Forfatternavn:admin88

Okamoto et al. målte ledningsevnen til silisiumkarbid ved ulike temperaturer og fant at små mengder Si-tilsetning ikke økte ledningsevnen med to til tre størrelsesordener, men over 5 mol% fikk ledningsevnen til å stige med opptil tre størrelsesordener. Silisiumkarbid er et halvledermateriale som kan [...]

Amorft silisiumkarbid (a-SiC) har fått enorm oppmerksomhet på grunn av sine varierende optiske og elektroniske egenskaper. Stivhet, lav termisk ekspansjon og gjennomsiktighet i synlig lys gjør det til et attraktivt materiale for teleskopspeil. Materialvitenskapen opplever en revolusjon med introduksjonen av dette nye materialet: a-SiC. Med egenskaper som kombinerer styrke med

4H-SiC er en stadig mer populær polytype av silisiumkarbid. På grunn av det brede båndgapet og de utmerkede termiske, elektriske og mekaniske egenskapene er det et ideelt materiale for kraftelektroniske applikasjoner. Vi undersøkte den elastiske deformasjonen og sprekkdannelsen til en enkeltkrystall 4H-SiC-søyleprøve med [0001]-orientering ved å utføre fire ganger belastning og avlastning av kompresjonsstamme

Silisiumkarbid whiskers, enkeltkrystalliske partikler i mikrometerstørrelse med fremragende fysiske og kjemiske egenskaper, har vakt stor forskningsinteresse på grunn av sine mange bruksområder, blant annet høytemperatur strukturmaterialer og verktøykeramikk. Mullittkeramikk er et svært kjemisk stabilt ildfast materiale med overlegne mekaniske og fysiske egenskaper, som høy hardhet og temperaturkryping.

Silisiumkarbid-omformerteknologi er et spennende fremskritt innen halvlederteknologi. Den har flere fordeler i forhold til konvensjonelle silisiumenheter, blant annet opptil ti ganger lavere effekttap og bedre termisk ytelse. McLaren Applied bruker en høyspennings CoolSiC metalloksidhalvleder-felteffekttransistor (MOSFET), som er utviklet spesielt for å håndtere høyspenningssystemer på 800 volt som finnes i elektriske

Silisiumkarbid, ofte kalt karborundum, er en ekstremt hard syntetisk krystallinsk forbindelse som består av silisium og karbon, og som kjennetegnes av høy varmeledningsevne, lav utvidelseskoeffisient, motstand mot kjemiske reaksjoner og halvledende egenskaper. Moissanitt, det naturlige motstykket, forekommer som mineral, men finnes bare i svært begrensede mengder i

Silisiumkarbid (SiC) tåler de høye spenningskravene som stilles til kraftsystemer for elektriske kjøretøy. Wolfspeed tilbyr isolasjonsløsninger som er spesielt utviklet for å støtte SiC-design for traksjonskontrollomformere. Markedsvekst for silisiumkarbid Veksten i bilindustrien driver markedsveksten for silisiumkarbid, mens den høye temperaturbestandigheten driver etterspørselen fra den ildfaste sektoren. Bilindustrien

Silisiumkarbid er et utrolig materiale med eksepsjonell hardhet og holdbarhet som revolusjonerer enhver verktøykasse. Håndverkere kan bruke det til å forme, glatte og jevne overflater med presisjon og enkelhet - noe som løfter etterbehandlingsprosessen og gir håndverkere tilgang til presisjonsfinish. Uansett hvilket materiale som skal slipes - ømfintlig finér eller tette

Silisiumkarbid brukes i elektroniske enheter som forsterker, bryter eller konverterer signaler i en elektrisk krets. På grunn av den lavere spenningsmotstanden og temperaturkapasiteten kan disse enhetene operere ved høyere frekvenser med mindre effekttap. SiC produseres i en elektrisk ovn ved hjelp av Acheson-prosessen og ved å varme opp silikasand

MOSFET-er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) av silisiumkarbid er viktige elementer i kraftelektroniske applikasjoner, med bredt båndgap, høy gjennomslagsspenning og høy strømtetthet. Disse strømforsyningene er spesielt godt egnet for hard-switching-topologier som LLC og ZVS, noe som gir høyere systemeffektivitet med mindre komponenter for mer kompakte konstruksjoner med reduserte systemkostnader og en energieffektiv