type with nitrogen and phosphorus or p-type with aluminium, boron, and gallium for further modification

Silicon carbide, more commonly referred to as Carborundum, is an exceptional hard ceramic material with excellent strength and wear resistance. Furthermore, its chemical inertness allows for high thermal conductivity with a low coefficient of thermal expansion while it has excellent resistance to oxidation and degradation under high temperatures. Contrary to conventionally crystalline materials, a-SiC’s disordered

Silicon carbide is an extremely hard and sharp material used to craft various types of abrasive tools. Sanding discs made from this material provide quick removal of debris for smooth results. These discs feature either paper or cloth backing and use a resin bond to hold their grains securely in place. Available in various grit

Silicon carbide (commonly referred to as carborundum) is an industrial material with multiple uses. Composed of hexagonal Wurtzite crystal structure, silicon carbide has various uses in industry; while beta variants with zinc blende structures offer less commercial potential. Laboratory extinction spectra for grains made of a-SiC closely match those seen from astronomy observations. Measurement and

Węglik krzemu (SiC) to jeden z najtwardszych materiałów, ustępujący jedynie diamentowi. Ze względu na wyjątkową wytrzymałość i odporność na zużycie, SiC jest idealnym kandydatem do zastosowań takich jak materiały ścierne i ogniotrwałe. SiC występuje zarówno naturalnie w minerałach moissanitu, jak i jest wytwarzany syntetycznie przez firmy takie jak Blasch ULTRON. SiC oferuje