wiedza

Silicon carbide is a non-oxide ceramic material widely employed for thermal and mechanical applications. These include use in abrasives for its hardness, in refractories and ceramics for their heat-resistance, wear resistant components in pumps and rocket engines and even as wear-resistant parts in pumps and rocket engines. High-performance brake discs for performance cars also contain […]

Węglik krzemu jest jednym z najlżejszych i najtwardszych materiałów ceramicznych, odpornym na korozję, ścieranie i zużycie cierne. Dodatkowo, jego właściwości półprzewodnikowe sprawiają, że nadaje się do zastosowań wysokonapięciowych, takich jak elektronika mocy w pojazdach elektrycznych. Przewodność SiC można zwiększyć poprzez domieszkowanie azotem lub fosforem w przypadku półprzewodników typu n oraz aluminium, borem lub węglem.

Węglik krzemu jest twardym i kowalencyjnie związanym związkiem krzemu i węgla, który jest często wytwarzany w postaci proszku lub stałych mas do zastosowań wymagających wysokiej wytrzymałości, takich jak hamulce samochodowe, sprzęgła i płytki ceramiczne stosowane w kamizelkach kuloodpornych. Masa molowa jest obliczana na podstawie jego wzoru i elementów układu okresowego, aby przedstawić jego względną masę molową.

Węglik krzemu jest niezwykle wytrzymałym i trwałym nietlenkowym materiałem ceramicznym o wielu pożądanych właściwościach. Może wytrzymać ekstremalne naprężenia mechaniczne i ciśnienie bez pękania pod naciskiem; dodatkowo jego doskonałe właściwości antykorozyjne chronią komponenty przed agresywnymi kwasami lub alkaliami, które mogą powodować korozję komponentów. Elektroniczne zastosowania półprzewodnikowych właściwości szafiru sprawiają, że jest on nieoceniony: jego

Wybierając komponenty wędki, należy wybierać opcje wysokiej jakości. Rozważ przelotki z ceramicznymi pierścieniami CRB Elite, Fuji alconite lub American Tackle Nanolite, ponieważ te wysokiej jakości wkładki oferują twardość, gładkość i mniejszą wagę niż opcje ze stali nierdzewnej. Te zaawansowane materiały pierścieniowe zmniejszają tarcie, ciepło i uszkodzenia żyłki, co prowadzi do wydłużenia odległości rzutu

Diody Schottky'ego z węglika krzemu (SCSD) to szerokopasmowe urządzenia półprzewodnikowe szeroko stosowane w energoelektronice. Oferując wyższą wydajność i większą efektywność energetyczną w porównaniu do konwencjonalnych urządzeń krzemowych, diody SCSD zapewniają lepszą ogólną wydajność konwersji mocy niż ich krzemowe odpowiedniki. Diody SiC Schottky'ego 650 V i 1200 V firmy Galaxy Microelectronics są idealne do zastosowań z twardym przełączaniem, oferując niższe napięcie przewodzenia.

Węglik krzemu (SiC) jest twardym materiałem przewodzącym prąd elektryczny. Właściwość ta sprawia, że SiC jest idealny do stosowania w urządzeniach półprzewodnikowych z prądami przewodzenia i wstecznymi o wysokiej przepustowości. Wykorzystując metodologię powierzchni odpowiedzi, skonstruowano model analityczny, który koreluje siły skrawania i chropowatość powierzchni podczas frezowania końcowego kompozytów o osnowie metalicznej z cząstkami węglika krzemu w aluminium przy

Mosfety z węglika krzemu (MOSFET) są coraz bardziej rozpowszechnionym komponentem w projektach energoelektronicznych. Te półprzewodniki mocy o szerokim paśmie przenoszenia mają wiele zalet w porównaniu z urządzeniami krzemowymi, w tym mniejsze straty przełączania i mniejsze rozpraszanie ciepła. Te wyjątkowe cechy sprawiają, że napędy te są idealne do zastosowań wysokotemperaturowych, takich jak stacje ładowania pojazdów elektrycznych, systemy energii odnawialnej, zasilacze UPS i inne.

Wolfspeed buduje największą na świecie fabrykę materiałów z węglika krzemu do produkcji wysokiej jakości półprzewodników SiC do przełączania mocy i RF. Projektanci mogą wykorzystać tranzystory SiC MOSFET do zmniejszenia rozmiaru systemu, kosztów i gęstości mocy przy jednoczesnej poprawie wydajności i niezawodności. Szeroka gama produktów Wolfspeed typu bare die umożliwia projektowanie na poziomie systemu dla aplikacji wymagających najwyższej gęstości mocy. EV

Silicon carbide (SiC) is an innovative non-oxide ceramic with remarkable chemical and physical properties. At different temperatures it displays properties similar to both metals and insulators – this feature gives SiC its characteristic flexibility. Aluminium oxide can be doped either n-type with nitrogen and phosphorus or p-type with aluminium, boron, and gallium for further modification