D\u0117l savo kietumo ir tvirtumo silicio karbidas yra puiki med\u017eiaga astronomini\u0173 teleskop\u0173 veidrod\u017eiams gaminti, be to, jis yra svarbi galios elektronikos sudedamoji dalis ant\u017eeminiuose elektromobiliuose ir kosmin\u0117se zond\u0117se.<\/p>\n
Khan pa\u017eymi, kad \u201eDENSO\u201c ir \u201eMitsubishi Electric\u201c yra dvi pirmaujan\u010dios sistem\u0173 gamintojos, aktyviai \u012fsigyjan\u010dios SiC lustus tiek substrato, tiek epitaxini\u0173 plok\u0161teli\u0173 lygmeniu.<\/p>\n
Silicio karbidas, kartu su egzoti\u0161komis puslaidininki\u0173 med\u017eiagomis, tokiomis kaip galio nitridas ir galio oksidas, pastaruoju metu sulauk\u0117 didelio d\u0117mesio d\u0117l savo potencialo pakeisti tradicin\u012f silic\u012f kai kuriose taikymo srityse, pavyzd\u017eiui, elektromobili\u0173 galios elektronikoje. \u0160i\u0105 tendencij\u0105 skatina pelningos galimyb\u0117s, kurias teikia ekologi\u0161kos technologijos, tokios kaip elektromobiliai, saul\u0117s baterijos ir pa\u017eang\u016bs jutikliai, kurie turi veikti ekstremaliomis s\u0105lygomis.<\/p>\n
\u012emon\u0117s, norin\u010dios pasinaudoti spar\u010diai augan\u010dia galios elektronikos prietais\u0173 paklausa, privalo tur\u0117ti galimyb\u0119 \u012fsigyti didelius kiekius auk\u0161tos kokyb\u0117s silicio karbido (SiC) plok\u0161teli\u0173. Amerikos \u012fmon\u0117 \u201eCoherent\u201c, anks\u010diau \u017einoma kaip \u201eII-VI\u201c, o dabar gaminanti lazerius ir grandyn\u0173 jungiklius, planuoja pasinaudoti \u0161ia tendencija ir \u012fsteigti dukterin\u0119 \u012fmon\u0119, kuri u\u017esiimt\u0173 i\u0161skirtinai SiC plok\u0161teli\u0173 gamyba.<\/p>\n
Neseniai bendrov\u0117 paskelb\u0117, kad i\u0161 Japonijos \u012fmoni\u0173 \u201eDENSO\u201c ir \u201eMitsubishi Electric\u201c gavo bendr\u0105 $1 milijard\u0173 investicij\u0105 \u012f savo silicio karbido (SiC) puslaidininki\u0173 versl\u0105. \u0160i investicija paspartins kapitalo plan\u0173 \u012fgyvendinim\u0105 ateinan\u010diais metais, nes ji pad\u0117s i\u0161pl\u0117sti 150 mm ir 200 mm SiC substrat\u0173 bei epitaksini\u0173 plok\u0161teli\u0173 gamybos paj\u0117gumus.<\/p>\n
\u201eCoherent\u201c investicija vykdoma tuo metu, kai, remiantis rinkos prognoz\u0117mis, bendra SiC rinka iki 2030 m. pasieks ma\u017edaug $21 milijard\u0173, tod\u0117l \u201eCoherent\u201c nusprend\u0117 i\u0161pl\u0117sti \u0161ia med\u017eiaga pagamint\u0173 substrat\u0173 ir epitaksini\u0173 plok\u0161teli\u0173 gamyb\u0105, siekdama patenkinti \u0161\u012f augant\u012f paklaus\u0105, tuo pa\u010diu stiprindama \u201eCoherent\u201c pasaulin\u0119 lyderio pozicij\u0105 SiC technologij\u0173 srityje.<\/p>\n
SiC lustai sulauk\u0117 didelio susidom\u0117jimo d\u0117l savo i\u0161skirtinio efektyvumo \u2013 tai patvirtina faktas, kad jie \u0161ilumos pavidalu praranda tik pus\u0119 tiek energijos, kiek silicio pagrindu pagaminti lustai. Tai leid\u017eia galios elektronikos komponentams veikti \u017eemesn\u0117je temperat\u016broje, tuo pa\u010diu suma\u017einant i\u0161laidas ir svor\u012f; be to, ma\u017eesnis \u0161ilumos nuostolis rei\u0161kia, kad baterijos tarnauja ilgiau!<\/p>\n
Kitas veiksnys yra tai, kad SiC puslaidininkiai gaminami i\u0161 stipresn\u0117s ir atsparesn\u0117s dilimui med\u017eiagos nei silicis, o tai padeda prailginti j\u0173 eksploatacijos trukm\u0119. D\u0117l \u0161i\u0173 ir kit\u0173 prie\u017eas\u010di\u0173 galios elektronikos gamintojai noriai \u0117m\u0117 naudoti SiC. Tod\u0117l tokios \u012fmon\u0117s kaip \u201eWolfspeed\u201c 2018 m. vasar\u0105 paskelb\u0117, kad stato did\u017eiausi\u0105 pasaulyje SiC gamybos gamykl\u0105, o \u201eInfineon\u201c paskelb\u0117 planus statyti savo gamykl\u0105.<\/p>\n
SiC pla\u010diai naudojamas puslaidininkin\u0117s elektronikos srityje d\u0117l savo puikio \u0161ilumos laidumo, kietumo ir standumo \u2013 savybi\u0173, d\u0117l kuri\u0173 jis idealiai tinka auk\u0161toms temperat\u016broms ir \u012ftampoms. D\u0117l puikio SiC \u0161ilumos laidumo jis tinka didel\u0117s galios energijos keitimo \u012frenginiams, pavyzd\u017eiui, elektromobili\u0173 keitikliams ir pavar\u0173 sistemoms, taip pat energijos perdavimo sistemoms, kuriose naudojamas jo ma\u017eas elektrinis pasiprie\u0161inimas, padedantis suma\u017einti \u0161ilumos nuostolius ir padidinti efektyvum\u0105. Be to, SiC technologija naudojama \u201eHerschel\u201c ir \u201eGaia\u201c kosmin\u0117se observatorijose d\u0117l ma\u017eo \u0161iluminio pl\u0117timosi koeficiento; i\u0161 SiC pagaminti veidrod\u017eiai gali pasiekti net iki 3,5 metro (11 p\u0117d\u0173) dyd\u012f.<\/p>\n
\u201eCoherent\u201c silicio karbido verslas sulauk\u0117 trij\u0173 Japonijos konglomerat\u0173 susidom\u0117jimo \u2013 \u201eDenso Corp\u201c, \u201eHitachi Ltd\u201c ir \u201eMitsubishi Electric Corp\u201c \u2013 ir, pasak \u0161altinio, susipa\u017einusio su \u0161iuo klausimu ir papra\u0161iusio neskelbti jo tapatyb\u0117s, nes \u0161is klausimas laikomas konfidencialiu, kiekvienas i\u0161 \u0161i\u0173 koncern\u0173 svarsto galimyb\u0119 investuoti \u012f \u0161\u012f versl\u0105, vertinant j\u012f iki $5 milijard\u0173.<\/p>\n
Kai pasaulyje spar\u010diai auga elektromobili\u0173 paklausa, taip pat staigiai did\u0117ja ir j\u0173 populiarumas. Siekiant u\u017etikrinti didesn\u012f nuva\u017eiuojam\u0105 atstum\u0105, suma\u017einti akumuliatori\u0173 s\u0105naudas ir veiksmingai ma\u017einti i\u0161metam\u0173j\u0173 ter\u0161al\u0173 kiek\u012f, tikimasi, kad ma\u017edaug nuo 2025 m. auk\u0161\u010diausios klas\u0117s elektromobiliuose prad\u0117s pla\u010diai diegti silicio karbido (SiC) pagrindu veikian\u010dius galios keitiklius, o v\u0117liau jie bus pritaikyti ir kitose automobili\u0173 bei pramon\u0117s galios sistemose.<\/p>\n
\u0160i dukterin\u0117 \u012fmon\u0117 ne tik gamina SiC substratus, bet ir i\u0161pl\u0117t\u0117 savo veikl\u0105 \u012f prietais\u0173 bei moduli\u0173 gamyb\u0105. Khanas mano, kad j\u0173 s\u0117km\u0117s raktas \u2013 bendradarbiavimas su tokiomis pirmaujan\u010diomis sistem\u0173 gamintojomis kaip \u201eMitsubishi Electric\u201c ir \u201eDenso\u201c, siekiant i\u0161 \u0161io bendradarbiavimo pasisemti kuo daugiau \u017eini\u0173 ir taip tobulinti gamybos procesus.<\/p>\n
\u0160i \u012fmon\u0117 siekia gaminti 200 mm n-tipo 4H SiC substratus, tinkamus auk\u0161tos kokyb\u0117s SiC galios MOSFET tranzistori\u0173 gamybai, kurie, palyginti su tradiciniais silicio lustais, pasi\u017eymi geresniu atsparumu \u012ftampai ir temperat\u016brai, patikimumu, na\u0161umu bei ilgesniu tarnavimo laiku. SiC MOSFET tranzistoriai u\u017etikrina galios elektronikos sistem\u0173, kurios turi veikti auk\u0161tesniuose da\u017eniuose, auk\u0161tesn\u0117se temperat\u016brose, platesniuose galios diapazonuose ir ma\u017eesn\u0117mis s\u0105naudomis, veikim\u0105 \u2013 tai ideal\u016bs sprendimai, padedantys suma\u017einti CO\u2082 i\u0161metim\u0105 ir paspartinti per\u0117jim\u0105 prie \u0161vari\u0173 energijos \u0161altini\u0173.<\/p>\n
Silicio karbidas (SiC) yra itin kieta ir trapi kristalin\u0117 med\u017eiaga, naudojama puslaidininkiniuose elektroniniuose \u012frenginiuose, veikian\u010diuose esant auk\u0161tai temperat\u016brai ar \u012ftampai, ir puikus elektros laidininkas kambario temperat\u016broje. SiC gali atlaikyti itin auk\u0161t\u0105 temperat\u016br\u0105 ar \u012ftamp\u0105 ir yra puikus elektros laidininkas kambario temperat\u016broje; tod\u0117l jis rand\u0105 pritaikym\u0105 \u0161viesos dioduose (LED), ankstyv\u0173j\u0173 radijo imtuv\u0173 detektoriuose, galios keitikliuose (pavyzd\u017eiui, naudojamuose elektrin\u0117se transporto priemon\u0117se) \u2013 vis\u0173 tip\u0173 pritaikymus galima rasti puslaidininkiniuose elektroniniuose \u012ftaisuose, kuriuose naudojamas SiC. Nat\u016bralus moissanitas kasamas tik labai ribotais kiekiais, o prakti\u0161kai visas komerci\u0161kai parduodamas SiC yra sinteti\u0161kai pagamintas i\u0161 surast\u0173 \u017ealiav\u0173.<\/p>\n
Silicio karbido lustai gali tur\u0117ti kelet\u0105 prana\u0161um\u0173, palyginti su silicio lustais, naudojamais galios elektronikos srityje, \u012fskaitant \u017eemesnes veikimo temperat\u016bras ir perjungimo da\u017enius. Neseniai bendrov\u0117 \u201eCoherent\u201c sulauk\u0117 didelio \u017einiasklaidos d\u0117mesio, \u012fsteigusi dukterin\u0119 \u012fmon\u0119, skirt\u0105 i\u0161skirtinai silicio karbido gamybai \u2013 sekdama \u201eWolfspeed\u201c pavyzd\u017eiu, kuri pastat\u0117 did\u017eiausi\u0105 Vokietijoje silicio karbido gamykl\u0105, ir \u201eInfineon Technologies\u201c, gaminan\u010dios puslaidininkinius \u012frenginius.<\/p>\n
Nuo pat \u012fk\u016brimo \u201eCoherent\u201c silicio karbido verslas i\u0161augo eksponenti\u0161kai \u2013 \u012fmon\u0117 gamina didelius plok\u0161telius, skirtus auk\u0161tos kokyb\u0117s galios \u012frenginiams gaminti. \u012ediegtos linijos, skirtos apdoroti iki 200 mm skersmens substratus, o \u012franga buvo sertifikuota naudoti \u0161iame procese. Be to, epitaksini\u0173 plok\u0161teli\u0173 gamybos dukterin\u0117 \u012fmon\u0117 taip pat tarnauja kaip i\u0161eities ta\u0161kas gaminant \u012fvairius galios puslaidininki\u0173 \u012frenginius.<\/p>\n
Siekdama maksimaliai padidinti i\u0161eig\u0105 ir suma\u017einti s\u0105naudas, dukterin\u0117 \u012fmon\u0117 \u0117m\u0117 taikyti \u201eLely\u201c metod\u0105, kurio metu silicio karbido milteliai sublimuojami \u012f auk\u0161tesn\u0117s temperat\u016bros SiC junginius, pavyzd\u017eiui, silicio nitrid\u0105 (SiN) ir silicio dikarbid\u0105 (Si\u2082C). \u201eLely\u201c metodas leid\u017eia auginti auk\u0161to grynumo monokristalus, kurie v\u0117liau supjaustomi, kad b\u016bt\u0173 pagamintos atskiros epitaksin\u0117s plok\u0161tel\u0117s \u2013 tai gali b\u016bti brangesnis procesas nei cheminis gar\u0173 nusodinimo metodas, ta\u010diau laikomas b\u016btinu gaminant patikimus ir kartu s\u0105naudas ma\u017einan\u010dius silicio karbido puslaidininkinius \u012frenginius.<\/p>\n
\u0160i dukterin\u0117 \u012fmon\u0117 pasira\u0161\u0117 ilgalaikes tiekimo sutartis su \u201eDENSO\u201c ir \u201eMitsubishi Electric\u201c, kurios naudoja m\u016bs\u0173 dukterin\u0117s \u012fmon\u0117s gaminamus SiC substratus ir epitaksines plok\u0161teles elektromobili\u0173 galios keitikli\u0173 gamybai. Pagal \u0161ias sutartis bus perkamos 150 mm ir 200 mm SiC substratai, siekiant patenkinti \u0161i\u0173 \u012fmoni\u0173 galios elektronikos poreikius.<\/p>\n
Antradien\u012f smarkiai \u0161oktel\u0117jo \u201eCoherent\u201c (COHR, +4,52%) akcij\u0173 kaina, kai pasirod\u0117 \u017einia, kad jos silicio karbido puslaidininki\u0173 verslui Japonijos automobili\u0173 gamintojai \u201eDenso\u201c (6902, -1,07%) ir \u201eMitsubishi Electric\u201c (6503) -0,68%, kurios kiekviena investuos po $500 mln. u\u017e 12,5% nekontroliuojan\u010di\u0173 akcij\u0173 paket\u0105; Pitsburge \u012fsik\u016brusi \u201eCoherent\u201c valdo 75% akcij\u0173.<\/p>\n
\u201eCoherent\u201c investicija paspartins kapitalo pl\u0117tros planus ir sudarys s\u0105lygas sudaryti ilgalaikes tiekimo sutartis. Be to, \u0161is sandoris leid\u017eia \u201eCoherent\u201c tapti komerciniu rinkos dalyviu, bendradarbiaujan\u010diu su klientais visais vert\u0117s grandin\u0117s lygmenimis \u2013 nuo SiC substrat\u0173 ir epireaktori\u0173 gamybos iki prietais\u0173 ir moduli\u0173 projektavimo bei gamybos. Sohail Khan, vyresnysis vykdomasis viceprezidentas, atsakingas u\u017e naujus verslus ir pla\u010diosios juostos elektronikos versl\u0105, vadovaus naujajai dukterinei \u012fmonei kaip generalinis direktorius.<\/p>\n
D\u0117l \u0161ios investicijos buvusios \u201eCoherent\u201c ry\u0161i\u0173 segmentas 2018 finansiniais metais sudar\u0117 apie 65% vis\u0173 pajam\u0173; remiantis \u201eFitch Ratings\u201c prognoz\u0117mis, d\u0117l \u0161ios investicijos tikimasi, kad iki 2023 finansini\u0173 met\u0173 \u012fmon\u0117s verslo pajam\u0173 tempas vir\u0161ys $2 mlrd., o pelno mar\u017ea bus didesn\u0117 nei 15%. Tai rei\u0161kia \u012fsp\u016bding\u0105 augim\u0105, palyginti su 2018 finansiniais metais, kai \u0161io segmento ind\u0117lis \u012f metines pajamas sudar\u0117 ma\u017edaug $650 mln.<\/p>\n
Silicio karbidas yra retas junginys, randamas nedideliais kiekiais tik tam tikruose meteorituose, korundo telkiniuose ir brangakmenyje moissanite. D\u0117l savo ypating\u0173 savybi\u0173 silicio karbidas tapo neatskiriama auk\u0161tos temperat\u016bros elektronikos ir galios elektronikos pritaikym\u0173 dalimi; jis gali atlaikyti auk\u0161tesnes temperat\u016bras ir \u012ftampas nei silicis, o elektr\u0105 laid\u017eia efektyviau nei aliuminis ar plienas. Be to, silicio karbidas yra \u017eymiai lengvesnis ir tvirtesnis nei jo aliuminio ir plieno atitikmenys.<\/p>\n
Per pastaruosius dvejus metus \u201eCoherent\u201c \u012f savo versl\u0105 investavo dideles l\u0117\u0161as, siekdama padidinti gamybos paj\u0117gumus ir u\u017etikrinti tolesn\u0119 pl\u0117tr\u0105, \u012fskaitant 300 mm plok\u0161teli\u0173 gamybos linijos \u012frengim\u0105, taip pat investicijas \u012f epitaxini\u0173 plok\u0161teli\u0173 apdorojimo \u012frang\u0105 bei mokslini\u0173 tyrim\u0173 ir pl\u0117tros paj\u0117gumus. \u0160iuo metu \u201eCoherent\u201c tiekia 200 ir 400 mm skersmens SiC plok\u0161teles \u012fvairiems klientams visame pasaulyje.<\/p>\n
\u201cFitch\u201d prognozuoja, kad silicio karbido verslo augimas, kartu su s\u0105naud\u0173 efektyvumo padid\u0117jimu, pasiektu \u012fsigijus \u201eCoherent\u201c, pad\u0117s kompensuoti kit\u0173 segment\u0173 silpnum\u0105, tod\u0117l prognozuojamu laikotarpiu EBITDA pal\u016bkan\u0173 padengimo rodiklis bus artimesnis tipiniams \u201eBB\u201c reitingo lygiams.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide’s hard and rigid surface properties make it an excellent mirror material for astronomical telescopes, and also form a key part of power electronics in terrestrial electric vehicles and spacecraft probes. Khan notes that DENSO and Mitsubishi Electric are two leading system companies actively procuring SiC chips on both substrate and epiwafer levels. What […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[64],"tags":[],"class_list":["post-385","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/385","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=385"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/385\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":386,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/385\/revisions\/386"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=385"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=385"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=385"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}