Forfatternavn:admin88

Nyheter om silisiumkarbid

Silicon carbide is one of the hardest known substances, used as a synthetic abrasive and found naturally as moissanite in meteorites; it can also be mined. SiC’s wide bandgap properties allow it to minimize switching losses while supporting higher frequencies, making it ideal for use in high voltage power semiconductor devices like inverters in electric […]

Nyheter om silisiumkarbid Les mer "

Silisiumkarbidforbindelse for kraftelektronikk

Silisiumkarbid (SiC) har eksepsjonelle egenskaper som gjør det svært ettertraktet i mange bruksområder, fra kraftelektronikk i elektriske kjøretøy til halvlederelektronikk generelt. SiCs halvlederegenskaper med bredt båndgap gir lavere motstand ved høyere temperaturer, noe som gir mindre og raskere kraftomformingssystemer med større energieffektivitet. SiC finnes naturlig i små mengder i

Silisiumkarbidforbindelse for kraftelektronikk Les mer "

Bruksområder for silisiumkarbid

Silisiumkarbid er et ekstremt nyttig materiale som brukes i en rekke industrier. Selv om det finnes naturlig i form av moissanittmineralforekomster, foregår det meste av produksjonen av silisiumkarbid (SC) i dag syntetisk. Med sin høye bruddspenning og lave innkoblingsmotstand er silisiumskiver utmerkede komponenter for halvlederenheter. I tillegg er de korrosjonsbestandige og tåler høye temperaturer.

Bruksområder for silisiumkarbid Les mer "

IGBT- og effekt-MOSFET-er i silisiumkarbid

Silisiumkarbid er en forbindelse som ofte brukes i kraftelektronikk. Det har en rekke egenskaper som kan forbedre ytelsen i forhold til silisiumbaserte enheter, blant annet økt sperrespenningskapasitet og redusert spesifikk on-motstand. Littelfuses forskning på disse egenskapene har resultert i ny teknologi som er utviklet for å øke effektiviteten i AGPU-baserte systemer. Littelfuse har gjennomført omfattende forsøk med

IGBT- og effekt-MOSFET-er i silisiumkarbid Les mer "

Kuler av silisiumkarbid

Silisiumkarbidkuler er konstruert for å tåle tøffe miljøer og finnes i en rekke bruksområder, alt fra lagre og energisystemer til presisjonsproduksjon av halvledere. Karborundum forekommer naturlig som mineralet moissanitt, men har blitt masseprodusert siden 1893 for bruk som slipemateriale og råmateriale i stålproduksjon. Hardhet Silisiumkarbid (SiC)

Kuler av silisiumkarbid Les mer "

Optikk og passiveringsegenskaper for silisiumkarbidfilmer (SiC)

Silisiumkarbid (SiC) har raskt vokst frem som et ideelt materiale for monolittisk integrerte fotonikkapplikasjoner, på grunn av kombinasjonen av høy brytningsindeks, bredt båndgap, lav termisk ekspansjonskoeffisient og utmerkede stivhetsegenskaper. SiC er også et utmerket materialvalg for speil i astronomiske teleskoper. Ellipsometriske resultater viser at transmittansen og brytningsindeksen til

Optikk og passiveringsegenskaper for silisiumkarbidfilmer (SiC) Les mer "

Hvorfor silisiumkarbid er et godt valg for elektrisk ledningsevne og andre bruksområder

Silisiumkarbid er et avansert halvledermateriale som er i stand til å lede strøm ved høye temperaturer, samtidig som det er motstandsdyktig mot oksidasjon og tåler høye spenninger, noe som gjør det til det perfekte materialvalget for bruksområder som bilbremser og clutcher samt skuddsikre vester. Dopingsstoffer som aluminium, bor og gallium kan bidra til å kontrollere den elektriske ledningsevnen

Hvorfor silisiumkarbid er et godt valg for elektrisk ledningsevne og andre bruksområder Les mer "

nb_NONorwegian
Skroll til toppen