Silicon carbide inverters are electrical power converters which convert direct current (DC) to alternating current (AC). They use silicon carbide field-effect transistors (MOSFETs) to increase efficiency and decrease size. Silicon carbide power electronics for electric vehicles offer several advantages over their counterparts: lower temperatures, faster switching speeds and reduced conduction losses in traction inverters – […]

Silicon carbide is extremely hard, yet still less so than diamond. But it still ranks second as an extremely hard material. Porous carbon-bonded diamond preforms undergo infiltration by infusing silicon through capillary force at temperatures exceeding its melting point, whereupon the carbon binder transforms into graphite. Thermal Conductivity Silicon carbide diamond is an extremely high-temperature

Silicon carbide (SiC) is an exceptionally hard, heat-resistant ceramic that features many desirable characteristics, making it suitable for high performance applications that demand strong materials with heat tolerance. SiC is often chosen over traditional ceramic options for this reason. American Elements offers SiC in numerous grades for military, ACS and reagent use; food grade pharmaceutical

Hot surface ignitors are more reliable and durable devices than spark ignition found in older furnaces, consisting of silicon carbide or silicon nitride elements with ceramic bases which insulate connected wires, as well as voltage being applied through this combination to create the necessary hot surface to light gas. Replacement Ignitor Before hot surface igniters

Silicon carbide heating elements are durable heating elements ideal for use in furnaces. Able to withstand high temperatures and loads, they make an ideal choice in industrial processes. Silicon carbide heating elements come with unique features designed to meet specific industrial needs, from providing uniform heat distribution in large industrial furnaces with the SC Type

Moissanite skiller seg ut fra mengden som en eksepsjonell edelsten, som glitrer med mer ild og glans enn diamanter. Siden den ble oppdaget for over 100 år siden, har den fengslende skjønnheten fortryllet gullsmeder. Henri Moissan fra Frankrike var den første som oppdaget moissanitt i meteoritter og kimberlitter, selv om de fleste moissanitter av smykkekvalitet i dag er laboratoriesmeltet ved hjelp av en avansert

Silisiumkarbid er et stadig mer populært materialvalg for bruk i elektronikkapplikasjoner på grunn av sin hardhet, varmeledningsevne og kjemiske stabilitet. Dessuten gjør isolasjonsegenskapene det velegnet til kretskort og andre komponenter. Silisiumkarbid har et bredere båndgap, noe som gjør det egnet til bruk i halvlederelektronikk som opererer ved høyere frekvenser og

Før det ble tatt i bruk varmflatetennere, brukte gassovner gnisttenning. En liten pilotflamme brant hele året, og gassen strømmet bare når det var nødvendig. Disse tennerne er laget av silisiumkarbid eller silisiumnitrid og har keramiske baser for å isolere ledningstilkoblingene. Driftsspenningsområdet er 80 til 240 V DC. 1. Lang levetid

Båndgapet måler energien som kreves for at elektroner og hull skal bevege seg fra sine respektive valensbånd til ledningsbånd, eller ledningsbånd. Halvledere med bredere båndgap, som galliumnitrid (GaN) eller silisiumkarbid (SiC), har betydelig større båndgap enn standard silisium, noe som gjør disse materialene egnet for høyspennings-/frekvensapplikasjoner. 1. Bredt

I likhet med diamant, grafen og andre eksotiske materialer er amorft silisiumkarbid (a-SiC) et eksepsjonelt sterkt materiale - men i motsetning til sine krystallinske motstykker har det ikke langdistanseorden i atomarrangementet. Dette avviket bidrar til å forklare hvordan dette materialet klarer å oppnå en så bemerkelsesverdig strekkfasthet; professor Norte anslår at opptil 10 mellomstore