Autora vārds: admin88

This Dremel silicon carbide grinding stone works great on many surfaces and is especially helpful when etching glass. As its aluminum oxide counterpart, it offers tougher bits that work well on harder materials like glass. In addition to working well on such items as stone, ceramics, porcelain and nonferrous metals it comes equipped with a […]

Silīcija karbīds (SiC) ir ārkārtīgi ciets un sintētiski iegūts silīcija un oglekļa kristālisks savienojums, ko tautā dēvē par karborundu. Mosa cietības rādītājs ir 9, tāpēc tas ir līdzīgs dimantam, un to var izmantot kā abrazīvu un ugunsizturīgos izstrādājumos, piemēram, krāsns oderējumā. Silīcijs ir vēl viens materiāls ar lielu potenciālu

Silīcija karbīds ir ārkārtīgi noderīgs materiāls, ko izmanto daudzās nozarēs. Lai gan dabā tas atrodams moisanīta minerālu atradnēs, mūsdienās lielākā daļa silīcija karbīda (SC) ražošanas notiek sintētiski. Pateicoties augstajam pārrāvuma spriegumam un zemajai ieslēgšanās pretestībai, silīcija plāksnītes ir lieliski pusvadītāju ierīču komponenti. Turklāt to izturība pret koroziju nodrošina to izturību pret augstām temperatūrām.

Silīcija karbīds ir savienojums, ko bieži izmanto energoelektronikas ierīcēs. Tam piemīt dažādas īpašības, kas var uzlabot veiktspēju salīdzinājumā ar ierīcēm, kuru pamatā ir silīcijs, tostarp palielināt bloķēšanas sprieguma jaudu un samazināt īpatnējo ieslēgšanas pretestību. Littelfuse šo īpašību izpētes rezultātā ir izstrādāta jauna tehnoloģija, kas paredzēta, lai palielinātu efektivitāti AGPU sistēmās. Littelfuse ir veiksmīgi veikusi plašus izmēģinājumus, izmantojot

Silīcija karbīda lodītes ir izstrādātas tā, lai izturētu skarbas vides apstākļus, un tās var atrast daudzos lietojumos, sākot no gultņiem un energosistēmām līdz precīzai pusvadītāju ražošanai. Karborunds dabā sastopams kā minerāls moizanīts, bet masveidā to ražo kopš 1893. gada, lai izmantotu kā abrazīvu materiālu un izejvielu tērauda ražošanā. Cietība Silīcija karbīds (SiC)

Silīcija karbīds (SiC) ir strauji kļuvis par ideālu materiālu monolīti integrētiem fotonikas lietojumiem, jo tam piemīt augsts refrakcijas koeficients, plaša joslas sprauga, zems termiskās izplešanās koeficients un lieliskas stingrības īpašības. SiC ir arī lielisks materiāls astronomisko teleskopu spoguļu izgatavošanai. Elipsometrijas rezultāti liecina, ka caurlaidība un refrakcijas koeficients

Silīcija karbīds ir progresīvs pusvadītāju materiāls, kas spēj vadīt elektrību augstā temperatūrā, vienlaikus saglabājot izturību pret oksidēšanos un darbojoties ar augstu spriegumu, tāpēc tas ir ideāls materiāls tādiem lietojumiem kā automašīnu bremzes un sajūgi, kā arī ložu necaurlaidīgas vestes. Tādi dopanti kā alumīnijs, bors un gallijs var palīdzēt kontrolēt elektrovadītspēju.

Silīcija karbīds ir pusvadītāju materiāls ar īpašībām starp metālu un izolatoru. Pēdējās ir atkarīgas no tādiem faktoriem kā temperatūra un kristāliskajā struktūrā esošie piemaisījumi, bet pirmā gadījumā elektriskās īpašības ir atkarīgas arī no šiem mainīgajiem lielumiem. Edvards Goodrich Achesons pirmo reizi radīja SiC 1891. gadā, mēģinot ražot mākslīgos dimantus, izmantojot elektrisko strāvu.

Silīcija karbīds (SiC) ir izturīga bezoksīda keramika, kas pazīstama ar savu izturību un karstumizturību. To var izmantot lietojumos, kur nepieciešama augsta termiskā izturība ar minimālu izplešanos. SiC siltumvadītspēja līdz noteiktai temperatūrai pieaug līdz noteiktam punktam; tomēr piemaisījumu vai strukturālu defektu dēļ tā laika gaitā pakāpeniski samazinās - šī parādība.

Silīcija karbīda tehnoloģija ir piedzīvojusi milzīgu izaugsmi energoelektronikas ražotāju vidū. Šo tendenci lielā mērā var skaidrot ar pieaugošo pieprasījumu pēc elektriskajiem transportlīdzekļiem un ar tiem saistītajām uzlādes infrastruktūrām. SiC ir lielisks materiāls, ko var izmantot dažādiem lietojumiem, pateicoties tā neticamajai cietībai, izturībai un izturībai pret koroziju. Augsttemperatūras silīcija karbīds ir ieguvis pastiprinātu uzmanību