kunnskap

Silicon carbide is an advanced semiconductor material capable of conducting electricity at high temperatures while remaining resistant to oxidation and handling high voltages, making it the perfect material choice for applications such as car brakes and clutches as well as bulletproof vests. Dopants such as aluminum, boron and gallium can help control the electrical conductivity […]

Silisiumkarbid er et halvledermateriale med egenskaper som ligger mellom metaller og isolatorer. Sistnevnte avhenger av faktorer som temperatur og urenheter i krystallstrukturen, mens de elektriske egenskapene til førstnevnte også avhenger av disse variablene. Edward Goodrich Acheson skapte SiC for første gang i 1891 da han forsøkte å produsere kunstige diamanter ved hjelp av en elektrisk

Silisiumkarbid (SiC) er en slitesterk ikke-oksidkeramikk som er kjent for sin styrke og varmebestandighet. Det kan brukes i applikasjoner som krever høy termisk utholdenhet med minimal utvidelse. SiCs varmeledningsevne stiger med temperaturen opp til et visst punkt, men på grunn av urenheter eller strukturelle defekter synker den gradvis over tid - dette fenomenet

Silisiumkarbidteknologi har opplevd en enorm vekst blant produsenter av kraftelektronikk. Denne trenden kan i stor grad tilskrives en økende etterspørsel etter elektriske kjøretøy og tilhørende ladeinfrastruktur. SiC er et utmerket materiale å bruke til ulike bruksområder på grunn av sin utrolige hardhet, styrke og korrosjonsbestandighet. Høytemperatur silisiumkarbid har fått økt oppmerksomhet

Silisiumkarbid (SiC) er et innovativt, nytt materiale for kraftapplikasjoner som lover å øke systemeffektiviteten samtidig som systemets størrelse, vekt og formfaktor reduseres. Det er tre ganger mer varmeledende enn silisium og har lavere koblingstap, noe som muliggjør høyere driftstemperaturer og større spenninger. SiC-moduler kommer i 2-i-1-former som gjør det enklere å konfigurere halvbroer

Silisiumkarbid (SiC) er et ekstremt hardt materiale som er klassifisert til 9 på Mohs' skala - sammenlignbart med diamant. Det har lav varmeutvidelseskoeffisient og enestående kjemiske og varmebestandige egenskaper, i tillegg til overlegen styrke og holdbarhet ved høye temperaturer. SiC har også eksepsjonell slitestyrke. På grunn av sin krystallinske struktur produserer grafen polymorfer med

Silisiumkarbid (SiC) er et ekstremt hardt syntetisk materiale med mange industrielle bruksområder. SiC er et ikke-oksidholdig keramisk materiale med unike egenskaper, blant annet høyt smeltepunkt, varmeledningsevne og korrosjonsbestandighet - tre egenskaper som er avgjørende for industrielle prosesser. Svart SiC brukes i slipemidler og som moissanitt, en attraktiv syntetisk edelsten. Grønn SiC, på den annen side

Slipemidler av silisiumkarbid er blant de hardeste som er i konvensjonell bruk, og har utmerket kjemisk og termisk ledningsevne og lav utvidelseskoeffisient. I tillegg har silisiumkarbid gode egenskaper når det gjelder varmebestandighet og slitestyrke. Produksjonen foregår ved smelting av kvartssand, petroleumskoks, sagflis og industrisalt i elektriske motstandsovner ved høye temperaturer,

Silisiumkarbid har mange bruksområder innen høyeffektselektronikk og kvanteteknologi. Ikke bare er det kjent for sine utmerkede elektriske egenskaper, men også for sin høye varmeledningsevne og kjemiske stabilitet. Wurtzite-krystallstrukturen har en uregelmessig heksagonal, tettpakket struktur bestående av Si C-dobbeltlag som stables i en ABCB-sekvens. Silisium med bredt båndgap

Glocks har lenge blitt kritisert for sin mangel på tekstur i grepsoverflaten. Mange våpeneiere har forsøkt å øke gripeflaten ved å legge til talongrep eller stippling, men disse metodene gir bare semi-permanente løsninger som etter hvert vil slites bort. En permanent og enkel måte å øke friksjonen på er å påføre et silisiumkarbidgrep