kunnskap

Silicon carbide is a non-oxide ceramic material widely employed for thermal and mechanical applications. These include use in abrasives for its hardness, in refractories and ceramics for their heat-resistance, wear resistant components in pumps and rocket engines and even as wear-resistant parts in pumps and rocket engines. High-performance brake discs for performance cars also contain […]

Silisiumkarbid er et av de letteste og hardeste keramiske materialene, og det motstår korrosjon, slitasje og friksjonsslitasje med letthet. I tillegg har det halvledende egenskaper som gjør det egnet for høyspenningsapplikasjoner som kraftelektronikk i elektriske kjøretøy. Ledningsevnen til SiC kan økes ved hjelp av doping med nitrogen eller fosfor for halvledere av n-typen og aluminium, bor eller

Silisiumkarbid er en hard og kovalent bundet forbindelse av silisium og karbon som ofte produseres som enten pulver eller faste masser for bruksområder som krever høy utholdenhet, for eksempel bilbremser, clutcher og keramiske plater som brukes i skuddsikre vester. Molarmassen beregnes ut fra formelen og grunnstoffene i det periodiske systemet for å representere den relative

Silisiumkarbid er et ekstremt seigt og slitesterkt keramisk materiale som ikke er et oksid, og som har mange ønskelige egenskaper. Det tåler ekstreme mekaniske påkjenninger og trykk uten å sprekke under trykk, og i tillegg har det utmerkede korrosjonsbeskyttende egenskaper som beskytter komponenter mot aggressive syrer eller alkaliske kjemikalier som kan korrodere komponenter. Safirs halvlederegenskaper gjør det uvurderlig for elektroniske anvendelser: dets

Når du velger stangkomponenter, er det viktig å velge alternativer av høy kvalitet. Vurder føringer med keramiske ringer av CRB Elite, Fuji alconite eller American Tackle Nanolite, da disse førsteklasses innsatsene er mer slitesterke, glatte og lettere enn alternativer i rustfritt stål. Disse avanserte ringmaterialene reduserer friksjon, varme og skader på fiskesnøret, noe som fører til lengre kasteavstand

Schottky-dioder av silisiumkarbid (SCSD) er halvlederkomponenter med bredt båndgap som er mye brukt i kraftelektronikk. SCSD-dioder har høyere ytelse og er mer energieffektive enn konvensjonelle silisiumdioder, og gir bedre total effektkonverteringseffektivitet enn sine motstykker av silisium. Galaxy Microelectronics' 650 V og 1200 V SiC Schottky-dioder er perfekte for applikasjoner med hard switching, og gir lavere forward

Silisiumkarbid (SiC) er et hardt, elektrisk ledende materiale. Denne egenskapen gjør SiC ideelt for bruk som halvlederkomponenter med både forover- og bakoverstrøm med høy gjennomstrømning. Ved hjelp av responsoverflatemetodikk ble det konstruert en analytisk modell som korrelerer skjærekrefter og overflateruhet for endefresing av aluminiumsilisiumkarbidpartikler og metallmatrisekompositter ved

MOSFET-er (MOSFET-er) av silisiumkarbid blir stadig mer utbredt i kraftelektronikk. Disse effekthalvlederne med bredt båndgap har mange fordeler sammenlignet med silisiumenheter, blant annet reduserte koblingstap og redusert varmespredning. Disse eksepsjonelle egenskapene gjør dem ideelle for bruksområder med høye temperaturer, for eksempel ladestasjoner for elektriske kjøretøy, systemer for fornybar energi, UPS-enheter og

Wolfspeed bygger verdens største fabrikk for silisiumkarbidmateriale for å produsere SiC-strømbrytere og RF-halvlederkomponenter av høy kvalitet. Designere kan utnytte SiC MOSFET-er for å redusere systemstørrelse, kostnader og effekttetthet, samtidig som effektiviteten og påliteligheten forbedres. Wolfspeeds brede utvalg av bare die-produkter muliggjør design på systemnivå for applikasjoner som krever den høyeste effekttettheten. EV

Silisiumkarbid (SiC) er en innovativ ikke-oksidkeramikk med bemerkelsesverdige kjemiske og fysiske egenskaper. Ved ulike temperaturer har SiC egenskaper som ligner på både metaller og isolatorer - denne egenskapen gir SiC sin karakteristiske fleksibilitet. Aluminiumoksid kan dopes enten som n-type med nitrogen og fosfor eller som p-type med aluminium, bor og gallium for ytterligere modifisering.