zināšanas

Silicon carbide (SiC) is one of the hardest ceramic materials and retains its hardness even at elevated temperatures, offering exceptional wear-resistance and corrosion protection. Additionally, SiC offers exceptional resistance against wear-and-corrosion damage. By employing XRD and SEM analysis techniques, the microstructure of liquid-phase sintered SiC containing various sintering activating additives was evaluated. Furthermore, its impact […]

Silīcija karbīds (SiC) ir dabā sastopams minerāls, kas pazīstams kā karborunds. Turklāt pastāv arī mākslīga forma, kas pazīstama kā sintētiskais moisanīts. Vītņakmeņi ir klasiski un universāli asināšanas instrumenti, taču pirms lietošanas tie ir regulāri jāmērcē un jāizlīdzina, lai saglabātu vienmērīgu virsmu. Vītņakmeņi parasti jāizmanto kā daļa no asināšanas secības, kas sākas ar

Silīcija karbīds, ārkārtīgi ciets sintētisks silīcija un oglekļa savienojums, jau sen tiek izmantots kā rūpniecisks abrazīvs, piemēram, smilšpapīrs vai slīpripas, kā arī kā nodilumizturīgi komponenti sūkņu gultņos vai rūpnieciskās krāsnīs. No tā var izgatavot arī lieliskus ugunsizturīgus oderējumus. Silīcija karbīds pārspēj savu silīcija analogu siltuma ziņā.

Silīcija karbīda abrazīviem parasti ir augstāka izturība, un tie labi strādā ar lielāko daļu materiālu, tostarp metāliem. Alumīnija oksīda abrazīviem ir salīdzināma izturība, tomēr silīcija karbīda cietība un asums padara tos piemērotākus nemetāliskiem materiāliem. Smalku silīcija karbīdu (zaļā vai melnā krāsā) plaši izmanto keramikas, krāsaino metālu un cieto metālu pulēšanai.

Silīcija karbīds jeb SiC ir daudzpusīgi izmantojams. Tas var darboties augstākās temperatūrās, frekvencēs un spriegumos nekā silīcijs, vienlaikus nodrošinot lielāku jaudas blīvumu. Edvards Ačons nejauši atklāja karborundu, 1891. gadā mēģinot ražot mākslīgos dimantus. Uzkarsējot mālu ar oglekļa pulveri, izmantojot elektrību, un izveidojot spilgti zaļus heksagonālus kristālus.

Silīcija karbīda ārkārtas temperatūras stabilitāte, izturība, izturība, izturība pret koroziju un pusvadītāju īpašības padara to par ideālu materiālu energoelektronikai. Turklāt, dopējot ar fosforu vai galliju, varētu iegūt n-veida silīcija karbīda bāzes pusvadītāju pusvadītāju ierīces. SiC ir pieejams dažādos politipos, kas atšķiras pēc silīcija un oglekļa atomu izvietojuma.

Silīcija karbīds nodrošina izcilu apdari visu veidu kokapstrādes projektos. Tā karstumizturība novērš termisko degradāciju intensīvu materiāla noņemšanas procesu laikā, garantējot nemainīgu veiktspēju. Silīcija karbīda smilšpapīrs ir lieliski piemērots gan cietāku materiālu, piemēram, metāla, akmens un krāsas, gan arī mīkstu materiālu, piemēram, gumijas, stikla un plastmasas, apstrādei. Tomēr, ņemot vērā tā trauslumu.

Silīcija karbīds (SiC) ir ārkārtīgi ciets rūpniecisks materiāls, kam piemīt gan pusvadītāja, gan keramikas īpašības. Dabā sastopams tikai moisanīta minerālos, un SiC ir cieši sakārtotas struktūras, ko veido četri Si atomi, kas saistīti ar četriem oglekļa atomiem četrpusējos tetraedros, kuri veido tā struktūru; papildu politipiem ir dažādas fizikālās īpašības un formas. Silikona kaučuks ir

Silicija karbīda smiltis ir asas, cietas, viegli griezējas stūros un punktos, nodrošinot ātrus griezumus par ekonomiskām izmaksām salīdzinājumā ar dimanta vai bora karbīda smiltīm. Silīcija karbīda putekļi var būt kaitīgi, ja tos ieelpo tieši. Tāpēc jāizmanto piemēroti aizsardzības līdzekļi, piemēram, maskas, un darbības ar šo abrazīvo materiālu jāveic

Silīcija karbīds (SiC) ir progresīvs pusvadītājs, kas pārvar daudzus tradicionālo silīcija ierīču ierobežojumus. SiC ierīcēm ir trīs reizes platāka joslas josla nekā silīcijam un uzlabota siltumvadītspēja, tāpēc tās ir ideāli piemērotas lielākam spriegumam un augstākai temperatūrai nekā to silīcija analogi. Šajā rakstā iepazīstināsim ar SiC pamatīpašībām un priekšrocībām.