Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

Amorft silisiumkarbid (a-SiC) har fått enorm oppmerksomhet på grunn av sine varierende optiske og elektroniske egenskaper. Stivhet, lav termisk ekspansjon og gjennomsiktighet i synlig lys gjør det til et attraktivt materiale for teleskopspeil. Materialvitenskapen opplever en revolusjon med introduksjonen av dette nye materialet: a-SiC. Med egenskaper som kombinerer styrke med

4H-SiC er en stadig mer populær polytype av silisiumkarbid. På grunn av det brede båndgapet og de utmerkede termiske, elektriske og mekaniske egenskapene er det et ideelt materiale for kraftelektroniske applikasjoner. Vi undersøkte den elastiske deformasjonen og sprekkdannelsen til en enkeltkrystall 4H-SiC-søyleprøve med [0001]-orientering ved å utføre fire ganger belastning og avlastning av kompresjonsstamme

Silisiumkarbid whiskers, enkeltkrystalliske partikler i mikrometerstørrelse med fremragende fysiske og kjemiske egenskaper, har vakt stor forskningsinteresse på grunn av sine mange bruksområder, blant annet høytemperatur strukturmaterialer og verktøykeramikk. Mullittkeramikk er et svært kjemisk stabilt ildfast materiale med overlegne mekaniske og fysiske egenskaper, som høy hardhet og temperaturkryping.

Silisiumkarbid-omformerteknologi er et spennende fremskritt innen halvlederteknologi. Den har flere fordeler i forhold til konvensjonelle silisiumenheter, blant annet opptil ti ganger lavere effekttap og bedre termisk ytelse. McLaren Applied bruker en høyspennings CoolSiC metalloksidhalvleder-felteffekttransistor (MOSFET), som er utviklet spesielt for å håndtere høyspenningssystemer på 800 volt som finnes i elektriske

Silisiumkarbid, ofte kalt karborundum, er en ekstremt hard syntetisk krystallinsk forbindelse som består av silisium og karbon, og som kjennetegnes av høy varmeledningsevne, lav utvidelseskoeffisient, motstand mot kjemiske reaksjoner og halvledende egenskaper. Moissanitt, det naturlige motstykket, forekommer som mineral, men finnes bare i svært begrensede mengder i

Silisiumkarbid (SiC) tåler de høye spenningskravene som stilles til kraftsystemer for elektriske kjøretøy. Wolfspeed tilbyr isolasjonsløsninger som er spesielt utviklet for å støtte SiC-design for traksjonskontrollomformere. Markedsvekst for silisiumkarbid Veksten i bilindustrien driver markedsveksten for silisiumkarbid, mens den høye temperaturbestandigheten driver etterspørselen fra den ildfaste sektoren. Bilindustrien

Silicon carbide is an incredible material with exceptional hardness and durability that revolutionizes any crafting toolkit. Craftsmen can utilize it to shape, smooth and level surfaces with precision and ease – elevating their finishing process and providing craftspeople with access to precision finishing capabilities. No matter the material being sanded – delicate veneers or dense

Silicon carbide is used in electronic devices that amplify, switch or convert signals within an electrical circuit. Due to its lower voltage resistance and temperature capabilities, these devices are able to operate at higher frequencies with less power losses. SiC is produced through an electric furnace using the Acheson process and by heating silica sand

MOSFET-er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) av silisiumkarbid er viktige elementer i kraftelektroniske applikasjoner, med bredt båndgap, høy gjennomslagsspenning og høy strømtetthet. Disse strømforsyningene er spesielt godt egnet for hard-switching-topologier som LLC og ZVS, noe som gir høyere systemeffektivitet med mindre komponenter for mer kompakte konstruksjoner med reduserte systemkostnader og en energieffektiv