zināšanas

Silicon carbide is an advanced semiconductor material capable of conducting electricity at high temperatures while remaining resistant to oxidation and handling high voltages, making it the perfect material choice for applications such as car brakes and clutches as well as bulletproof vests. Dopants such as aluminum, boron and gallium can help control the electrical conductivity […]

Silīcija karbīds ir pusvadītāju materiāls ar īpašībām starp metālu un izolatoru. Pēdējās ir atkarīgas no tādiem faktoriem kā temperatūra un kristāliskajā struktūrā esošie piemaisījumi, bet pirmā gadījumā elektriskās īpašības ir atkarīgas arī no šiem mainīgajiem lielumiem. Edvards Goodrich Achesons pirmo reizi radīja SiC 1891. gadā, mēģinot ražot mākslīgos dimantus, izmantojot elektrisko strāvu.

Silīcija karbīds (SiC) ir izturīga bezoksīda keramika, kas pazīstama ar savu izturību un karstumizturību. To var izmantot lietojumos, kur nepieciešama augsta termiskā izturība ar minimālu izplešanos. SiC siltumvadītspēja līdz noteiktai temperatūrai pieaug līdz noteiktam punktam; tomēr piemaisījumu vai strukturālu defektu dēļ tā laika gaitā pakāpeniski samazinās - šī parādība.

Silīcija karbīda tehnoloģija ir piedzīvojusi milzīgu izaugsmi energoelektronikas ražotāju vidū. Šo tendenci lielā mērā var skaidrot ar pieaugošo pieprasījumu pēc elektriskajiem transportlīdzekļiem un ar tiem saistītajām uzlādes infrastruktūrām. SiC ir lielisks materiāls, ko var izmantot dažādiem lietojumiem, pateicoties tā neticamajai cietībai, izturībai un izturībai pret koroziju. Augsttemperatūras silīcija karbīds ir ieguvis pastiprinātu uzmanību

Silīcija karbīds (SiC) ir inovatīvs jauns materiāls enerģijas lietojumiem, kas sola palielināt sistēmas efektivitāti, vienlaikus samazinot sistēmas izmēru, svaru un formu. Tas ir trīs reizes siltumvadītspējīgāks par silīciju un ar zemākiem komutācijas zudumiem, un tas nodrošina augstāku darba temperatūru un lielāku spriegumu. SiC moduļi ir pieejami formās "2-in-1", kas ļauj konfigurēt pusmiltuvi

Silīcija karbīds (SiC) ir ārkārtīgi ciets materiāls, kas pēc Mosa skalas novērtēts ar 9 ballēm - salīdzināms ar dimantu. Tam ir zems termiskās izplešanās koeficients un izcilas ķīmiskās un karstumizturības īpašības, kā arī izcila izturība un izturība augstā temperatūrā. SiC izceļas arī ar izcilu nodilumizturību. Pateicoties tā kristāliskajai struktūrai, grafēns veido polimorfus ar šādām īpašībām

Silīcija karbīds (SiC) ir ārkārtīgi ciets sintētisks materiāls, ko var izmantot dažādās rūpniecības nozarēs. SiC ir bezoksīda keramika, tāpēc tam piemīt unikālas īpašības, tostarp augsts kušanas punkts, siltumvadītspēja un izturība pret koroziju - trīs īpašības, kas ir būtiskas rūpnieciskajos procesos. Melno SiC izmanto abrazīvos un kā moisanītu - pievilcīgu sintētisku dārgakmeni. Zaļais SiC, no otras puses.

Silīcija karbīda abrazīvie materiāli ir vieni no vissmagākajiem, kas tiek izmantoti parastā veidā, un tiem piemīt izcila ķīmiskā un termiskā vadītspēja un zems izplešanās koeficients. Turklāt silīcija karbīds var lepoties ar karstumizturību, kā arī nodilumizturību. Ražošana ietver kvarca smilšu, naftas koksa, zāģu skaidu un rūpnieciskās sāls kausēšanu elektriskās pretestības krāsnīs augstā temperatūrā,

Silīcija karbīds ir plaši pielietojams lieljaudas elektronikā un kvantu tehnoloģijās. Tas ir pazīstams ne tikai ar savām izcilajām elektriskajām īpašībām, bet arī ar augstu siltumvadītspēju un ķīmisko stabilitāti. Vurcīta kristāliskajai struktūrai raksturīgs neregulārs sešstūrains ciešs sakārtojums, ko veido Si C dubultslāņi, kas sakārtoti ABCB secībā. Platjoslas silīcijs

Glocks jau ilgu laiku tiek kritizēti par to, ka roktura virsmai trūkst tekstūras. Lai gan daudzi ieroču īpašnieki ir mēģinājuši palielināt satvēriena virsmu, pievienojot rokturus ar talonveida rokturiem vai stīpēšanu, šīs metodes rada tikai daļēji pastāvīgus risinājumus, kas ar laiku nolietojas. Pastāvīgs un vienkāršs veids, kā palielināt berzi, ir silikona karbīda roktura apstrāde.