Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures […]

Silisiumkarbidskiver brukes som substrater i kraftelektroniske enheter som dioder og MOSFET-er, og de har overlegen hardhet, stabilitet under varme og spenning og er ikke reaktive med hensyn til oksidasjonsmotstand. Tilgjengelig i størrelsene 100 mm og 150 mm i diameter. Disse substratene gir også beskyttelse mot termisk sjokk forårsaket av plutselige temperaturendringer, med sin lave

Reaksjonsbundet silisiumkarbid er et ultraelastisk keramisk materiale som gir eksepsjonell styrke mot støt og slitasje, motstand mot termisk sjokk og kjemiske angrep. Formuleringer av porøse SiC- og karbonpartikler blir selvbindende når de infiltreres med flytende eller gassformig silisium, på grunn av den kjemiske reaksjonen mellom silisium og karbon. Silisium reagerer med karbon og danner ytterligere silisiumkarbid

Silisiumkarbid er et av de hardeste og mest holdbare avanserte keramiske materialene. Det opprettholder sin styrke ved høye temperaturer, samtidig som det er motstandsdyktig mot syrer, baser og smeltede salter. CVD-SiC, som produseres gjennom kjemisk dampavsetning, er en ekstremt ren form med bedre varmeledningsevne enn sintret eller reaksjonsbundet SiC. Det er en

Silisiumkarbid er en høyytelseskeramikk med eksepsjonell hardhet, slitestyrke og varmeledningsevne. Den komplekse geometrien gjør imidlertid presis maskinering ekstremt utfordrende; diamantverktøy må brukes for å oppnå maksimal nøyaktighet ved bearbeiding. Saint-Gobain benytter flere produksjonsmetoder for å lage sintrede silisiumkarbidprodukter av høyeste kvalitet. Vi benytter oss av reaksjonssintring og trykkløs

Digler av silisiumkarbid er utviklet for smelting av ikke-jernholdige metaller som kobber, sølv, gull og bly-sink i malte ovner eller elektriske ovner. De har blant annet høy oksidasjonsmotstand, mindre forurensning og utmerket varmeledningsevne. Digler blir ofte skadet på grunn av overoppheting; langsgående sprekker som strekker seg fra underkant til topp, kan være et resultat av dette scenariet, men

Silisiumkarbid (SiC) er en eksepsjonelt hard krystallinsk forbindelse av silisium og karbon som finnes naturlig som moissanitt, og som har halvlederegenskaper. Industrielt produsert pulver kan brukes til sliping og skjæring. Edward Acheson fremstilte først syntetisk moissanitt kunstig i 1891 ved å bruke elektrisk varme fra et kraftverk til å kombinere silisiumdioksyd med karbon, noe som ga

Ovnmøbler omfatter hyllene der keramikkgjenstandene står under brenningsprosessen i en ovn. Hyller av nitrogenbundet silisiumkarbid er et utmerket valg på grunn av sin slitestyrke og fysiske styrke, noe som gir optimale forhold for plassering i ovnen. LO-MASS-hyllene er 19 ganger sterkere og 50% lettere enn konvensjonelle kordieritthyller, samtidig som de fortsatt støtter

Slipeskiver i silisiumkarbid er mye brukt til sliping og kutting av metall, og de finnes i ulike kornstørrelser for å dekke ulike bruksområder og hardhetsgrader. Hardere og sprøere materialer krever finere kornstørrelser, mens materialer med lavere strekkfasthet krever grovere kornstørrelser. Slipemidler av silisiumkarbid med høy hardhet er betydelig hardere enn slipemidler av aluminiumoksid. Det er dessuten

Silicon carbide semiconductor offers several advantages that make it an attractive alternative to silicon-based devices, including its ability to handle high voltages, enhance thermal efficiency and decrease size/weight of power electronic devices in electric vehicles. SiC is found naturally in moissanite gems and kimberlite deposits, but most is produced synthetically for use in electronic components,